CN205545166U - 一种智能lte手机内部功率放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及手机功率放大器领域，具体涉及一种智能LTE手机内部功率放大器，由预放大级、中间放大级和功率级三级级联构成，所述预放大级前接有输入匹配电路且后连接中间放大级，所述中间放大级后接功率级，所述功率级后接有输出匹配电路，所述预放大级、中间放大级和功率级均含有偏置电路，且预放大级、中间放大级和功率级均均受功率控制电路控制，该实用新型采用差分结构，能够实现良好的输入和输出匹配，能减小功率放大器的损耗，提高了输出电压摆幅，减小了功率晶体管的集电极电流，且降低了寄生的键合线电感。
Description
技术领域
本实用新型涉及手机功率放大器领域，具体涉及一种智能LTE手机内部功率放大器。
背景技术
近年来通信技术迅速发展，手机通信得到爆炸式的扩张，人们追求更优质更快更稳定的通信环境，LTE被认为是在完整的4G标准LTEAdvanced推出之前的一种合理跨越，相比目前的各种3G通信系统，LTE提供了更高的通信传输速率。LTE分为频分复用(FDD)和时分复用(TDD)两种，采用QPSK、16QAM、64QAM非恒定包络的调制方式，其发射信号必须有较高的线性度以保证数据传输质量和避免临近信道干扰，同时手机电池寿命要求射频信号发射系统具有适宜的效率，如何进一步提高功率放大器性能，降低功率放大器损耗，成为目前需要解决的热门问题。
实用新型内容
针对以上问题，本实用新型提供了一种智能LTE手机内部功率放大器，采用差分结构，能够实现良好的输入和输出匹配，能减小功率放大器的损耗，提高了输出电压摆幅，减小了功率晶体管的集电极电流，且降低了寄生的键合线电感，在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能，实现手机功率放大器的性能提升。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：一种智能LTE手机内部功率放大器，包括预放大级、中间放大级和功率级，所述预放大级前接有输入匹配电路，所述预放大级后接中间放大级，所述中间放大级后接有功率级，所述功率级后接有输出匹配电路，所述预放大级内含有预放大偏置电路，所述中间放大级内含有中间放大偏置电路，所述功率级内含有功率偏置电路。
进一步地，所述预放大偏置电路、中间放大偏置电路、功率偏置电路 均与功率控制电路连接。
进一步地，所述预放大级、中间放大级和功率级均采用差分结构。
进一步地，所述输入匹配电路和输出匹配电路均含有集电极扼流圈、巴伦、若干电容和若干电感。
进一步地，所述预放大偏置电路采用电阻偏置，所述中间放大偏置电路、功率偏置电路均采用有源偏置。
本实用新型的有益效果：
本实用新型采用差分结构，能够实现良好的输入和输出匹配，能减小功率放大器的损耗，提高了输出电压摆幅，减小了功率晶体管的集电极电流，且降低了寄生的键合线电感，在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能实现手机功率放大器的性能提升。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图。
图中标号为：1-预放大级，2-中间放大级，3-功率级，4-输入匹配电路，5-输出匹配电路，6-预放大偏置电路，7-中间放大偏置电路，8-功率偏置电路，9-功率控制电路。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，一种智能LTE手机内部功率放大器，包括预放大级1、中间放大级2和功率级3，所述预放大级1前接有输入匹配电路4，所述预放大级1后接中间放大级2，所述中间放大级2后接有功率级3，所述功率级3后接有输出匹配电路5，所述预放大级1内含有预放大偏置电路6，所述中间放大级2内含有中间放大偏置电路7，所述功率级3内含有功率偏置电路8。
在上述实施例上优选，所述预放大偏置电路6、中间放大偏置电路7、 功率偏置电路8均与功率控制电路9连接。
在上述实施例上优选，所述预放大级1、中间放大级2和功率级3均采用差分结构。
在上述实施例上优选，所述输入匹配电路4和输出匹配电路5均含有集电极扼流圈、巴伦、若干电容和若干电感。
在上述实施例上优选，所述预放大偏置电路6采用电阻偏置，所述中间放大偏置电路7、功率偏置电路8均采用有源偏置。
基于上述，本实用新型采用差分结构，能够实现良好的输入和输出匹配，能减小功率放大器的损耗，提高了输出电压摆幅，减小了功率晶体管的集电极电流，且降低了寄生的键合线电感，在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能，实现手机功率放大器的性能提升。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种智能LTE手机内部功率放大器，包括预放大级、中间放大级和功率级，其特征在于：所述预放大级前接有输入匹配电路，所述预放大级后接中间放大级，所述中间放大级后接有功率级，所述功率级后接有输出匹配电路，所述预放大级内含有预放大偏置电路，所述中间放大级内含有中间放大偏置电路，所述功率级内含有功率偏置电路。
2.根据权利要求1所述的一种智能LTE手机内部功率放大器，其特征在于：所述预放大偏置电路、中间放大偏置电路、功率偏置电路均与功率控制电路连接。
3.根据权利要求1所述的一种智能LTE手机内部功率放大器，其特征在于：所述预放大级、中间放大级和功率级均采用差分结构。
4.根据权利要求1所述的一种智能LTE手机内部功率放大器，其特征在于：所述输入匹配电路和输出匹配电路均含有集电极扼流圈、巴伦、若干电容和若干电感。
5.根据权利要求1所述的一种智能LTE手机内部功率放大器，其特征在于：所述预放大偏置电路采用电阻偏置，所述中间放大偏置电路、功率偏置电路均采用有源偏置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107395221A (zh) * | 2017-08-09 | 2017-11-24 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种lte频段切换装置、切换方法及移动终端 |
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2015
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| US11165449B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-11-02 | JRD Communication (Shenzhen) Ltd. | LTE frequency band switching device and method, and mobile terminal |
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