CN206099907U - 低噪声放大电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种低噪声放大电路。上述低噪声放大电路，包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元，其中，对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元，对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置，就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态，其结构简单、成本低，同时也节约了PCB板的使用面积。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域，特别是涉及低噪声放大电路。
背景技术
Ka波段宽带卫星的运用将会成为未来卫星宽带通信的行业趋势。Ka波段主要是26.5～40GHz，这大大提高了通信的带宽。一系列的配套设备和组件对于整个通信网络的构建具有至关重要的作用。其中，对于地面小站来说，收发机是构建地面小站的关键部件。在用于卫星广播的应用中，收发机的下变频模块(low noise block，LNB)是接收信号的最关键模块。下变频模块接收从卫星发射的微弱信号，下变频模块对其进行放大以及下变频为中频信号，再经过调制解调器进行后续处理。
由于接收机系统噪声系数主要由低噪声放大器决定，因此设计一款增益合理、噪声低、性能可靠稳定、大动态范围的放大器在接收前端的设计中显得尤为重要。传统的低噪声放大电路是由多个复杂的电子元器件构成，其成本高、占用PCB板的面积大。
实用新型内容
基于此，有必要针对电路结构复杂、成本高、占用PCB板面积大的问题，提供一种低噪声放大电路。
一种低噪声放大电路，包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元，其中，
对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元，对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元，其中，所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器，所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；或
对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。
在其中一个实施例中，所述第一偏置单元包括第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；
所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻、第二电阻连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的另一端与正电压供电端连接；所述第一三极管的集电极经所述第三电阻、第四电阻与负电压供电端连接；所述第一三极管的发射极经所述第五电阻与所述正电压供电端连接；
所述低噪声放大器为晶体管放大器，所述晶体管放大器的源极接地；所述晶体管放大器的栅极与所述第三电阻、第四电阻的公共点连接；所晶体管放大器的漏极与所述第一三极管的发射极连接。
在其中一个实施例中，所述第一偏置单元第二三极管；所述第二三极管的发射极经所述第二电阻与所述正电压供电端连接，所述第二三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接；所述第二三极管的基极分别与所述第一电阻、第一三极管的基极连接。
在其中一个实施例中，所述第二偏置单元为直流偏置芯片；
所述直流偏置芯片包括多组对应设置的栅极偏置引脚和漏极偏置引脚；其中，所述栅极偏置引脚为所述晶体管放大器的栅极提供正电压、所述漏极偏置引脚为所述晶体管放大器的漏极提供负电压；以及
还包括为所述第一偏置单元提供电压的正电压输出端和负电压输出端。
在其中一个实施例中，所述低噪声放大电路中包括三级级联的第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器。
在其中一个实施例中，对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器分别进行偏置的均为所述第一偏置单元；对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元；
其中，所述第二偏置单元的正电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第五电阻连接；所述第二偏置单元的负电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第四电阻连接；
所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
在其中一个实施例中，所述低噪声放大电路包括对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器同时进行偏置的PNP型通用双晶体管；以及对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元；
其中，所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的栅极分别与PNP型通用双晶体管的集电极连接；所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的漏极分别与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接；所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的源极接地；
