CN205545035U - 一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，所述地线端反接保护模块包括分压电路单元和N沟道MOS管，所述电源模块与分压电路单元连接，所述分压电路单元与N沟道MOS管的栅极连接且给N沟道MOS管的栅极提供控制电压，所述N沟道MOS管的源极接地，所述N沟道MOS管的漏极与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的接地端连接，所述第一半桥驱动模块与第二半桥驱动模块组成H桥驱动模块用于驱动电机，在地线端增加MOS管，利用N沟道的MOS管实现大电流电机驱动的电源反接保护的同时，使用两个半桥集成芯片组成全桥驱动实现电机大电流的控制，避免输出负载出现输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题。

Description

一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路

技术领域

本实用新型涉及汽车电机大电流驱动反接保护以及驱动应用领域，特别是一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路。

背景技术

随着经济的飞速发展，汽车产业逐渐上升为我国经济支柱产业，伴随着现代汽车电子控制技术的快速发展，越来越多的自动变速器的开始涌现，自动变速器的市场占有率也逐步提高；AMT换挡器将汽车运行工况的传感器信号传递给电子控制单元(ECU- Electronic Control Unit)，ECU 经过分析处理，发送PWM指令控制直流电机正转和反转，实现选档电机的角度转动和传动机构的执行；因此行业内不仅对大电流电机驱动电源端防反接保护电路动电路的耐久性、可靠性、稳定性、耐高温环境性能要求严格，同时，解决负载本身输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题为：在地线端增加MOS管，利用N沟道的MOS管实现大电流电机驱动的电源反接保护的同时，使用两个半桥集成芯片组成全桥驱动实现电机大电流的控制，避免输出负载出现输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术手段具体为：一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，包括控制模块、电源模块、地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一预驱动模块、第二预驱动模块、第一负载诊断模块和第二负载诊断模块；所述地线端反接保护模块包括分压电路单元和N沟道MOS管，所述电源模块与分压电路单元连接，所述分压电路单元与N沟道MOS管的栅极连接且给N沟道MOS管的栅极提供控制电压，所述N沟道MOS管的源极接地，所述N沟道MOS管的漏极与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的接地端连接，所述第一半桥驱动模块与第二半桥驱动模块组成H桥驱动模块用于驱动电机，所述电源模块与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的电源输入端连接，所述控制模块与第一预驱动模块、第二预驱动模块连接，所述第一预驱动模块与第一半桥驱动模块连接，所述第二预驱动模块与第二半桥驱动模块连接，所述第一半桥驱动模块与第一负载诊断模块连接，所述第一负载诊断模块与控制模块连接，所述第二半桥驱动模块与第二负载诊断模块连接，所述第二负载诊断模块与控制模块连接。

本实用新型中，各功能电路可采用现有相应功能电路形式，驱驱模块可采用现有半桥驱动集成芯片，N沟道MOS管及其周边处理电路为现有技术，本实用新型基于现有半桥驱动集成芯片应用技术，即通过控制模块经过预驱动模块应用于H桥驱动模块，并实时PID算法输出PWM信号至预驱模块，控制H桥驱动模块以实现电机的正转和反转，控制模块连接至预驱动模块，预驱动模块连接至H桥驱动模块，再由负载诊断模块连接至控制模块，由控制模块通过负载诊断模块实时监控负载的运行状态，一旦负载出现异常，通过控制模块的策略，并及时关闭负载驱动，反馈诊断信息。在应用时，所述电源模块经输入电源滤波稳压保护模块后给地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

进一步地，所述地线端反接保护模块还包括滤波过压保护电路单元、TVS管TVS2和吸收电路单元，所述滤波过压保护电路单元包括电容C13和TVS管TVS3，所述吸收电路包括电阻R13和电容C14，所述分压电路单元包括电阻R14和电阻R15，所述电阻R14的一端与电源模块连接，其另一端与电阻R15一端、N沟道MOS管的栅极连接，所述电阻R15另一端与N沟道MOS管的源极连接且接地，所述电容C13和TVS管TVS3并联且其一公共端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一公共端与N沟道MOS管的源极连接，所述TVS管TVS2一端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接，所述电阻R13的一端与N沟道MOS管的漏极连接，其另一端与电容C14一端连接，所述电容C14另一端与N沟道MOS管的源极连接。

