CN205527777U - 一种36对棒多晶硅还原炉控制系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种36对棒多晶硅还原炉控制系统,包括高压启动电源、五极真空接触器、功率柜、36对硅芯,采用将36对硅芯分为6组,其中3组为4对硅芯,其中3组为8对硅芯,采用本实用新型的控制系统,只需要4台高压启动电源,6个五极真空接触器,6台功率柜,就能很好的实现36对棒多晶硅还原炉控制系统,取代了现在的结构复杂,成本高的36对棒多晶硅还原炉控制系统;进一步的,与现有的36对棒多晶硅还原炉控制系统相比,本实用新型结构简单、成本低等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅生产系统,特别是一种36对棒多晶硅还原炉控制系统。
背景技术
在多晶硅的生长过程中,首先需要启动击穿,然后再进行还原生长。多晶硅还原在生产方式上有12对棒、18对棒、24对棒、36对棒、48对棒。然而36对棒、48对棒将成为还原炉发展的趋势。
现有技术中采用的36对棒多晶硅还原炉,其硅芯负载一共分为6组,每组6对棒,需要6台高压启动电源进行启动,每组硅芯到真空接触器均需要7根高压母线连接,每台还原炉需要配置12个真空接触器(包括6个三极真空接触器和6个四极空接触器)和6台都具有并串联控制回路的功率柜,而且每台功率柜都包括1个三极真空接触器和1台均流电抗器,设备投入成本较高,控制系统较繁琐。
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于:针对传统36对棒多晶硅还原炉控制系统的投入成本较高,提供一种设备投入成本低的36对棒多晶硅还原炉的控制系统。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种36对棒多晶硅还原炉控制系统,包括高压启动电源、36对硅芯、五极真空接触器和功率柜;
所述还原炉内设置有36对硅芯,所述36对硅芯分为6组:第一组硅芯、第二组硅芯、第三组硅芯、第四组硅芯、第五组硅芯、第六组硅芯,所述第一、第三、第五组硅芯分别由4对硅芯组成,所述第二、第四、第六组硅芯分别由8对硅芯组成;
所述高压启动电源为4台,4台所述高压启动电源组成和结构均相同,4台所述高压启动电源分别为第一高压启动电源、第二高压启动电源、第三高压启动电源、第四高压启动电源;
所述五极真空接触器为6个,6个所述五极真空接触器组成和结构均相同,6个所述五极真空接触器分别为第一五级真空接触器、第二五极真空接触器、第三五极真空接触器、第四五极真空接触器、第五五极真空接触器、第六五极真空接触器;
所述4台高压启动电源分别通过第一、第三、第五五极真空接触器与第一、第三、第五组硅芯并联连接,所述4台高压启动电源分别通过第二、第四、第六五极真空接触器与第二、第四、第六组硅芯并联连接,高压启动电源为硅芯加载电压。
所述功率柜为6台,所述功率柜分别为第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、第四功率柜、第五功率柜、第六功率柜,所述第一、第三、第五功率柜具有串联回路,所述第二、第四、第六功率柜具有串并联回路;
所述第一、第三、第五组硅芯中,每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜,所述第二、第四、第六组硅芯中,每组硅芯分别连接第二、第四、第六功率柜,功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源。
所述第一、第三、第五组硅芯中,每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜,所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30~50A、电压条件400V~500V时,所述功率柜串联运行,向该组中的硅芯提供还原电源,继续后续的加热。
第二、第四、第六组硅芯分别连接具有并串联控制回路的功率柜,所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30~50A、电压条件800~1000V时,所述功率柜向该组中的硅芯提供还原电源:所述功率柜先并联运行,当输出电压电流达到电流条件150~180A、电压条件2100V时切换到串联运行,继续后续的加热。
作为本实用新型的优选方案,所述第二、第四、第六组硅芯中的8对硅芯均分为4 个倍芯组,每个倍芯组包括相邻的两对硅芯,4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六功率柜的真空接触器分别与所述倍芯组并联连接,为硅芯加载电压。
作为本实用新型的优选方案,所述高压启动电源包括:可控型器件和单相升压变压器,所述可控型器件的输入为交流380V,并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电,所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出0~12KV高压交流电,所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源的输出端。
作为本实用新型的优选方案,所述具有串并联回路的功率柜比具有串联回路的功率柜多1个三极真空接触器和1台均流电抗器。
作为本实用新型的优选方案,所述控制系统还包括一台还原主变压器,6台所述功率柜通过所述还原主变压器进行供电。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:节约了设备投入成本,简化了控制系统,与现有技术的相比较具体如下:
1、配置4台高压启动电源,节省2台高压启动电源;
2、每台还原炉只需配置6个真空接触器,节省6个真空接触器;
3、每台还原炉只需配置3台具有并串联控制回路的功率柜、3台只有串联控制回路的功率柜,从而节省3个真空接触器和3台均流电抗器等;