所述第二偏置单元的正电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接；所述第二偏置单元的负电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的集电极连接；
所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
在其中一个实施例中，对三级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元；
所述第一偏置单元中的第一三极管的发射极均加载正电压，第一三极管的集电极均加载负电压。
在其中一个实施例中，对所述第一级晶体管放大器进行偏置的为所述第一偏置单元；对所述第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器同时进行偏置的为第二偏置单元；
所述第二偏置单元的正电压输出端与所述第一偏置单元中的第五电阻连接；所述第二偏置单元的负电压输出端与所述第一偏置单元中的第四电阻连接；
所述第二偏置单元中第一组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第二级晶体管放大器的栅极、漏极连接；所述第二偏置单元中第二组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
在其中一个实施例中，还包括多个隔直电容，所述隔直电容串接于相邻两级所述低噪声放大器之间。
上述低噪声放大电路，包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元，其中，对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元，对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；或对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置，就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态，其结构简单、成本低，同时也节约了PCB板的使用面积。
附图说明
图1为一实施例低噪声放大电路的结构框架图；
图2为一实施例中第一偏置单元的电路图；
图3为另一实施例中第一偏置单元的电路图；
图4为一实施例中直流偏置芯片管脚排布图；
图5为一实施例中晶体管放大器的漏极电流-漏极电压特性曲线图；
图6为一实施例中低噪声放大电路的电路图之一；
图7为一实施例中低噪声放大电路的电路图之二；
图8为一实施例中低噪声放大电路的电路图之三；
图9为一实施例中低噪声放大电路的电路图之四。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对实用新型进行更全面的描述。附图中给出了实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一种低噪声放大电路，对接收或将要发送的信号进行放大处理，使其该电路中的总噪声系数小、功率增益高，其低噪声放大电路可以用在Ka波段、Ku波段、X波段中的收发系统中等。
如图1所示的为低噪声放大电路的结构框架图，其中，低噪声放大电路包括级联的多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)以及对每一级低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元110或第二偏置单元120。
对多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中前级低噪声放大器进行偏置的为第一偏置单元110，对多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中后级低噪声放大器进行偏置的为第二偏置单元120，其中，前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器M1，后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器Mn。第二偏置单元120还用于对第一偏置单元110提供偏置电压。或对多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中每一级低噪声放大器进行偏置的均为第一偏置单元110。
在本实施例中，低噪声放大电路应用在收发机的下变频模块(Low Noise Block，LNB)中，通过多级低噪放大器(M1、M2、…、Mn)将接收的Ka波段高频信号放大。其中，低噪声放大器为晶体管放大器，其晶体管放大器采用高电子迁移率晶体管(High ElectronMobility Transistor，HEMT)对高频信号进行放大处理。在其他实施例中，晶体管放大器还可以为异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)、赝晶型高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，pHEMT)、金属-半导体场效应晶体管(Metal-Semiconductor FET)或结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)。
