CN205692827U - 一种熔断电路 - Google Patents

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周正伟
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Abstract

本实用新型公开了一种熔断电路，包括：熔断模块，安装在集成电路上，用于通过修调电流使熔断电路熔断；控制模块，用于接收并识别修调数据，并根据修调数据向熔断模块输出修调电流；执行模块，分别与控制模块和熔断模块连接，用于闭合或断开熔断模块与集成电路的连接；修调监测模块，用于监测熔断模块的熔断状态，并针对熔断模块进行预修调。本实用新型的优点和有益效果在于：实现结果简单具有更高的灵活性和可靠性，同时还具有更高的熔断可控性，有利于精确熔断和快速熔断的实现；通过利用预修调模式，使工作人员能够获得最佳的修调结果，极大的提高了产品的良品率；同时还避免了随机信号对熔断电路产生的干扰，降低了功耗。

Description

一种熔断电路
技术领域
本实用新型涉及电子领域，特别涉及一种熔断电路。
背景技术
随着对集成电路高性能指标的要求越来越高，集成电路面临高精度的要求日趋明显，修调技术是实现高精度集成电路的必要手段；其中，电子熔断电路是现有修调技术中，常见的修调手段；
然而现有的电子熔断(e-fuse)电路，实现结构较为复杂，技术单一，熔断效果不理想，不能精确控制熔断效果；在不需要熔断的时候，电路产生的功耗大，影响整个芯片的性能。而在熔断过程中，熔断电流容易串扰，引起芯片熔断功能异常。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提供一种熔断电路。本技术方案通过利用控制数据控制熔断的整个过程，实现结果简单具有更高的灵活性和可靠性，同时还具有更高的熔断可控性；
通过利用修调监测模块监测熔断状态，有利于精确熔断和快速熔断的实现。
通过利用预修调模式，使工作人员能够获得最佳的修调结果，极大的提高了产品的良品率；
通过利用使能信号端，避免了集成电路或熔断电路产生的随机信号干扰；
通过利用控制MOS管降低了整个集成电路或熔断电路的功耗。
本实用新型中的一种熔断电路，用于修调集成电路，包括：
熔断模块，安装在所述集成电路上，用于通过修调电流使所述熔断电路熔断；
控制模块，用于接收并识别修调数据，并根据所述修调数据向所述熔断模块输出修调电流；
执行模块，分别与所述控制模块和所述熔断模块连接，用于闭合或断开所述熔断模块与集成电路的连接；
修调监测模块，用于监测所述熔断模块的熔断状态，并针对所述熔断模块进行预修调。
上述方案中，所述修调监测模块包括：
输入端，与所述控制模块连接，用于接收控制数据；
监测及预修调单元，与所述熔断模块连接，以读取所述熔断模块的状态数据，并对所述状态数据进行判断；所述监测及预修调单元还与所述输入端连接以接收所述控制数据，并根据所述控制数据运算修调结果并输出；
控制数据预设端，分别与所述监测及预修调单元连接，用于控制所述监测及预修调单元的开启或关闭；
输出端，与所述监测及预修调单元连接，用于接收所述控制数据，并将所述控制数据输出。
上述方案中，所述控制模块具有使能信号端，用于控制所述控制模块的开启或关闭。
上述方案中，所述控制模块控制所述执行模块的开启或关闭，使所述执行模块闭合或断开所述熔断模块与集成电路的连接；所述执行模块包括控制MOS管，所述控制MOS管的栅极与所述控制模块连接，所述控制MOS管的源极与所述熔断模块连接，所述控制MOS管的漏极与所述集成电路连接。
上述方案中，所述熔断电路还包括控制寄存器，所述控制寄存器与所述状态监测单元以储存所述熔断模块的状态数据。
本实用新型的优点和有益效果在于：本实用新型提供一种熔断电路，实现结果简单具有更高的灵活性和可靠性，同时还具有更高的熔断可控性，有利于精确熔断和快速熔断的实现；通过利用预修调模式，使工作人员能够获得最佳的修调结果，极大的提高了产品的良品率；同时还避免了随机信号对熔断电路产生的干扰；降低了整个集成电路或熔断电路的功耗。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种熔断电路的结构示意图；
图2为本实用新型一种熔断电路中修调监测模块的结构示意图。
图中：1、熔断模块 2、控制模块 3、执行模块 4、修调监测模块
21、使能信号端 31、控制MOS管 41、输入端
42、监测及预修调单元 43、控制数据预设端 44、输出端
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1和图2所示，本实用新型是一种熔断电路，用于修调集成电路(图中未示出)，包括：
熔断模块1，安装在集成电路上，用于通过修调电流使熔断电路熔断；
控制模块2，用于接收并识别修调数据，并根据修调数据向熔断模块1输出修调电流；
