CN205830009U - 磁路系统以及扬声器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种磁路系统以及扬声器。该磁路系统包括：内磁结构，其包括底部、侧壁以及由底部和侧壁包围形成的具有一个敞开端的容纳腔；以及磁性组件，其设于容纳腔，包括由底部向敞开端的方向依次设置的第一磁体、华司组件和第二磁体；其中，第一磁体的靠近侧壁的一侧设置有第一短路环，华司组件的靠近侧壁的一侧设置有第二短路环，第二磁体的靠近侧壁的一侧设置有第三短路环，磁性组件与侧壁之间设置有磁间隙。该扬声器设置有上述磁路系统。本实用新型所要解决的一个技术问题是现有磁路系统易导致扬声器低频失真大。实用新型的一个用途是用于扬声器系统。
Description
技术领域
本实用新型涉及声能转换技术领域，更具体地，本实用新型涉及一种磁路系统以及扬声器。
背景技术
目前，扬声器的磁路系统由U铁、磁铁和华司三部分组成。一般情况下，磁路系统不设置短路环。即便有短路环，也是将一个铜短路环安装在华司上。在无短路环的扬声器中，由于音圈振动时产生大量反电动势，导致扬声器在低频端失真较大；同时，由于扬声器的磁路系统的不对称性，音圈向上位移和向下位移时，铁芯效应导致音圈电感的不对称性，导致失真。在铜短路环安装在华司或T铁极芯的扬声器中，由于需要增大磁路磁缝隙，导致磁路系统的性能和效率降低，且成本较高。这两种扬声器，使用时，存在低频失真较大、效率低的问题。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种具有三个短路环的磁路系统，以解决现有磁路系统易导致扬声器低频失真大的技术问题。
根据本实用新型的一个方面，提供一种磁路系统。该磁路系统包括：
内磁结构，其包括底部、侧壁以及由所述底部和所述侧壁包围形成的具有一个敞开端的容纳腔；以及
磁性组件，其设于所述容纳腔，包括由所述底部向所述敞开端的方向依次设置的第一磁体、华司组件和第二磁体；其中，所述第一磁体的靠近所述侧壁的一侧设置有第一短路环，所述华司组件的靠近所述侧壁的一侧设置有第二短路环，所述第二磁体的靠近所述侧壁的一侧设置有第三短路环，所述磁性组件与所述侧壁之间设置有磁间隙。
优选地，所述底部的中部设置有连通容纳腔与外部空间的第一通孔，所述磁性组件设置有与所述第一通孔的位置相对应的贯穿其内部的通道。
优选地，由所述底部向所述敞开端的方向延伸形成凸台，所述凸台的外径等于所述第一短路环的内径，所述第一短路环插入所述凸台与所述内磁结构的侧壁之间的间隙。
优选地，所述华司组件包括相接触的第一华司和第二华司。
优选地，所述第一华司的第一端设置有第一环形槽，所述第二华司的第二端设置有与所述第一环形槽的结构相匹配的第二环形槽；
所述第一端与所述第二端相接触，所述第二短路环套设于所述第一环形槽与所述第二环形槽之间。
优选地，所述华司组件的外径大于等于所述第一短路环和所述第三短路环的外径。
优选地，所述内磁结构的侧壁设置有第二通孔。
优选地，所述第一短路环、所述第二短路环和/或所述第三短路环的材质为铜或者铝。
优选地，所述第一磁体和/或所述第二磁体为铁氧体磁铁或者钕铁硼磁铁。
本实用新型的另一个目的是提供一种声音效果好，尤其是低频效果好的扬声器。
根据本实用新型的另一个方面，提供一种扬声器。该扬声器包括振动系统和本实用新型提供的所述磁路系统，所述振动系统与所述磁路系统相配合，以振动发声。
本实用新型的一个技术效果在于，该磁路系统包括三个短路环，其中，第一短路环套设于第一磁体，第二短路环套设于华司组件，第三短路环套设于第二磁体。第一短路环和第三短路环可以有效地降低扬声器系统的低频失真；第二短路环可以有效地解决扬声器系统的高频延展性和高频失真的技术问题，并提高扬声器中、高频的灵敏度和扬声器的效率。该扬声器具有低频失真小，瞬态响应效果好，声音效果好的特点。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1本实用新型实施例的磁路系统的剖视图；
图2本实用新型实施例的扬声器的剖视图。
图中，1：U铁；101：底部；102：侧壁；103：磁间隙；2：第一短路环；3：第一磁体；4：第一华司；5：第二短路环；6：第二华司；7：音圈；8：夹板；9：第三短路环；10：第二磁体；11：第一通孔；12：通道；13：第二通孔；14：第一环形槽；15：第二环形槽；16：凸台；17：盆架；18：弹波；19：振膜；20：防尘罩。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本实用新型提供了一种磁路系统。参照图1，该磁路系统包括：内磁结构和磁性组件。其中，内磁结构可以是U铁1或者内磁铁(未示出)。内磁结构包括底部101、侧壁102以及由底部101和侧壁102包围形成的具有一个敞开端的容纳腔。磁性组件设置于容纳腔内，其包括：第一磁体3、华司组件、第二磁体10、第一短路环2、第二短路环5和第三短路环9。第一磁体3、华司组件和第二磁体10由内磁结构的底部向敞开端的方向依次设置。