通过多级晶体管放大器(M1、M2、…、Mn)对高频信号进行放大，同时每一级晶体管放大器均设有对应的第一偏置单元110或第二偏置单元120，对晶体管放大器进行偏置，使晶体管放大器处于最佳的工作状态，即漏极电压以及漏极电流工作在最佳状态。同时，第二偏置单元120还可以为第一偏置单元110提供偏置电压，电路设计简单、节省了设计成本以及物料成本，同时又节省了PCB的面积。
其中，噪声系数是低噪声放大器的最重要的参数，多级级联低噪声放大器的噪声系数公式可以为：
NF＝NF1+(NF2-1)/G1+(NF3-1)/(G1*G2)+…
其中，NFn为第n级低噪声放大器的噪声系数(Noise Figure，NF)，Gn为第n级低噪声放大器的增益，从上述公式可以看出，第一级低噪声放大器的噪声及其关键。可见为了使接收机的总噪声系数小，要求各级低噪声放大器的噪声系数小，功率增益高；而各级内部噪声的影响各不相同，级数越靠前，对总噪声系数的影响最大，所以总噪声系数主要取决于最前面几级，这就是接收机要采用高增益低噪声放大器的主要原因。
如图2所示的为一实施例中第一偏置单元的电路图。第一偏置单元110包括第一三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5。第一三极管Q1的基极分别与第一电阻R1、第二电阻R2连接，第一电阻R1的另一端接地，第二电阻R2的另一端与正电压供电端VOUT连接；第一三极管Q1的集电极经第三电阻R3、第四电阻R4与负电压供电端VNEG连接；第一三极管Q1的发射极经第五电阻R5与正电压供电端VOUT连接。晶体管放大器M1的源极接地；晶体管放大器M1的栅极与第三电阻R3、第四电阻R4的公共点连接；晶体管放大器M1的漏极与第一三极管Q1的发射极连接。
通过第一偏置单元110中的第一三极管Q1和电阻，能够为晶体管放大器M1提供需要的正压偏置电压和负压偏置电压，使晶体管放大器M1工作在漏极电压VDS＝2V，IDS＝10mA的最佳工作条件。同时，第一偏置单元110还起到了稳定电流的作用，使晶体管放大器M1获得稳定的直流状态。若晶体管放大器M1的电流因受温度变化的影响而上升时，使得第一三极管Q1的发射极电流变小，于是，第一三极管Q1集电极电流也随之变小。进而使得连接负电压供电端的第一三极管集电极Q1的电压也降低，即降低了晶体管放大器M1的栅极电压，使得晶体管放大器M1的源漏电流IDS降低，从而起到了负反馈的作用，使得晶体管放大器M1获得稳定的直流状态。
如图3所示的为另一实施例中第一偏置单元的电路图。第一偏置单元110还包括第二三极管Q2；第二三极管Q2的发射极经第二电阻R2与正电压供电端VOUT连接，第二三极管Q2的集电极与第二三极管Q2的基极连接；第二三极管Q2的基极分别与第一电阻R1、第一三极管Q1的基极连接。同时设置第二三极管Q2也是起到温度补偿和稳定工作点的作用。
在一实施例中，第一偏置单元110还包括第六电阻R6和第七电阻R7。第七电阻R7串接于第一三极管Q1的发射极与晶体管放大器M1的漏极之间，第六电阻R6串接于第三电阻R3、第四电阻R4的公共点与晶体管放大器M1的栅极之间。在本实施例中，第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7均为可调电阻，可用于调节晶体管放大器的输出的电流值。
在本实施例中，第一三极管Q1、第二三极管均为为PNP型三极管，也可以为NPN型第一三极管，采用的为PNP型第一三极管。在其他实施例中，可根据实际需求，第一三极管Q1、第二三极管均为NPN型三极管，也还可以用MOS管来替代。
由于晶体管放大器M1的源极接地，第一三极管Q1的发射极经第五电阻R5与正电压供电端VOUT连接，其中，正电压供电端VOUT为5伏的正电压供电端，在本实施例中，由第二偏置单元120的正电压输出端为正电压供电端VOUT提供5伏电压。5伏电压经与地的第一电阻R1、第二电阻R2进行分压，分压至第一三极管Q1的基极，为第一三极管Q1的基极偏置。同时，晶体管放大器M1的漏极经过第七电阻R7与第一三极管Q1的发射极连接，获得正压偏置电压，晶体管放大器M1的栅极经第六电阻R6、第四电阻R4与负电压供电端VENG连接，在本实施例中，由第二偏置单元120的负电压输出端为负电压供电端VENG提供-2.5伏电压，获得负压偏置电压。在其他实施例中，第一偏置单元110中的正电压供电端以及负电压供电端的电压还可以通过直流电源来供电，并不限于此。
第二偏置单元120为直流偏置芯片U1，参考图4，直流偏置芯片U1包括多组对应设置的栅极偏置引脚和漏极偏置引脚以及为第一偏置单元110提供电压的正电压输出端VOUT和负电压输出端VENG。其中，漏极偏置引脚D为晶体管放大器的栅极提供正电压、栅极偏置引脚G为晶体管放大器的漏极提供负电压。在本实施例中，直流偏置芯片U1包括四组对应设置的栅极偏置引脚(G1、G2、G3、G4)和漏极偏置引脚(D1、D2、D3、D4)，还有一组为第一偏置单元110提供电压的正电压输出端VOUT和负电压输出端VENG。由于工作在Ka波段的晶体管放大器的漏极电压为2V，栅极一般为负。在本实施例中，直流偏置芯片U1的漏极偏置引脚D输出的正电压为2伏，栅极偏置引脚G的负电压为-0.6伏。
如图5所示的为晶体管放大器的漏极电流-漏极电压特性图，由于每一种晶体管放大器的有着不同的特性曲线，在本实施例中，当晶体管放大器的源极接地、漏极电压为2伏、元漏极电流为10mA时，在此工作条件下的晶体管放大器的栅极电压为-0.6伏。在其他实施例中，可以根据晶体管放大器的实际工作条件，来设定直流偏置电压的具体数值。
在本实施例中，用于卫星信号接收的下变频模块采用三级晶体管放大器进行放大，参考图6，包括三级级联的第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2、第三级晶体管放大器M3。其中，还包括多个隔直电容(C1、C2)，隔直电容串接于相邻两级晶体管放大器之间。每一级晶体管放大器之间通过隔直电容(C1、C2)进行级联，使得每一级的晶体管放大器直流偏置互不影响。