执行模块3，分别与控制模块2和熔断模块1连接，用于闭合或断开熔断模块1与集成电路的连接；
修调监测模块4，用于监测熔断模块1的熔断状态，并针对熔断模块1进行预修调观测。
进一步的，修调监测模块4包括：
输入端41，与所述控制模块2连接，用于接收控制数据；
监测及预修调单元42，与所述熔断模块1连接，以读取所述熔断模块1的状态数据，并对所述状态数据进行判断；所述监测及预修调单元42还与所述输入端41连接以接收所述控制数据，并根据所述控制数据运算，并实现虚拟修调结果后输出；
控制数据预设端43，分别与所述监测及预修调单元42连接，用于控制所述监测及预修调单元42的开启或关闭；
输出端44，与所述监测及预修调单元42连接，用于接收所述控制数据，并将所述控制数据输出至集成电路内部模块。
优选的，控制模块2具有使能信号端21，用于控制控制模块2的开启或关闭；使能信号端21无信号时，所有的控制数据都将不起作用，避免了随机信号对熔断电路的干扰。
优选的，控制模块2控制执行模块3的开启或关闭，使执行模块3闭合或断开熔断模块1与集成电路的连接，进而实现集成电路与熔断模块1之间大的熔断电路的通过或断开；执行模块3包括控制MOS管31，控制MOS管31的栅极与控制模块2连接，控制MOS管31的漏极与熔断模块1连接，控制MOS管31的源极与集成电路的地信号连接；
其中，当熔断模块1需要处于熔断状态时，控制MOS管31接通熔断模块1，当熔断模块1需要处于非熔断状态时，控制MOS管31处于断开状态。熔断模块1仅在熔断状态时才有电流流过，降低整个集成电路或熔断电路的功耗。
优选的，熔断电路还包括控制寄存器(图中未示出)，控制寄存器与状态读取单元以储存熔断模块1的状态数据。
上述技术方案的工作原理是：
通过测试集成电路相应的可修调之功能是否满足需求，工作人员判断是否需要对熔断模块1进行数据修调；若需要修调可启动预修调模式测试修调结果是否满足需求，并确定最佳的修调方案后启动修调模式；当然也可直接启动修调模式。
1)修调模式
工作人员通过操作控制模块2和使能信号端21，以启动熔断电路的修调模式，使控制模块2开启并接收控制数据，并根据控制数据开始工作；同时，控制模块2控制执行模块3的控制MOS管31接通，使熔断模块1与集成电路电源接通，进而使大的修调电流通过达到熔断的动作，同时还阻断了偏置支路降低误修调概率；
修调监测模块4的控制数据预设端43设置为低电平，熔断模块1的状态数据经监测及预修调单元42直接馈通到输出端44，并经输出端44输出到控制寄存器处理。
2)预修调模式
修调监测模块4的控制数据预设端43设置为低电平，这时监测及预修调单元42通过输入端41接收控制数据，并根据控制数据运算修调结果；监测及预修调单元42将修调结果通过状态读取单元传送至输出端44以控制集成电路的内部模块，工作人员可根据修调结果，判断可能的修调状态是否满足需求，并在进入修调模式之前查看各种可能的修调结果，确定最佳的修调方案；同时，根据最佳的修调方案制定控制数据，再操作控制模块2使熔断电路进入修调模式进行修调。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种熔断电路，用于修调集成电路，其特征在于，包括：
熔断模块，安装在所述集成电路上，用于通过修调电流使所述熔断电路熔断；
控制模块，用于接收并识别修调数据，并根据所述修调数据向所述熔断模块输出修调电流；
执行模块，分别与所述控制模块和所述熔断模块连接，用于闭合或断开所述熔断模块与集成电路的连接；
修调监测模块，用于监测所述熔断模块的熔断状态，并针对所述熔断模块进行预修调。
2.根据权利要求1所述的一种熔断电路，其特征在于，所述修调监测模块包括：
输入端，与所述控制模块连接，用于接收控制数据；
监测及预修调单元，与所述熔断模块连接，以读取所述熔断模块的状态数据，并对所述状态数据进行判断；所述监测及预修调单元还与所述输入端连接以接收所述控制数据，并根据所述控制数据运算修调结果并输出；
控制数据预设端，分别与所述监测及预修调单元连接，用于控制所述监测及预修调单元的开启或关闭；
输出端，与所述监测及预修调单元连接，用于接收所述控制数据，并将所述控制数据输出。
3.根据权利要求1所述的一种熔断电路，其特征在于，所述控制模块具有使能信号端，用于控制所述控制模块的开启或关闭。
4.根据权利要求1所述的一种熔断电路，其特征在于，所述控制模块控制所述执行模块的开启或关闭，使所述执行模块闭合或断开所述熔断模块与集成电路的连接；所述执行模块包括控制MOS管，所述控制MOS管的栅极与所述控制模块连接，所述控制MOS管的源极与所述熔断模块连接，所述控制MOS管的漏极与所述集成电路连接。
5.根据权利要求1所述的一种熔断电路，其特征在于，所述熔断电路还包括控制寄存器，所述控制寄存器与所述状态监测单元以储存所述熔断模块的状态数据。
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