在本实用新型中，第一磁体3的靠近侧壁的一侧设置有第一短路环2，华司组件的靠近侧壁的一侧设置有第二短路环5，第二磁体10的靠近侧壁的一侧设置有第三短路环9，磁性组件与侧壁之间设置有磁间隙103，以容纳音圈7。通常情况下，容纳腔的横截面通常为圆形或者矩形，相对应地，磁性组件的轮廓也为圆形或者矩形。U铁1的敞开端的外侧还设置有夹板8，该夹板8用于与弹波18连接。第一磁体3、华司组件、第二磁体10、第一短路环2、第二短路环5和第三短路环9的尺寸可以根据实际需要进行选择，只要能提供稳定的磁场即可，本实用新型对此不做限定。
安装时，先将第一短路环2套设于第一磁体3，将第二短路环5套设于华司组件，将第三短路环9套设于第二磁体10，为了保证连接的稳定，可以采用粘接的方式将短路环和与其套设的元件进行连接；然后，将第一磁体3与华司组件的下表面粘接，再将华司组件的上表面与第二磁体10粘接；最后，将组装好的磁性组件放入容纳腔内。当然，磁性组件的各个元件的组装顺序可以根据实际情况进行选择，只要能保证结构的稳定并形成设定的强度的磁场即可，本实用新型对此不做限定。
为了提高磁路系统的散热性能以及减小扬声器使用时风噪的产生，在本实用新型的一种优选的实施方式中，参照图1，U铁1的底部101设置有第一通孔11。磁性组件设置有与第一通孔11的位置相对应的贯穿的通道12。通道12与第一通孔11连通，该结构可以增大磁路系统与外界的接触面积，易形成对流，使热空气迅速扩散。同时，该结构还可以有效降低风噪的产生。
进一步地，第一通孔11设置在底部的中央位置。相对应地，第一磁体3、华司组件和第二磁体10的中央位置分别设置有孔道。三个元件的孔道连通形成通道12，该通道12的位置与第一通孔11相对应。第一通孔11和通道12的尺寸可以根据实际需要进行选择，只要能满足热空气的快速扩散以及降低风噪即可，本实用新型对此不做限定。
更进一步地，为了使磁路系统的散热效果更佳，U铁1的侧壁设置有第二通孔13。第二通孔13可以设置多个，优选的实施方式是，多个第二通孔13位于多排，且均匀分布于各排。这种设置方式更有利于热空气向外扩散，进一步提高了磁路系统的散热性能。第二通孔13的尺寸可以根据需要进行选择，只要能满足热空气的扩散要求即可，本实用新型对此不做限定。
为了便于安装并使第一短路环2的位置固定，在本实用新型的一种优选的实施方式中，参照图1，由底部向敞开端的方向延伸形成凸台16，凸台16的外径等于第一短路环2的内径。第一短路环2插入凸台16与U铁1的侧壁之间的间隙，以固定第一短路环2的位置。
为了优化磁路并使第二短路环5安装方便，在本实用新型的一个优选的实施方式中，参照图1，华司组件包括相接触的第一华司4和第二华司6。进一步地，第一华司4的第一端设置有第一环形槽14，第二华司6的第二端设置有与所述第一环形槽14的结构相匹配的第二环形槽15。第一端与第二端相接触，第二短路环5套设于第一环形槽14与第二环形槽15之间。2个华司可使磁场的方向性更强，并且第二短路环5的位置被固定在第一环形槽14与第二环形槽15之间，可避免第二短路环5的移动而带来的磁场不稳定，降低了噪音。
进一步地，为了固定第一短路环2与第三短路环9的位置，在本实用新型的一种优选的实施方式中，参照图1，华司组件的外径大于等于第一短路环2和第三短路环9的外径。由于华司组件位于第一磁体3与第二磁体10之间，且第一短路环2套设于第一磁体3，第三短路环9套设于第二磁体10，因此，华司组件可以限制第一短路环2的向上移动，并可以限制第三短路环9向下移动。第一短路环2和第三短路环9位置的固定，可以避免第一短路环2和第三短路环9的移动而带来的磁场不稳定，降低了噪音。
考虑到原料来源的广泛性，在本实用新型的一种优选的实施方式中，第一短路环2、第二短路环5和/或第三短路环9的材质为铜或者铝。进一步地，第一磁体3和/或第二磁体10为铁氧体磁铁或者钕铁硼磁铁。当然，短路环也可以为其他材质，如镍合金等，只要能起到纯电感电路的作用即可，本实用新型对此不做限定。同样地，第一磁体3与第二磁体10也可以采用其他磁铁，如铝镍钴磁铁或者铁铬钴磁铁，本实用新型对此不做限定。
本实用新型提供的磁路系统包括三个短路环，其中，第一短路环2套设于第一磁体3，第二短路环5套设于华司组件，第三短路环9套设于第二磁体10。第一短路环2和第三短路环9可以有效地降低扬声器系统的低频失真；第二短路环5可以有效地解决扬声器系统的高频延展性和高频失真的技术问题，并提高扬声器中、高频的灵敏度和扬声器的效率。
