CN205692840U - 背面带有标记的太赫兹肖特基二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记，区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。

Description

背面带有标记的太赫兹肖特基二极管

技术领域

本实用新型涉及肖特基二极管技术领域，尤其涉及一种方便倒装焊接时区分二极管的阴极和阳极的太赫兹肖特基二极管。

背景技术

太赫兹（THz）波是指频率在 0.3-3THz范围内的电磁波，广义的太赫兹波频率是指100GHz到10THz，其中 1THz=1000GHz。THz波在电磁波频谱中占有很特殊的位置，THz技术是国际科技界公认的一个非常重要的交叉前沿领域。

在THz频率低端范围内，通常采用半导体器件倍频方法获得固态源。该方法是将毫米波通过非线性半导体器件倍频至THz频段，具有结构紧凑、易于调节、寿命长，波形可控，常温工作等优点。目前短波长亚毫米波、THz固态源主要依靠倍频的方式获得。利用肖特基二极管器件实现高效倍频不仅电路结构简单、倍频效率较高，还兼有振荡源具有的较高输出功率、倍频放大链高频率稳定度、低相位噪声的优点；同时肖特基二极管器件可稳定工作于30GHz~3000GHz整个毫米波及亚毫米波频段。目前先进的变容二极管（RAL和VDI等研究机构生产）已经可以工作于3.1THz，具有良好的连续波功率和效率。因此肖特基二极管高效倍频技术非常适于高性能的毫米波、亚毫米波、THz系统，是一种极具研究、应用价值的THz频率源技术。由于具有极小的结电容和串联电阻，高的电子漂移速度，平面GaAs肖特基二极管已经在THz频段上得到了广泛的应用，是THz技术领域中核心的固态电子器件。

目前常用的GaAs基太赫兹肖特基二极管，主要有两种形式，一种是没有梁式引线的肖特基二极管，还有一种是带有梁式引线的肖特基二极管，一般情况下伸出两端的梁式引线长度是相同的。针对有相同长度梁式引线的二极管来说，或者是针对没有梁式引线的二极管来说，在二极管的使用过程中，二极管需要倒装焊接，以减小电感等高频寄生参量。在倒装焊接的时候，例如在平衡式基波混频器的应用当中，需要两支甚至四支肖特基二极管单管，在装配的时候，由于只能看到二极管的背面，不能区分肖特基二极管的阳极和阴极，导致装配失败，需要将肖特基二极管全部挑掉，更换新的肖特基二极管。由于从背面无法辨识二极管的阴极阳极，导致工艺难度增加，在一定程度上导致了器件的浪费，造成了科研成本的增加。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，通过在衬底的背面上制作标记，区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，其特征在于：所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。

进一步的技术方案在于：所述标记位于所述二极管本体的阳极侧，用于指示所述二极管本体正面的阳极位置。

进一步的技术方案在于：所述标记位于所述二极管本体的阴极侧，用于指示所述二极管本体正面的阴极位置。

进一步的技术方案在于：所述标记位于二极管本体背面的中部，通过标记的走向指示所述二极管本体的阳极或阴极的位置。

进一步的技术方案在于：所述二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，所述GaAs衬底的上表面设有钝化层，所述钝化层为两个连续的环状结构，每个环状结构内的GaAs衬底的上表面设有重掺杂GaAs层，每个重掺杂GaAs层的上表面为台阶状，每个重掺杂GaAs层的上表面设有欧姆接触金属层和低掺杂GaAs层，且所述低掺杂GaAs层位于所述二极管本体的内侧，每个欧姆接触金属层的上表面设有一个金属加厚层，其中的一个低掺杂GaAs层的上表面设有一个肖特基接触金属层，所述金属加厚层以及肖特基接触金属层的侧面环绕有二氧化硅层，其中位于另一个低掺杂GaAs层侧的金属加厚层与所述肖特基接触金属层电连接。

进一步的技术方案在于：所述钝化层的制作材料为二氧化硅、氮化硅或金刚石。

进一步的技术方案在于：所述欧姆接触金属层的金属自下而上为Ni/Au/ Ge/Ni/Au。

进一步的技术方案在于：所述肖特基接触金属层自下而上为Ti/Pt/Au。

进一步的技术方案在于：所述重掺杂GaAs层的掺杂浓度为10^18cm^-3量级, 低掺杂GaAs层的掺杂浓度为1e16cm^-3到5e17cm^-3。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述二极管在半绝缘GaAs衬底的下表面形成有标记，通过标记区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。

附图说明

图1是本实用新型所述二极管的俯视结构示意图；

图2是图1所示二极管的A-A向剖视结构示意图；

图3是本实用新型所述二极管的仰视结构示意图；

其中：1、钝化层 2、二氧化硅层 3、欧姆接触金属层 4、金属加厚层 5、GaAs衬底6、重掺杂GaAs层 7、低掺杂GaAs层 8、肖特基接触金属层 9、标记。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

