CN205882158U - 高隔离度双极化全向天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及天线技术的领域，提供高隔离度双极化全向天线，包括辐射振子和介质基板，辐射振子包括上部和下部，下部的内腔中设有金属片，金属片与下部之间通过介质片绝缘，金属片电性连接有第一同轴电缆，第一同轴电缆、金属片、介质片和下部之间形成垂直极化辐射，介质基板固定于上部上，介质基板电性连接有第二同轴电缆，第二同轴电缆、介质基板与上部之间形成水平极化辐射。由第一同轴电缆传导而来的通信信号将可通过该垂直极化辐射发射出去，同时，由第二同轴电缆传导而来的通信信号将可通过水平极化辐射发射出去，因此，上述高隔离度双极化全向天线通过一个辐射振子和一个介质基板，便可实现垂直方向和水平方向的极化辐射，即实现全向极化辐射，其零部件少，组装简单，成本低，且提高了隔离度。

Description

高隔离度双极化全向天线

技术领域

本实用新型属于天线技术的领域，尤其涉及高隔离度双极化全向天线。

背景技术

随着4G移动技术的迅速普及，移动用户数量不断增加，相应的，用户对于通信资源的需求也在不断增加。然而，通信频段资源有限，在家里、办公室、地下室、商城或广场中，单位面积内，移动设备的数量越来越多，而且，高楼大厦对信号的屏蔽、干扰作用不断增强，因此，通信系统于区域内的容量及抗干扰能力也有了更高的要求。如何在保证通信质量的同时，能够满足更多移动用户的通信需求，是通信发展需要解决的重要问题。作为室内覆盖系统的双极化全向天线得到广泛应用，其不仅能够降低呼损，减少干扰，还能够显著提高通信系统的容量。

现有常见的双极化全向天线结构为：如中国公告号为CN201859942U的专利文件中，公开了一种双极化全向吸顶天线，其采用上锥振子、介质基板和下锥振子上下依次排列，上锥振子和下锥振子分别与馈电同轴电缆的芯线和外导体连接，构成垂直方向极化的全向天线；另外一根馈电同轴电缆的外导体与介质基板上的对称振子相连，馈电同轴电缆的芯线与馈电巴伦相连，对称振子在水平介质基板上组成均匀的圆环阵列，各对称振子分别和微带线功分板连接，构成水平方向极化的全向天线。

然而现有技术仍存在这样的问题：其需要采用两个锥形振子方能实现双极化全向辐射，因此，其零部件多，组装复杂，成本高，且隔离度不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供高隔离度双极化全向天线，旨在解决现有双极化全向天线零部件多、组装复杂、成本高以及隔离度不高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了高隔离度双极化全向天线，包括具有内腔且上端开口的辐射振子和设于所述辐射振子上端且布置有馈电电路的介质基板，所述辐射振子包括上部和与所述上部连接的下部，所述下部的内腔中设有金属片，所述金属片与所述下部之间通过介质片绝缘，所述金属片电性连接有贯穿所述下部的第一同轴电缆，所述第一同轴电缆、所述金属片、所述介质片和所述下部之间形成垂直极化辐射，所述介质基板固定于所述上部上，所述介质基板电性连接有第二同轴电缆，所述第二同轴电缆、所述介质基板与所述上部之间形成水平极化辐射。