为了使接收机的总噪声系数小，其第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2的噪声系数对接收机的总噪声系数影响较大，参考图5，对第一级晶体管放大器M1进行偏置的为第一偏置单元110、第一偏置单元110’对第二级晶体管放大器M2进行偏置的为第一偏置单元110’。对第三级晶体管放大器M3进行偏置的为第二偏置单元U1。
其中，第二偏置单元U1的正电压输出端VOUT均与第一偏置单元(110、110’)中的第五电阻R5连接；第二偏置单元U1的负电压输出端VNEG均与第一偏置单元(110、110’)中的第四电阻R4连接。第一级晶体管放大器M1的漏极经第一隔直电容C1与第二级晶体管放大器M2的栅极连接。第二偏置单元U1任意一组中栅极偏置引脚G、漏极偏置引脚D分别对应与第三级晶体管放大器M3的栅极、漏极连接。在本实施例中，第二偏置单元U1中的栅极偏置引脚G3与第三级晶体管放大器M3的栅极连接，漏极偏置引脚D3与第三级晶体管放大器M3的漏极连接。第二级晶体管放大器M2的漏极经第二隔直电容C2与第三级晶体管放大器M3的栅极连接。第三级晶体管放大器M3的漏极输出放大的高频信号给其他设备(滤波器等)。
第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2均采用相同的有源直流偏置，通过第一三极管Q1对晶体管放大器进行直流偏置，能够保证第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2的最佳直流工作状态，同时还具有一定的温度稳定性。第三级晶体管放大器M3采用直流偏置芯片U1进行偏置，直流偏置芯片U1直接输出第三级晶体管放大器M3所需的栅极和漏极偏置电压，同时还能够为第一三极管Q1提供正电压和负电压，在满足第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2噪声系数性能较佳的同时，简化了电路设计，降低了PCB面积以及成本。
在其中一实施例中，低噪声放大电路包括对第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2同时进行偏置的PNP型通用双晶体管U2；以及对第三级晶体管放大器M3进行偏置的为第二偏置单元U1。
其中，第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器的栅极M2分别与所述PNP型通用双晶体管U2的集电极连接；第一级晶体管放大器M1、第二晶体管放大器M2的漏极分别与PNP型通用双晶体管U2的发射极连接；第一级晶体管放大器M1、第二级晶体管放大器M2的源极接地。第二偏置单元U1的正电压输出端与PNP型通用双晶体管U2发射极连接；第二偏置单元U1的负电压输出端与PNP型通用双晶体管U2的集电极连接。第二偏置单元U1任意一组中的栅极偏置引脚G、漏极偏置引脚D分别对应与第三级晶体管放大器M3的栅极、漏极连接。也即，可以将对第一级晶体管放大器M1进行偏置的第一偏置单元110、第二级晶体管放大器M2进行偏置第一偏置单元110’中的两个第一三极管(Q1、Q1’)可以集成在一起，形成一个元器件，参考图7，其集成的元器件可以采用一个PNP型通用双晶体管(NXP/PUMT1)来替换，简化了电子元器件的使用，同时也减小了PCB板的使用面积。
在其中一实施例中，参考图8，对三级低噪声放大器中每一级低噪声放大器进行偏置的均为第一偏置单元110，也即，三个第一偏置单元(110、110’、110”)分别对应对三级晶体管放大器(M1、M2、M3)进行偏置。三个第一偏置单元(110、110’、110”)中的第一三极管(Q1、Q1’、Q1”)的发射极均加载正电压，第一三极管(Q1、Q1’、Q1”)的集电极均加载负电压。对三级晶体管放大器(M1、M2、M3)均采用三个分离的第一三极管(Q1、Q1’、Q1”)来进行偏置，可以提供给三级晶体管放大器(M1、M2、M3)最佳的直流工作状态，同时还具有一定的温度稳定性，是接收机的总噪声系数小、功率增益高。其中，三个第一偏置单元(110、110’、110”)中，任意相邻的两个第一三极管均可以用通用双第一三极管(NXP/PUMT1)来替换。
在其中一实施例中，参考图9，对第一级晶体管放大器M1进行偏置的为第一偏置单元110；对第二级晶体管放大器M2、第三级晶体管放大器M3同时进行偏置的为第二偏置单元U1。
其中，第二偏置单元U1的正电压输出端VOUT与第一偏置单元110中的第五电阻R5连接；第二偏置单元U1的负电压输出端VNEG与第一偏置单元110中的第四电阻R4连接。第二偏置单元U1中第一组中栅极偏置引脚G2、漏极偏置引脚D2分别对应与第二级晶体管放大器M2的栅极、漏极连接；第二偏置单元U1中第二组中栅极偏置引脚G3、漏极偏置引脚D3分别对应与第三级晶体管放大器M3的栅极、漏极连接。在另一实施例中，也可以使用第二偏置单元U1对同时对三级级联的晶体管放大器(M1、M2、M3)进行偏置，第二偏置单元U1提供的栅极偏置电压、漏极偏置单元需满足实际需求。通过合理的设置第一三极管和直流偏置芯片U1对三级晶体管放大器进行偏置，可以减小PCB板上电子元器件的使用量，简化了电路设计，降低了PCB板的面积及成本。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，包括级联的多级低噪声放大器、对每一级所述低噪声放大器进行偏置的第一偏置单元或第二偏置单元，其中，