进一步地，所述第一半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U1构成，所述第一预驱动模块与驱动芯片U1的2脚、3脚连接，所述第一负载诊断模块与驱动芯片U1的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U1的7脚连接，所述驱动芯片U1的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述第二半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U2构成，所述第二预驱动模块与驱动芯片U2的2脚、3脚连接，所述第二负载诊断模块与驱动芯片U2的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U2的7脚连接，所述驱动芯片U2的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述驱动芯片U1的4脚和驱动芯片U2的4脚用于驱动电机。

进一步地，所述第一半桥驱动模块还包括电阻R7、电容C11 、电容C5、电容C8和电容C10，所述电阻R7的一端与驱动芯片U1的4脚连接，其另一端与电容C11的一端连接，所述电容C11的另一端与电容C10的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C10的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端与驱动芯片U1的7脚连接，所述电容C5的一端与驱动芯片U1的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接；所述第一半桥驱动模块还包括电阻R8、 电容C12、电容C9、电容C7和电容C6，所述电阻R8的一端与驱动芯片U2的4脚连接，其另一端与电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端与电容C9的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C9的另一端与电容C7的一端连接，所述电容C7的另一端与驱动芯片U2的7脚连接，所述电容C6的一端与驱动芯片U2的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接。

进一步地，所述第一预驱动模块包括电阻R1、电阻R3和电阻R5，所述电阻R3一端连接与控制模块、电阻R1一端连接，所述电阻R3的另一端与驱动芯片U1的3脚连接，所述电阻R1另一端接地，所述电阻R5的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U1的2脚连接；所述第二预驱动模块包括电阻R2、电阻R4和电阻R6，所述电阻R4一端连接与控制模块、电阻R2一端连接，所述电阻R4的另一端与驱动芯片U2的3脚连接，所述电阻R2另一端接地，所述电阻R6的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U2的2脚连接。

进一步地，所述第一负载诊断模块包括电阻R9和电阻R10；所述驱动芯片U1的6脚与控制模块连接，所述电阻R9的一端与驱动芯片U1的6脚连接，其另一端与电阻R10的一端连接且接地，所述电阻R10的另一端与驱动芯片U1的5脚连接；所述第二负载诊断模块包括电阻R11和电阻R12；所述驱动芯片U2的6脚与控制模块连接，所述电阻R11的一端与驱动芯片U2的6脚连接，其另一端与电阻R12的一端连接且接地，所述电阻R12的另一端与驱动芯片U2的5脚连接。

进一步地，还包括输入电源滤波稳压保护模块，所述输入电源滤波稳压保护模块包括高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元，所述高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元依次串联；所述电源模块经输入电源滤波稳压保护模块后给地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

进一步地， 所述高频滤波单元包括电容C1和电容C3；所述过压保护单元包括TVS管TVS1；所述稳压单元包括电解电容E1、电容C2和电容C4；所述电容C1的一端与TVS管TVS1的一端连接，所述TVS管TVS1的另一端接地，所述电容C1的另一端与电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地，所述电解电容E1、电容C2和电容C4并联且其一公共端与电容C1的一端连接，其另一公共端接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：当大电流电机驱动电路电源端和接地端出现电源反接时，N沟道的MOS管处于截止状态，实现H桥驱动模块电机驱动反接保护，避免了电路回路的烧毁；当大电流电机驱动电路的负载开路时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否开路，实现负载的开路诊断；当大电流电机驱动电路输出过流时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否过流，实现负载的过流保护和诊断；当大电流电机驱动电路输出短路时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否短路，实现负载的短路保护和诊断；当大电流电机驱动电路供电端过压时，输入电源滤波稳压保护模块将吸收电源进入的脉冲群干扰，保护地线端反接保护模块、H桥驱动模块等电路，实现电源端过压保护，在实现H桥驱动模块的同时，解决了H桥驱动模块输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题，提高了大电流电机驱动地线端防反接保护电路抗扰度以及控制器工作的可靠性。

