CN205595322U - 一种半导体桥的封装结构 - Google Patents
一种半导体桥的封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205595322U CN205595322U CN201521139412.XU CN201521139412U CN205595322U CN 205595322 U CN205595322 U CN 205595322U CN 201521139412 U CN201521139412 U CN 201521139412U CN 205595322 U CN205595322 U CN 205595322U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- conduction band
- electrode lead
- metallization
- contact conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Mo] Chemical compound [Mn].[Mo] PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000037452 priming Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003721 gunpowder Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及到一种火工品半导体桥体的封装结构。一种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线1和芯片4，所述的电极引线1穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线1从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线1通过金属化导带3与芯片4连接，金属化导带3与电极引线1和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及到一种火工品半导体桥体的封装结构。
【背景技术】
半导体桥(Semiconductor Bridge，SCB)是利用半导体膜或金属-半导体复合膜作为发火元件，相较于金属桥丝发火品，以其具有发光能量低、响应速度快、使用安全等优点，已被广泛应用。
SCB具有不同于一般金属桥丝火工品的点火特性，这是由桥体本身决定的。桥体材料为重掺杂硅，在受电激励下，由于加热作用，桥体材料从常温、融化、汽化到形成等离子状态，与超爆药直接加压接触可引爆起爆药，达到点火目的。
半导体桥的核心为半导体桥芯片，其结构由高阻硅片或蓝宝石基片上制作“H”形重掺杂多晶硅作为桥体，桥体两端通过蒸发金属Al或Ni引出焊盘，焊盘与陶瓷塞电极通过Al丝键合实现电连接。再直接在半导体桥体表面进行压装起爆点火药，压力一般为90Mpa，就形成了半导体桥起爆器。由于半导体桥实现点火功能要与起爆药直接紧密接触，压装压力一般为90Mpa，两端的Al引线会受力发生塌落并承受很大的压力，导致Al受损断线，发生开路失效。
【实用新型内容】
为解决现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体桥的封装结构，该结构可避免装药压力导致的引线断裂、失效。
一种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线1和芯片4，所述的电极引线1穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线1从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线1通过金属化导带3与芯片4连 接，金属化导带3与电极引线1和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。
所述的导电连接体2涂覆在金属化导带3与电极引线1和芯片4的连接部位。
所述的导电连接体2为导电银浆料。
所述的金属化导带3为钼锰浆料。
所述的电极引线1和芯片4在陶瓷塞5的表面上对称设置。
所述的芯片4设置在陶瓷塞5的中心位置。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
【附图说明】
图1是本实用新型的结构示意图，其中图1(a)为俯视图，图1(b)为主视图。
图中，1-电极引线，2-导电连接体，3-金属化导带，4-芯片，5-陶瓷塞。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型或实用新型进行详细说明。
如图1所示，本实用新型的一种半导体桥的封装结构，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上设置有电极引线1和芯片4，所述的电极引线1穿过陶瓷塞5设置，所述的芯片4固定设置在陶瓷塞5上，电极引线1从陶瓷塞5上伸出的部分与芯片4之间设置有金属化导带3，电极引线1通过金属化导带3与芯片4连接，金属化导带3与电极引线1和芯片4的连接部位均设置有导电连接体2。
在陶瓷塞5的上表面，芯片4与电极引线1之间采用丝网印刷方式，用导电浆料(钼锰浆料)印制金属化导带3，通过高温合金与陶瓷塞5形成结合紧密的导带。在陶瓷塞5上安装芯片4后，在芯片4的金属化区和金属化导带3之间的连接部位，以及金属化导带3和电极引线 1之间的连接部位均涂覆导电银浆料，在150℃充氮环境下固化1小时，实现芯片5与外电极之间的导电连接。
本实用新型的封装结构通过在陶瓷塞制作金属化导带，金属化导带与电极引线和芯片的连接部位均设置有导电连接体，导电连接体能够避免因装药压力导致的电极引线断裂、失效。
Claims (6)
1.一种半导体桥的封装结构，其特征在于，包括陶瓷塞(5)，陶瓷塞(5)上设置有电极引线(1)和芯片(4)，所述的电极引线(1)穿过陶瓷塞(5)设置，所述的芯片(4)固定设置在陶瓷塞(5)上，电极引线(1)从陶瓷塞(5)上伸出的部分与芯片(4)之间设置有金属化导带(3)，电极引线(1)通过金属化导带(3)与芯片(4)连接，金属化导带(3)与电极引线(1)和芯片(4)的连接部位均设置有导电连接体(2)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的导电连接体(2)涂覆在金属化导带(3)与电极引线(1)和芯片(4)的连接部位。
3.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的导电连接体(2)为导电银浆料。
4.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的金属化导带(3)为钼锰浆料。