总体的，如图1-3所示，本实用新型公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底5，所述半绝缘GaAs衬底5的下表面设有标记9，其中标记9可以为相对于所述衬底表面向上凹或向下凸的图形，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。

实际上实现上述标记的区分功能有多种形式，至少包括以下三种：

第一种：所述标记9位于所述二极管本体的阳极侧，用于指示所述二极管本体正面的阳极位置。

第二种：所述标记9位于所述二极管本体的阴极侧，用于指示所述二极管本体正面的阴极位置。

第三种：所述标记位于二极管本体背面的中部，通过标记9的走向指示所述二极管本体的阳极或阴极的位置，在这种实现方式中，背面标记可以为字母T或者F（放倒的，如附图3所示）。字母T或者F为在衬底下表面通过干法刻蚀的方法获得，字母T或者F的深度需大于2微米。

在本实用新型的一个实施例中，所述二极管本体包括半绝缘GaAs衬底5，所述GaAs衬底5的上表面设有钝化层1，优选的，所述钝化层1的制作材料为二氧化硅、氮化硅或金刚石。所述钝化层1为两个连续的环状结构，每个环状结构内的GaAs衬底的上表面设有重掺杂GaAs层6，每个重掺杂GaAs层6的上表面为台阶状，每个重掺杂GaAs层6的上表面设有欧姆接触金属层3和低掺杂GaAs层7，且所述低掺杂GaAs层7位于所述二极管本体的内侧，优选的，所述欧姆接触金属层为多层结构，自下而上为Ni/Au/ Ge/Ni/Au，所述重掺杂GaAs层6的掺杂浓度为10^18cm^-3量级, 低掺杂GaAs层7的掺杂浓度为1e16cm^-3到5e17cm^-3。

每个欧姆接触金属层3的上表面设有一个金属加厚层4，其中的一个低掺杂GaAs层7的上表面设有一个肖特基接触金属层8，优选的，所述肖特基接触金属层8为多层结构，自下而上为Ti/Pt/Au。所述金属加厚层4以及肖特基接触金属层8的侧面环绕有二氧化硅层2，其中位于另一个低掺杂GaAs层7侧的金属加厚层4与所述肖特基接触金属层8电连接。

本实用新型所述的太赫兹肖特基二极管可通过成熟的肖特基二极管加工工艺实现，包括阴极欧姆接触、阳极肖特基金属蒸发，空气桥连接以及隔离槽腐蚀，制作钝化层。正面加工工艺完成后，进行背面的减薄及分片，制作出太赫兹肖特基二极管。

其中本实用新型所提出的背面标记制作在半绝缘GaAs衬底的下表面，其工艺步骤属于背面工艺。具体来说，应该是在背面二极管衬底减薄工艺后，通过采用背面光刻的办法，在半绝缘衬底的下表面通过干法刻蚀的方法制作背面标记。

当应用于倒装焊时，从背面看，通过背面标记判断所述二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。

Claims (9)

1.一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底（5），其特征在于：所述半绝缘GaAs衬底（5）的下表面设有标记（9），用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。

2.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记（9）位于所述二极管本体的阳极侧，用于指示所述二极管本体正面的阳极位置。

3.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记（9）位于所述二极管本体的阴极侧，用于指示所述二极管本体正面的阴极位置。

4.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记位于二极管本体背面的中部，通过标记（9）的走向指示所述二极管本体的阳极或阴极的位置。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述二极管本体包括半绝缘GaAs衬底（5），所述GaAs衬底（5）的上表面设有钝化层（1），所述钝化层（1）为两个连续的环状结构，每个环状结构内的GaAs衬底的上表面设有重掺杂GaAs层（6），每个重掺杂GaAs层（6）的上表面为台阶状，每个重掺杂GaAs层（6）的上表面设有欧姆接触金属层（3）和低掺杂GaAs层（7），且所述低掺杂GaAs层（7）位于所述二极管本体的内侧，每个欧姆接触金属层（3）的上表面设有一个金属加厚层（4），其中的一个低掺杂GaAs层（7）的上表面设有一个肖特基接触金属层（8），所述金属加厚层（4）以及肖特基接触金属层（8）的侧面环绕有二氧化硅层（2），其中位于另一个低掺杂GaAs层（7）侧的金属加厚层（4）与所述肖特基接触金属层（8）电连接。

6.如权利要求5所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述钝化层（1）的制作材料为二氧化硅、氮化硅或金刚石。

7.如权利要求5所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触金属层（3）的金属自下而上为Ni/Au/ Ge/Ni/Au。

8.如权利要求5所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触金属层（8）自下而上为Ti/Pt/Au。

9.如权利要求5所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述重掺杂GaAs层（6）的掺杂浓度为10^18cm^-3量级, 低掺杂GaAs层（7）的掺杂浓度为1e16cm^-3到5e17cm^-3。