附图说明

图1所示为本实用新型新型模块结构示意框图；

图2所示为本实用新型中的主驱动电路结构示意图；

图3所示为本实用新型中的输入电源滤波稳压保护模块的电路结构示意图；

图4所示为本实用新型中的地线端反接保护模块的电路结构示意图。

具体实施方式

结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行详细说明；

如图1、图2和图4所示，一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，包括控制模块、电源模块、地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一预驱动模块、第二预驱动模块、第一负载诊断模块和第二负载诊断模块；所述地线端反接保护模块包括分压电路单元和N沟道MOS管，所述电源模块与分压电路单元连接，所述分压电路单元与N沟道MOS管的栅极连接且给N沟道MOS管的栅极提供控制电压，所述N沟道MOS管的源极接地，所述N沟道MOS管的漏极与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的接地端连接，所述第一半桥驱动模块与第二半桥驱动模块组成H桥驱动模块用于驱动电机，所述电源模块与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的电源输入端连接，所述控制模块与第一预驱动模块、第二预驱动模块连接，所述第一预驱动模块与第一半桥驱动模块连接，所述第二预驱动模块与第二半桥驱动模块连接，所述第一半桥驱动模块与第一负载诊断模块连接，所述第一负载诊断模块与控制模块连接，所述第二半桥驱动模块与第二负载诊断模块连接，所述第二负载诊断模块与控制模块连接。所述地线端反接保护模块还包括滤波过压保护电路单元、TVS管TVS2和吸收电路单元，所述滤波过压保护电路单元包括电容C13和TVS管TVS3，所述吸收电路包括电阻R13和电容C14，所述分压电路单元包括电阻R14和电阻R15，所述电阻R14的一端与电源模块连接，其另一端与电阻R15一端、N沟道MOS管的栅极连接，所述电阻R15另一端与N沟道MOS管的源极连接且接地，所述电容C13和TVS管TVS3并联且其一公共端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一公共端与N沟道MOS管的源极连接，所述TVS管TVS2一端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接，所述电阻R13的一端与N沟道MOS管的漏极连接，其另一端与电容C14一端连接，所述电容C14另一端与N沟道MOS管的源极连接，其中，N沟道的MOS管的型号是STB60NF06LT4，电阻R13的优选封装为1206，阻值为5.1k，精度1%。

本实用新型中，各功能电路可采用现有相应功能电路形式，驱驱模块可采用现有半桥驱动集成芯片，N沟道MOS管及其周边处理电路为现有技术，本实用新型基于现有半桥驱动集成芯片应用技术，即通过控制模块经过预驱动模块应用于H桥驱动模块，并实时PID算法输出PWM信号至预驱模块，控制H桥驱动模块以实现电机的正转和反转，控制模块连接至预驱动模块，预驱动模块连接至H桥驱动模块，再由负载诊断模块连接至控制模块，由控制模块通过负载诊断模块实时监控负载的运行状态，一旦负载出现异常，通过控制模块的策略，并及时关闭负载驱动，反馈诊断信息。在应用时，所述电源模块经输入电源滤波稳压保护模块后给地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

具体地，所述第一半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U1构成，所述第一预驱动模块与驱动芯片U1的2脚、3脚连接，所述第一负载诊断模块与驱动芯片U1的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U1的7脚连接，所述驱动芯片U1的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述第二半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U2构成，所述第二预驱动模块与驱动芯片U2的2脚、3脚连接，所述第二负载诊断模块与驱动芯片U2的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U2的7脚连接，所述驱动芯片U2的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述驱动芯片U1的4脚和驱动芯片U2的4脚用于驱动电机。优选地，所述第一半桥驱动模块还包括电阻R7、电容C11 、电容C5、电容C8和电容C10，所述电阻R7的一端与驱动芯片U1的4脚连接，其另一端与电容C11的一端连接，所述电容C11的另一端与电容C10的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C10的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端与驱动芯片U1的7脚连接，所述电容C5的一端与驱动芯片U1的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接；所述第一半桥驱动模块还包括电阻R8、 电容C12、电容C9、电容C7和电容C6，所述电阻R8的一端与驱动芯片U2的4脚连接，其另一端与电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端与电容C9的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C9的另一端与电容C7的一端连接，所述电容C7的另一端与驱动芯片U2的7脚连接，所述电容C6的一端与驱动芯片U2的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接。电容C5、C6用于半桥驱动芯片的高频滤波，R7和C11、R8和C12组成电源瞬间电弧吸收电路，电容C7和C8、C9和C10用于滤除电机干扰信号。

具体地，所述第一预驱动模块包括电阻R1、电阻R3和电阻R5，所述电阻R3一端连接与控制模块、电阻R1一端连接，所述电阻R3的另一端与驱动芯片U1的3脚连接，所述电阻R1另一端接地，所述电阻R5的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U1的2脚连接；所述第二预驱动模块包括电阻R2、电阻R4和电阻R6，所述电阻R4一端连接与控制模块、电阻R2一端连接，所述电阻R4的另一端与驱动芯片U2的3脚连接，所述电阻R2另一端接地，所述电阻R6的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U2的2脚连接。