对多级所述低噪声放大器中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元，对多级所述低噪声放大器中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元，其中，所述前级低噪声放大器至少包括第一级低噪声放大器，所述后级低噪声放大器至少包括最后一级低噪声放大器，所述第二偏置单元还用于对所述第一偏置单元提供偏置电压；或
对多级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一偏置单元包括第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；
所述第一三极管的基极分别与所述第一电阻、第二电阻连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的另一端与正电压供电端连接；所述第一三极管的集电极经所述第三电阻、第四电阻与负电压供电端连接；所述第一三极管的发射极经所述第五电阻与所述正电压供电端连接；
所述低噪声放大器为晶体管放大器，所述晶体管放大器的源极接地；所述晶体管放大器的栅极与所述第三电阻、第四电阻的公共点连接；所晶体管放大器的漏极与所述第一三极管的发射极连接。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第一偏置单元还包括第二三极管；所述第二三极管的发射极经所述第二电阻与所述正电压供电端连接，所述第二三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接；所述第二三极管的基极分别与所述第一电阻、第一三极管的基极连接。
4.根据权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述第二偏置单元为直流偏置芯片；
所述直流偏置芯片包括多组对应设置的栅极偏置引脚和漏极偏置引脚；其中，所述漏极偏置引脚为所述晶体管放大器的漏极提供正电压、所述栅极偏置引脚为所述晶体管放大器的栅极提供负电压；以及
还包括为所述第一偏置单元提供电压的正电压输出端和负电压输出端。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路中包括三级级联的第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器。
6.根据权利要求5所述的低噪声放大电路，其特征在于，对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器分别进行偏置的均为所述第一偏置单元；对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元；
其中，所述第二偏置单元的正电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第五电阻连接；所述第二偏置单元的负电压输出端分别与所述第一偏置单元中的第四电阻连接；
所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
7.根据权利要求5所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括对所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器同时进行偏置的PNP型通用双晶体管；以及对所述第三级晶体管放大器进行偏置的为第二偏置单元；
其中，所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的栅极分别与PNP型通用双晶体管的集电极连接；所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的漏极分别与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接；所述第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器的源极接地；
所述第二偏置单元的正电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的发射极连接；所述第二偏置单元的负电压输出端与所述PNP型通用双晶体管的集电极连接；
所述第二偏置单元任意一组中的所述栅极偏置引脚、漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
8.根据权利要求5所述的低噪声放大电路，其特征在于，对三级所述低噪声放大器中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元；
所述第一偏置单元中的第一三极管的发射极均加载正电压，第一三极管的集电极均加载负电压。
9.根据权利要求5所述的低噪声放大电路，其特征在于，对所述第一级晶体管放大器进行偏置的为所述第一偏置单元；对所述第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器同时进行偏置的为第二偏置单元；
所述第二偏置单元的正电压输出端与所述第一偏置单元中的第五电阻连接；所述第二偏置单元的负电压输出端与所述第一偏置单元中的第四电阻连接；
所述第二偏置单元中第一组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第二级晶体管放大器的栅极、漏极连接；所述第二偏置单元中第二组所述栅极偏置引脚、所述漏极偏置引脚分别对应与所述第三级晶体管放大器的栅极、漏极连接。
10.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，还包括多个隔直电容，所述隔直电容串接于相邻两级所述低噪声放大器之间。
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