CN205898926U - 变频器中的可控硅检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种变频器中的可控硅检测电路，包括：检测电路，具有两个检测端和输出端，所述检测电路的两个检测端用于分别耦接于可控硅的两端；信号生成电路，具有电源端、触发端和输出端，所述信号生成电路的电源端耦接于变频器的开关电源的输出端，所述信号生成电路的触发端耦接于检测电路的输出端；其中，当检测电路的两个检测端存在压差时，所述检测电路从其输出端输出相应的触发信号；所述信号生成电路响应于所述触发信号，从其输出端输出相应的检测信号。本实用新型能够在可控硅的工作过程中检测其是否处于正常状态。
Description
技术领域
本实用新型涉及变频器，更具体地说，它涉及变频器中的可控硅检测电路。
背景技术
变频器的驱动模块均由可控硅构成，控制器通过输出不同的PWM信号，并通过驱动电路来驱动可控硅通断来实现对负载的控制。在实际使用中，可控硅可能会出现断路与短路两种情况，使得器件本身处于不可控状态，容易引起负载烧毁等安全事故。因此，对于可控硅的失效检测尤为重要。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种变频器中的可控硅检测电路，能够在可控硅的工作过程中检测其是否处于正常状态。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：
一种变频器中的可控硅检测电路，包括：
检测电路，具有两个检测端和输出端，所述检测电路的两个检测端用于分别耦接于可控硅的两端；
信号生成电路，具有电源端、触发端和输出端，所述信号生成电路的电源端耦接于变频器的开关电源的输出端，所述信号生成电路的触发端耦接于检测电路的输出端；
其中，当检测电路的两个检测端存在压差时，所述检测电路从其输出端输出相应的触发信号；所述信号生成电路响应于所述触发信号，从其输出端输出相应的检测信号。
优选地，所述检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一稳压管、及第一光耦合器以及第二光耦合器；其中，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻依次串联，所述第三电阻的另一端耦接于第一稳压管的阴极，所述第四电阻的一端耦接于第一稳压管的阴极，另一端耦接于第二光耦合器的1脚，第五电阻的一端耦接于第二光耦合器的1脚，另一端耦接于第二光耦合器的2脚，第六电阻的一端耦接于第五电阻的另一端以及第一耦合器的4脚，另一端耦接于第一光耦合器的3脚以及第七电阻的一端，第七电阻的两端分别耦接于第一光耦合器的1脚和2脚，第一稳压管的阳极耦接于第一光耦合器的1脚，第二光耦合器的3脚接地。
优选地，所述信号生成电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一电容以及第二电容；其中，所述第八电阻的一端耦接于第二光耦合器的4脚，另一端与第十一电阻串联后接地，第九电阻的一端耦接于所述开关电源的输出端，另一端耦接于第八电阻的一端，第十电阻与第八电阻并联，第一电容的一端耦接于第九电阻与第八电阻之间，另一端接地，第二电容与第十一电阻并联。
优选地，所述信号生成电路包括：
降压电路，具有输入端和输出端，所述降压电路的输入端耦接于所述开关电源的输出端，用于对开关电源输出的电压进行降压并输出比较电压；
比较电路，具有两个输入端和一个输出端，所述比较电路的两个输入端分别耦接于降压电路和信号生成电路的输出端，并根据比较该比较电压和触发信号输出相应的检测信号。
优选地，所述降压电路包括第十一电阻、第三电容、第四电容、NPN三极管以及第二稳压管；其中，第十一电阻的一端耦接于开关电源的输出端以及NPN三极管的集电极，另一端耦接于NPN三极管的基极；第三电容的正极耦接于开关电源的输出端，另一端接地；第二稳压管的一端耦接于NPN三极管的基极，另一端接地；第四电容的正极耦接于NPN三极管的发射极，另一端接地。
优选地，所述比较电路采用异或门电路。
与现有技术相比，本实用新型的优点是：通过对可控硅两端压差的检测，然后将其压差的变化作为判断其工作状态的依据，进而实现了对可控硅的实时监测。
附图说明
图1为实施例1中可控硅检测电路的电路图；
图2为实施例2中信号生成电路的电路图。
附图标记：100、检测电路；200、信号生成电路；210、降压电路；220、比较电路。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不仅限于此。
实施例1：
参照图1，一种变频器中的可控硅检测电路100，包括检测电路100和信号生成电路200。
检测电路100包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压管Z1、及第一光耦合器U1以及第二光耦合器U2；其中，第二光耦合器U2电阻R1、电阻R2、电阻R3依次串联，第二光耦合器U2电阻R3的另一端耦接于稳压管Z1的阴极，第二光耦合器U2电阻R4的一端耦接于稳压管Z1的阴极，另一端耦接于第二光耦合器U2的1脚，电阻R5的一端耦接于第二光耦合器U2的1脚，另一端耦接于第二光耦合器U2的2脚，电阻R6的一端耦接于电阻R5的另一端以及第一耦合器的4脚，另一端耦接于第一光耦合器U1的3脚以及电阻R7的一端，电阻R7的两端分别耦接于第一光耦合器U1的1脚和2脚，稳压管Z1的阳极耦接于第一光耦合器U1的1脚，第二光耦合器U2的3脚接地。因此，当电阻R1和电阻R7的端部分别作为检测电路100的两个检测端（JT1、JT2），并用于耦接至被测的可控硅的两端。当被测的可控硅处于导通状态时，JT1、JT2之间无压差，使得第一光耦合器U1与第二光耦合器U2均处于断开状态，进而使得第二光耦合器U2的4脚不接地。反之，当被测的可控硅处于断开状态时，JT1、JT2之间有压差，使得第一光耦合器U1与第二光耦合器U2均处于导通状态，进而使得第二光耦合器U2的4脚接地。