具体地，所述第一负载诊断模块包括电阻R9和电阻R10；所述驱动芯片U1的6脚与控制模块连接，所述电阻R9的一端与驱动芯片U1的6脚连接，其另一端与电阻R10的一端连接且接地，所述电阻R10的另一端与驱动芯片U1的5脚连接；所述第二负载诊断模块包括电阻R11和电阻R12；所述驱动芯片U2的6脚与控制模块连接，所述电阻R11的一端与驱动芯片U2的6脚连接，其另一端与电阻R12的一端连接且接地，所述电阻R12的另一端与驱动芯片U2的5脚连接。

在上述技术方案的基础上，如图3所示，一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，还包括输入电源滤波稳压保护模块，所述输入电源滤波稳压保护模块包括高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元，所述高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元依次串联；所述电源模块经输入电源滤波稳压保护模块后给地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

具体地， 所述高频滤波单元包括电容C1和电容C3；所述过压保护单元包括TVS管TVS1；所述稳压单元包括电解电容E1、电容C2和电容C4；所述电容C1的一端与TVS管TVS1的一端连接，所述TVS管TVS1的另一端接地，所述电容C1的另一端与电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地，所述电解电容E1、电容C2和电容C4并联且其一公共端与电容C1的一端连接，其另一公共端接地，BAT即24V电源模块，经电容C1、C3高频滤波，再经TVS管TVS1电源过压保护，再经电解电容E1、电容C2、电容C4稳压输出稳定的24V电源，其中TVS管型号为5KP33CA。

当大电流电机驱动电路电源端和接地端出现电源反接时，N沟道的MOS管处于截止状态，实现H桥驱动模块电机驱动反接保护，避免了电路回路的烧毁；当大电流电机驱动电路的负载开路时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否开路，实现负载的开路诊断；当大电流电机驱动电路输出过流时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否过流，实现负载的过流保护和诊断；当大电流电机驱动电路输出短路时，控制模块通过负载诊断模块，监控负载的电流状态，识别负载是否短路，实现负载的短路保护和诊断；当大电流电机驱动电路供电端过压时，输入电源滤波稳压保护模块将吸收电源进入的脉冲群干扰，保护地线端反接保护模块、H桥驱动模块等电路，实现电源端过压保护，在实现H桥驱动模块的同时，解决了H桥驱动模块输出过流、输出短路、输出开路、ESD带来的问题，提高了大电流电机驱动接地端防反接保护电路抗扰度以及控制器工作的可靠性。

本实用新型中所述具体实施案例仅为本实用新型的较佳实施案例而已，并非用来限定本实用新型的实施范围，即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应作为本实用新型的技术范畴。

Claims (8)

1.一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，包括控制模块、电源模块、地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块、第一预驱动模块、第二预驱动模块、第一负载诊断模块和第二负载诊断模块；所述地线端反接保护模块包括分压电路单元和N沟道MOS管，所述电源模块与分压电路单元连接，所述分压电路单元与N沟道MOS管的栅极连接且给N沟道MOS管的栅极提供控制电压，所述N沟道MOS管的源极接地，所述N沟道MOS管的漏极与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的接地端连接，所述第一半桥驱动模块与第二半桥驱动模块组成H桥驱动模块用于驱动电机，所述电源模块与第一半桥驱动模块、第二半桥驱动模块的电源输入端连接，所述控制模块与第一预驱动模块、第二预驱动模块连接，所述第一预驱动模块与第一半桥驱动模块连接，所述第二预驱动模块与第二半桥驱动模块连接，所述第一半桥驱动模块与第一负载诊断模块连接，所述第一负载诊断模块与控制模块连接，所述第二半桥驱动模块与第二负载诊断模块连接，所述第二负载诊断模块与控制模块连接。