5.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的电极引线(1)和芯片(4)在陶瓷塞(5)的表面上对称设置。
6.根据权利要求1所述的一种半导体桥的封装结构，其特征在于，所述的芯片(4)设置在陶瓷塞(5)的中心位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201521139412.XU CN205595322U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种半导体桥的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201521139412.XU CN205595322U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种半导体桥的封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205595322U true CN205595322U (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=56927454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201521139412.XU Expired - Fee Related CN205595322U (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种半导体桥的封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205595322U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106765308A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种直插式薄膜桥点火器及其制备方法 |
-
2015
- 2015-12-31 CN CN201521139412.XU patent/CN205595322U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106765308A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种直插式薄膜桥点火器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5912427A (en) | Semiconductor bridge explosive device | |
| US5113764A (en) | Semiconductor bridge (SCB) packaging system | |
| US5029529A (en) | Semiconductor bridge (SCB) packaging system | |
| CN201262533Y (zh) | 半导体电阻桥电极塞 | |
| CN104776759B (zh) | SCB集成Al/MxOy纳米含能复合薄膜的电爆换能元 | |
| JP2016506078A5 (zh) | ||
| CZ294564B6 (cs) | Miniaturní ventil, příslušenství pro plnění napájecího zásobníku s tímto ventilem, aparát pro transdermální aplikaci léčiva s tímto příslušenstvím a způsob zhotovování uvedeného miniaturního ventilu | |
| JP2009545105A5 (zh) | ||
| JP2005531744A (ja) | パイロテクニック薬剤を保持する内部スリーブを備えるイニシエータおよびその製造方法 | |
| CN205595322U (zh) | 一种半导体桥的封装结构 | |
| US3906858A (en) | Miniature igniter | |
| CN204649089U (zh) | Scb集成纳米含能复合薄膜的电爆换能元 | |
| CN106416424A (zh) | 加热器 | |
| CN102789857B (zh) | 一种小型玻封二极管结构ntc热敏电阻及其制备方法 | |
| CN102249830B (zh) | 硅杯聚能Al/CuO复合薄膜点火桥和点火桥阵列 | |
| CN201387295Y (zh) | 导爆管电子延期雷管 | |
| JP2013513928A5 (zh) | ||
| CN203536467U (zh) | 一种具有过渡基板的led器件 | |
| CN105140374A (zh) | 一种免打线led封装结构及其制备方法 | |
| CN209055019U (zh) | 多层电路板组合的半导体桥火工品装置 | |
| CN206864667U (zh) | 一种汽车空调压缩机接线柱的封装结构 | |
| US20160055935A1 (en) | Apparatus and Method for Establishing an Electrically Conductive and Mechanical Connection | |
| CN205028918U (zh) | 一种led支架及led封装体 | |
| CN211570109U (zh) | 基于热膨胀流的mems陀螺仪及电子装置 | |
| CN207835412U (zh) | 一种耐模组胶小型石英晶体谐振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180627 Address after: 130103 No. 177, Chang Da Road, hi tech Development Zone, Changchun, Jilin. Patentee after: CHANGCHUN SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: No. 9, Biyuan two road, high new zone, Xi'an, Shaanxi Province Patentee before: XIAN BRANCH OF CHANGCHUN SEMICONDUCTOR CO.,LTD. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160921 |