信号生成电路200包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C1以及电容C2；其中，第二光耦合器U2电阻R8的一端耦接于第二光耦合器U2的4脚，另一端与电阻R11串联后接地，电阻R9的一端耦接于第二光耦合器U2开关电源的输出端，另一端耦接于电阻R8的一端，电阻R10与电阻R8并联，电容C1的一端耦接于电阻R9与电阻R8之间，另一端接地，电容C2与电阻R11并联。因此，开关电源的输出电压（直流）经过滤波、分压后，转换为检测信号Vk，当检测电路100的输出信号为低电平时，即第二光耦合器U2的4脚接地，便会使得检测信号Vk变为低电平；反之，当第二光耦合器U2的4脚不接地，检测信号Vk为高电平。
因此，通过以上设置，检测信号Vk可直接输入到变频器的主控芯片中，主控芯片可将检测信号Vk的电平变化情况作为判断相应可控硅是否正常的依据。
实施例2：
本实施例与实施例1的不同之处在于，参照图2，信号生成电路200包括降压电路210和比较电路220。其中，降压电路210包括电阻R11、电容C3、电容C4、NPN三极管Q1以及稳压管Z2；其中，电阻R11的一端耦接于开关电源的输出端以及NPN三极管Q1的集电极，另一端耦接于NPN三极管Q1的基极；电容C3的正极耦接于开关电源的输出端，另一端接地；稳压管Z2的一端耦接于NPN三极管Q1的基极，另一端接地；电容C4的正极耦接于NPN三极管Q1的发射极，另一端接地。比较电路220采用异或门电路N1，异或门电路N1的一个输入端耦接于电容C4的正极，另一个输入端耦接于VCC电压以及第二光耦合器的4脚。因此，开关电源的输出电压（直流）被降压电路210进行一次降压后，转换为5V或3.3V电压输入到异或门电路N1的一个输入端。同时，当检测电路100的输出信号为低电平时，即第二光耦合器U2的4脚接地，便会使得检测信号Vk变为高电平；反之，当第二光耦合器U2的4脚不接地，检测信号Vk为低电平。
Claims (6)
1.一种变频器中的可控硅检测电路，其特征是，包括：
检测电路，具有两个检测端和输出端，所述检测电路的两个检测端用于分别耦接于可控硅的两端；
信号生成电路，具有电源端、触发端和输出端，所述信号生成电路的电源端耦接于变频器的开关电源的输出端，所述信号生成电路的触发端耦接于检测电路的输出端；
其中，当检测电路的两个检测端存在压差时，所述检测电路从其输出端输出相应的触发信号；所述信号生成电路响应于所述触发信号，从其输出端输出相应的检测信号。
2.根据权利要求1所述的变频器中的可控硅检测电路，其特征是，所述检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一稳压管、及第一光耦合器以及第二光耦合器；其中，所述第一电阻、第二电阻、第三电阻依次串联，所述第三电阻的另一端耦接于第一稳压管的阴极，所述第四电阻的一端耦接于第一稳压管的阴极，另一端耦接于第二光耦合器的1脚，第五电阻的一端耦接于第二光耦合器的1脚，另一端耦接于第二光耦合器的2脚，第六电阻的一端耦接于第五电阻的另一端以及第一耦合器的4脚，另一端耦接于第一光耦合器的3脚以及第七电阻的一端，第七电阻的两端分别耦接于第一光耦合器的1脚和2脚，第一稳压管的阳极耦接于第一光耦合器的1脚，第二光耦合器的3脚接地。
3.根据权利要求2所述的变频器中的可控硅检测电路，其特征是，所述信号生成电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一电容以及第二电容；其中，所述第八电阻的一端耦接于第二光耦合器的4脚，另一端与第十一电阻串联后接地，第九电阻的一端耦接于所述开关电源的输出端，另一端耦接于第八电阻的一端，第十电阻与第八电阻并联，第一电容的一端耦接于第九电阻与第八电阻之间，另一端接地，第二电容与第十一电阻并联。
4.根据权利要求2所述的变频器中的可控硅检测电路，其特征是，所述信号生成电路包括：
降压电路，具有输入端和输出端，所述降压电路的输入端耦接于所述开关电源的输出端，用于对开关电源输出的电压进行降压并输出比较电压；
比较电路，具有两个输入端和一个输出端，所述比较电路的两个输入端分别耦接于降压电路和信号生成电路的输出端，并根据比较该比较电压和触发信号输出相应的检测信号。
5.根据权利要求4所述的变频器中的可控硅检测电路，其特征是，所述降压电路包括第十一电阻、第三电容、第四电容、NPN三极管以及第二稳压管；其中，第十一电阻的一端耦接于开关电源的输出端以及NPN三极管的集电极，另一端耦接于NPN三极管的基极；第三电容的正极耦接于开关电源的输出端，另一端接地；第二稳压管的一端耦接于NPN三极管的基极，另一端接地；第四电容的正极耦接于NPN三极管的发射极，另一端接地。
6.根据权利要求4或5所述的变频器中的可控硅检测电路，其特征是，所述比较电路采用异或门电路。
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