2. 如权利要求1所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，所述地线端反接保护模块还包括滤波过压保护电路单元、TVS管TVS2和吸收电路单元，所述滤波过压保护电路单元包括电容C13和TVS管TVS3，所述吸收电路包括电阻R13和电容C14，所述分压电路单元包括电阻R14和电阻R15，所述电阻R14的一端与电源模块连接，其另一端与电阻R15一端、N沟道MOS管的栅极连接，所述电阻R15另一端与N沟道MOS管的源极连接且接地，所述电容C13和TVS管TVS3并联且其一公共端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一公共端与N沟道MOS管的源极连接，所述TVS管TVS2一端与N沟道MOS管的栅极连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接，所述电阻R13的一端与N沟道MOS管的漏极连接，其另一端与电容C14一端连接，所述电容C14另一端与N沟道MOS管的源极连接。

3.如权利要求1或者2所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，所述第一半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U1构成，所述第一预驱动模块与驱动芯片U1的2脚、3脚连接，所述第一负载诊断模块与驱动芯片U1的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U1的7脚连接，所述驱动芯片U1的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述第二半桥驱动模块由型号为BTN8962TA的驱动芯片U2构成，所述第二预驱动模块与驱动芯片U2的2脚、3脚连接，所述第二负载诊断模块与驱动芯片U2的5脚、6脚连接，所述电源模块与驱动芯片U2的7脚连接，所述驱动芯片U2的1脚与N沟道MOS管的漏极连接；所述驱动芯片U1的4脚和驱动芯片U2的4脚用于驱动电机。

4.如权利要求3所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，所述第一半桥驱动模块还包括电阻R7、电容C11 、电容C5、电容C8和电容C10，所述电阻R7的一端与驱动芯片U1的4脚连接，其另一端与电容C11的一端连接，所述电容C11的另一端与电容C10的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C10的另一端与电容C8的一端连接，所述电容C8的另一端与驱动芯片U1的7脚连接，所述电容C5的一端与驱动芯片U1的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接；所述第一半桥驱动模块还包括电阻R8、 电容C12、电容C9、电容C7和电容C6，所述电阻R8的一端与驱动芯片U2的4脚连接，其另一端与电容C12的一端连接，所述电容C12的另一端与电容C9的一端连接后再与N沟道MOS管的漏极连接，所述电容C9的另一端与电容C7的一端连接，所述电容C7的另一端与驱动芯片U2的7脚连接，所述电容C6的一端与驱动芯片U2的7脚连接，其另一端与N沟道MOS管的漏极连接。

5.如权利要求4所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，所述第一预驱动模块包括电阻R1、电阻R3和电阻R5，所述电阻R3一端连接与控制模块、电阻R1一端连接，所述电阻R3的另一端与驱动芯片U1的3脚连接，所述电阻R1另一端接地，所述电阻R5的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U1的2脚连接；所述第二预驱动模块包括电阻R2、电阻R4和电阻R6，所述电阻R4一端连接与控制模块、电阻R2一端连接，所述电阻R4的另一端与驱动芯片U2的3脚连接，所述电阻R2另一端接地，所述电阻R6的一端与控制模块连接，其另一端与驱动芯片U2的2脚连接。

6.如权利要求5所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，所述第一负载诊断模块包括电阻R9和电阻R10；所述驱动芯片U1的6脚与控制模块连接，所述电阻R9的一端与驱动芯片U1的6脚连接，其另一端与电阻R10的一端连接且接地，所述电阻R10的另一端与驱动芯片U1的5脚连接；所述第二负载诊断模块包括电阻R11和电阻R12；所述驱动芯片U2的6脚与控制模块连接，所述电阻R11的一端与驱动芯片U2的6脚连接，其另一端与电阻R12的一端连接且接地，所述电阻R12的另一端与驱动芯片U2的5脚连接。

7.如权利要求1或者2所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于，还包括输入电源滤波稳压保护模块，所述输入电源滤波稳压保护模块包括高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元，所述高频滤波单元、过压保护单元和稳压单元依次串联；所述电源模块经输入电源滤波稳压保护模块后给地线端反接保护模块、第一半桥驱动模块和第二半桥驱动模块供电。

8.如权利要求7所述的一种地线端防反接保护的大电流电机驱动电路，其特征在于， 所述高频滤波单元包括电容C1和电容C3；所述过压保护单元包括TVS管TVS1；所述稳压单元包括电解电容E1、电容C2和电容C4；所述电容C1的一端与TVS管TVS1的一端连接，所述TVS管TVS1的另一端接地，所述电容C1的另一端与电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地，所述电解电容E1、电容C2和电容C4并联且其一公共端与电容C1的一端连接，其另一公共端接地。