本实用新型还提供了一种扬声器，参照图2，该扬声器为超重低音大振幅的扬声器。该扬声器包括振动系统和本实用新型提供的磁路系统，振动系统与磁路系统相配合以振动发声。
该磁路系统包括：U铁1和磁性组件。其中，U铁1包括设置有一个敞开端的容纳腔，磁性组件设于容纳腔内。磁性组件包括：第一磁体3、华司组件、第二磁体10、第一短路环2、第二短路环5和第三短路环9。第一磁体3、华司组件和第二磁体10由U铁1的底部向敞开端的方向依次设置。此外，第一短路环2套设于第一磁体3；第二短路环5套设于华司组件；第三短路环9套设于所述第二磁体10。通常情况下，容纳腔的横截面通常为圆形，相对应地，磁性组件也为圆形的轮廓。磁性组件与U铁1之间设置有磁间隙103，以容纳音圈7。音圈7的另一端固定连接于弹波18和振膜19。U铁1的敞开端的外侧还设置有夹板8，该夹板8用于与盆架17连接。弹波18可以防止振动时出现偏振，以起到保护振动系统的作用。此外，振膜19的中部还设置有覆盖音圈7的防尘罩20。
工作时，音圈7接收音频电流，在磁间隙103中，音圈7就会受到一个大小与音频电流成正比、方向随音频电流变化而变化的力，从而产生音频振动，音圈7带动振膜19振动，迫使周围空气发出声波。
本实用新型提供的扬声器，其第一短路环2和第三短路环9可以有效地降低扬声器系统的低频失真；第二短路环5可以有效地解决扬声器系统的高频延展性和高频失真的技术问题，并提高扬声器中、高频的灵敏度和扬声器的效率。该扬声器具有低频失真小，瞬态响应效果好，声音效果好的特点。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种磁路系统，其特征在于，包括：
内磁结构，其包括底部(101)、侧壁(102)以及由所述底部(101)和所述侧壁(102)包围形成的具有一个敞开端的容纳腔；以及
磁性组件，其设于所述容纳腔，包括由所述底部(101)向所述敞开端的方向依次设置的第一磁体(3)、华司组件和第二磁体(10)；其中，所述第一磁体(3)的靠近所述侧壁(102)的一侧设置有第一短路环(2)，所述华司组件的靠近所述侧壁(102)的一侧设置有第二短路环(5)，所述第二磁体(10)的靠近所述侧壁(102)的一侧设置有第三短路环(9)，所述磁性组件与所述侧壁之间设置有磁间隙(103)。
2.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，所述底部的中部设置有连通容纳腔与外部空间的第一通孔(11)，所述磁性组件设置有与所述第一通孔(11)的位置相对应的贯穿其内部的通道(12)。
3.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，由所述底部向所述敞开端的方向延伸形成凸台(16)，所述凸台(16)的外径等于所述第一短路环(2)的内径，所述第一短路环(2)插入所述凸台(16)与所述内磁结构(1)的侧壁之间的间隙。
4.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，所述华司组件包括相接触的第一华司(4)和第二华司(6)。
5.根据权利要求4所述的磁路系统，其特征在于，所述第一华司(4)的第一端设置有第一环形槽(14)，所述第二华司(6)的第二端设置有与所述第一环形槽(14)的结构相匹配的第二环形槽(15)；
所述第一端与所述第二端相接触，所述第二短路环(5)套设于所述第一环形槽(14)与所述第二环形槽(15)之间。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的磁路系统，其特征在于，所述华司组件的外径大于等于所述第一短路环(2)和所述第三短路环(9)的外径。
7.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，所述内磁结构(1)的侧壁(102)设置有第二通孔(13)。
8.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，所述第一短路环(2)、所述第二短路环(5)和/或所述第三短路环(9)的材质为铜或者铝。
9.根据权利要求1所述的磁路系统，其特征在于，所述第一磁体(3)和/或所述第二磁体(10)为铁氧体磁铁或者钕铁硼磁铁。
10.一种扬声器，其特征在于，所述扬声器包括振动系统和如权利要求1-9中的任一项所述的磁路系统，所述振动系统与所述磁路系统相配合。
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