进一步地，所述上部的上端形成水平折弯，所述介质基板固定于所述水平折弯上。

进一步地，所述上部由至少二裙部围合而成，相邻两所述裙部之间存在间隔，每一所述裙部的上端分别形成有所述水平折弯，每一所述裙部的下端分别与所述下部连接。

进一步地，所述裙部的形状呈由上往下渐缩的梯状，所述下部的形状呈锥状。

进一步地，所述裙部和所述水平折弯均开设有缝隙，所述缝隙贯穿所述水平折弯并于所述裙部上由上往下延伸。

进一步地，所述缝隙的形状呈直线状。

进一步地，所述馈电电路包括分别设于所述介质基板正反面的正面电路和背面电路，所述正面电路与所述第二同轴电缆电性连接，所述背面电路与所述水平折弯上的所述缝隙接触。

进一步地，所述正面电路包括至少二于所述介质基板正面上均匀分布的正辐射单元，所述背面电路包括至少二于所述介质基板背面上均匀分布的背辐射单元。

进一步地，所述正辐射单元的形状呈U状，多个所述正辐射单元关于所述第二同轴电缆于所述介质基板上的连接点中心对称。

进一步地，所述背辐射单元的形状呈“丄”状，多个所述背辐射单元关于所述第二同轴电缆于所述介质基板上的连接点中心对称。

本实用新型提供的高隔离度双极化全向天线的有益效果：

上述高隔离度双极化全向天线中，由于第一同轴电缆与辐射振子内腔中的金属片电性连接，并且，金属片与辐射振子的下部之间通过介质片绝缘，这样，第一同轴电缆和金属片将通过介质片与下部之间形成垂直极化辐射，由第一同轴电缆传导而来的通信信号将可通过该垂直极化辐射发射出去；同时，第二同轴电缆与介质基板电性连接，且第二同轴电缆、介质基板与上部之间形成水平极化辐射，这样，由第二同轴电缆传导而来的通信信号将可通过该水平极化辐射发射出去，因此，上述高隔离度双极化全向天线通过一个辐射振子和一个介质基板，便可实现垂直方向和水平方向的极化辐射，即实现全向极化辐射，相比较现有两个锥形振子的方式而言，其零部件少，组装简单，成本低，且提高了隔离度，增强了天线的性能，满足市场的需求。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的侧视图；

图2是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的辐射振子的俯视图；

图4是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的辐射振子的展开图；

图5是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的介质基板的仰视图；

图6是本实用新型实施例提供的高隔离度双极化全向天线的介质基板的俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1～6所示，为本实用新型提供的较佳实施例。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

还需要说明的是，本实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。

如图1和图2所示，本实施例提供的高隔离度双极化全向天线10，包括具有内腔且上端开口的辐射振子1和设于辐射振子1上端且布置有馈电电路的介质基板2，辐射振子1包括上部11和与上部11连接的下部12，下部12的内腔中设有金属片3，金属片3与下部12之间通过介质片4绝缘，金属片3电性连接有贯穿下部12的第一同轴电缆5，第一同轴电缆5、金属片3、介质片4和下部12之间形成垂直极化辐射，介质基板2固定于上部11上，介质基板2电性连接有第二同轴电缆6，第二同轴电缆6、介质基板2与上部11之间形成水平极化辐射。

如图1和图2所示，上述高隔离度双极化全向天线10中，由于第一同轴电缆5与辐射振子1内腔中的金属片3电性连接，并且，金属片3与辐射振子1的下部12之间通过介质片4绝缘，这样，第一同轴电缆5和金属片3将通过介质片4与下部12之间形成垂直极化辐射，由第一同轴电缆5传导而来的通信信号将可通过该垂直极化辐射发射出去；同时，第二同轴电缆6与介质基板2电性连接，且第二同轴电缆6、介质基板2与上部11之间形成水平极化辐射，这样，由第二同轴电缆6传导而来的通信信号将可通过该水平极化辐射发射出去，因此，上述高隔离度双极化全向天线10通过一个辐射振子1和一个介质基板2，便可实现垂直方向和水平方向的极化辐射，即实现全向极化辐射，相比较现有两个锥形振子的方式而言，其零部件少，组装简单，成本低，且提高了隔离度，增强了天线的性能，满足市场的需求。

具体地，介质基板2与辐射振子1电性连接，从而使得水平极化辐射的信号和垂直极化辐射的信号可相互耦合。

如图1和图2所示，而为了使得介质基板2与辐射振子1的连接更加稳固，上部11的上端形成水平折弯111，介质基板2固定于水平折弯111上。细化地，介质基板2可以通过铆钉紧固在振子上。

如图1至图4所示，为了便于辐射振子1的工艺制造，上部11由至少二裙部112围合而成，相邻两裙部112之间存在间隔，每一裙部112的上端分别形成有水平折弯111，每一裙部112的下端分别与下部12连接。具体地，辐射振子1的上部11和下部12一体成型，即每一裙部112均由一次加工便可成型。需要补充的是，辐射振子1可由钣金折弯成型，其工艺过程简单，成本低。

细化地，为了提高辐射振子1的隔离度，裙部112的形状呈由上往下渐缩的梯状，下部12的形状呈锥状。

如图1至图4所示，由于水平极化辐射的信号和垂直极化辐射的信号可通过辐射振子1相互耦合，因此，为了提高水平和垂直双向通道的隔离度，裙部112和水平折弯111均开设有缝隙113，而为了便于通过调节缝隙113的形状和长度，来增加水平和垂直双向通道的隔离度，缝隙113贯穿水平折弯111并于裙部112上由上往下延伸。

具体地，缝隙113的形状呈直线状。当然，缝隙113的形状还可以是由上往下延伸的曲线状等，其他实施例中，缝隙113的形状并不仅限于此。

如图2、图3、图5和图6所示，为了更好地实现介质基板2与第二同轴电缆6、辐射振子1的电性连接，馈电电路包括分别设于介质基板2正反面的正面电路21和背面电路22，正面电路21与第二同轴电缆6电性连接，背面电路22与水平折弯111上的缝隙113接触。这样，第二同轴电缆6将与正面电路21形成水平极化的信号辐射，而背面电路22与水平折弯111上的缝隙113接触，又使得水平极化辐射的信号和垂直极化辐射的信号的相互耦合。

如图5和图6所示，为了更便于水平方向的信号辐射，正面电路21包括至少二于介质基板2正面上均匀分布的正辐射单元211，背面电路22包括至少二于介质基板2背面上均匀分布的背辐射单元221。

如图6所示，为了更便于正辐射单元211于水平方向上进行全向信号辐射，正辐射单元211的形状呈U状，多个正辐射单元211关于第二同轴电缆6于介质基板2上的连接点中心对称。

如图5所示，为了更便于背辐射单元221与辐射振子1的信号耦合，背辐射单元221的形状呈“丄”状，多个背辐射单元221关于第二同轴电缆6于介质基板2上的连接点中心对称。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.高隔离度双极化全向天线，其特征在于，包括具有内腔且上端开口的辐射振子和设于所述辐射振子上端且布置有馈电电路的介质基板，所述辐射振子包括上部和与所述上部连接的下部，所述下部的内腔中设有金属片，所述金属片与所述下部之间通过介质片绝缘，所述金属片电性连接有贯穿所述下部的第一同轴电缆，所述第一同轴电缆、所述金属片、所述介质片和所述下部之间形成垂直极化辐射，所述介质基板固定于所述上部上，所述介质基板电性连接有第二同轴电缆，所述第二同轴电缆、所述介质基板与所述上部之间形成水平极化辐射。

2.如权利要求1所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述上部的上端形成水平折弯，所述介质基板固定于所述水平折弯上。

3.如权利要求2所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述上部由至少二裙部围合而成，相邻两所述裙部之间存在间隔，每一所述裙部的上端分别形成有所述水平折弯，每一所述裙部的下端分别与所述下部连接。

4.如权利要求3所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述裙部的形状呈由上往下渐缩的梯状，所述下部的形状呈锥状。

5.如权利要求3所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述裙部和所述水平折弯均开设有缝隙，所述缝隙贯穿所述水平折弯并于所述裙部上由上往下延伸。

6.如权利要求5所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述缝隙的形状呈直线状。

7.如权利要求5所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述馈电电路包括分别设于所述介质基板正反面的正面电路和背面电路，所述正面电路与所述第二同轴电缆电性连接，所述背面电路与所述水平折弯上的所述缝隙接触。

8.如权利要求7所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述正面电路包括至少二于所述介质基板正面上均匀分布的正辐射单元，所述背面电路包括至少二于所述介质基板背面上均匀分布的背辐射单元。

9.如权利要求8所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述正辐射单元的形状呈U状，多个所述正辐射单元关于所述第二同轴电缆于所述介质基板上的连接点中心对称。

10.如权利要求8所述的高隔离度双极化全向天线，其特征在于，所述背辐射单元的形状呈“丄”状，多个所述背辐射单元关于所述第二同轴电缆于所述介质基板上的连接点中心对称。