4、高压启动电源与真空接触器的连接,以及每个真空接触器与每组硅芯的连接只需5根高压母线,每台还原炉节省至少12根高压电缆。
附图说明
图1是现有36对棒多晶硅还原炉的控制系统结构示意图;
图2为本实用新型一种36对棒多晶硅还原炉的控制系统结构示意图;
图2中的附图标记为:1第一高压启动电源,2第二高压启动电源,3第三高压启动电源,4第四高压启动电源,5第一五极真空接触器,6第二五极真空接触器,7第三极真空接触器,8第四五极真空接触器,9第五五极真空接触器,10第六五极真空接触器,11第一功率柜,12第二功率柜,13第三功率柜,14第四功率柜,15第五功率柜,16第六功率柜,A1第一组硅芯,A2第二组硅芯,B1第三组硅芯,B2第四组硅芯,C1第五组硅芯,C2第六组硅芯。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图2所示,一种36对棒多晶硅还原炉的控制系统,
所述控制系统包括:36对硅芯、4台高压启动电源、6个五极真空接触器、6台功率柜。
其还原炉内设置有36对硅芯,所述36对硅芯对应还原主变压器的A、B、C三相, 每相分为2组,所述36对硅芯分为6组,第一组硅芯A1、第三组B1、第五组硅芯C1组分别由4对硅芯组成,第二组硅芯A2、第四组硅芯B2、第六组硅芯C2组分别由8对硅芯组成:分为4 个倍芯组,每个倍芯组包括相邻的两对硅芯。
所述高压启动电源包括:可控型器件和单相升压变压器,所述可控型器件的输入为交流380V,并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电,通过升压变压器将低压交流电升压并输出0~12KV高压交流电,所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源的输出端。
如图2所示,所述高压启动电源的输入电压为AC380V,第一高压启动电源1输入端L1接A相,L2接B相;第二高压启动电源2输入端L1接B相,L2接A相;第三高压启动电源3输入端L1接A相,L2接B相,第四高压启动电源4输入端L1接B相,L2接A相;第一高压启动电源1输出端A2与第二高压启动电源2输出端A1短接,第二高压启动电源2输出端A2与第三高压启动电源3输出端A1短接,第三高压启动电源3输出端A2与第四高压启动电源4输出端A1短接。
4台高压启动电源1~4输出的5根高压母线,通过五极真空接触器第一五极真空接触器5连接到A1组硅芯A11~A14, 通过第二五极真空接触器6连接到A2组硅芯A21~A28, 通过第三五极真空接触器7连接到B1组硅芯B11~B14, 通过第四五极真空接触器8连接到B2组硅芯B21~B28, 通过第五五极真空接触器9连接到C1组硅芯C11~C14, 通过第六五极真空接触器10连接到C2组硅芯C21~C28。
A1、B1、C1组硅芯分别连接只有串联控制回路的功率柜,所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30~50A、电压条件400V~500V时,所述功率柜串联运行,向该组中的硅芯提供还原电源,继续后续的加热。
A2、B2、C2组硅芯分别连接具有并串联控制回路的功率柜,所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30~50A、电压条件800~1000V时,所述功率柜向该组中的硅芯提供还原电源:所述功率柜先并联运行,当输出电压电流达到电流150~180A、电压为2100V时,并联切换串联,切换到串联运行,继续后续的加热。
上述所有功率柜通过一台还原主变压器进行供电。
本实用新型所述的一种36对棒多晶硅还原炉的控制系统的启动过程分为两种方式,A1、B1、C1组的硅芯启动采用“1打1”方式,A2、B2、C2组的硅芯启动采用“1打2”方式。由于硅在常温时电阻率很高,不易导通,所以还原炉启动过程为:首先采用“1打1”方式启动A1、B1、C1组的硅芯,待这3组的硅芯启动完成后,还原炉内温度得到提高,再采用“1打2”方式启动A2、B2、C2组的硅芯。
“1打1”方式:即每台高压启动电源对应1对硅棒的方式进行击穿。首先用4台高压启动电源1~4启动A1、B1与C1组的4对硅芯时,分为两步完成,以启动A1组硅芯为例进行描述。
第一步,第一五极真空接触器5吸合, 所述高压启动电源1~4分别对A1组硅芯回路中的A11、A12、A13、A14这4对硅芯一一加载电压,每台所述高压启动电源击穿1对硅芯。
第二步,在击穿A11、A12、A13、A14这4对硅芯之后,高压启动电源1~4的输出电压电流达到均达到激活还原电源的电压电流条件时,第一五极真空接触器5断开,此时,第一功率柜11内的真空断路器吸合,串联运行,直至硅棒生长完成。
同理分别启动B1、C1组的硅芯,然后分别切换到第三功率柜13、第五功率柜15串联运行,直至硅棒生长完成。
“1打2”方式:即每台高压启动电源对应2对硅棒的方式进行击穿。在A1、B1、C1组硅芯采用“1打1”方式启动完后,还原炉内温度得到提高,A2、B2、C2组的硅芯采用“1打2”方式启动,也分成两步完成。再以启动A2组硅芯为例进行描述。
第一步,第二五极真空接触器6吸合, 所述高压启动电源1~4分别A2组的4个倍芯组加载电压,即每台所述高压启动电源击穿2对硅芯。
第二步,在击穿A11~A18这8对硅芯之后,高压启动电源1~4的输出电压电流达到均达到激活还原电源的电压电流条件时,第二五极真空接触器6断开,此时,第二功率柜12内的真空接触器吸合,并联运行。
当第二功率柜12输出电压电流达到并联切换串联的条件后,第二功率柜12内的真空接触器断开,真空断路器吸合,并联转为串联运行,直至硅棒生长完成。
然后,同理启动B2组的硅芯,切换到第四功率柜14并联运行,当第四功率柜14的输出电压电流达到并联切换串联的条件后,第四功率柜14内的真空接触器断开、真空断路器吸合,并联转为串联运行,直至硅棒生长完成。
再同理启动C2组的硅芯,切换到第六功率柜16并联运行,当第六功率柜16的输出电压电流达到并联切换串联的条件后,第六功率柜16内的真空接触器断开、真空断路器吸合,并联转为串联运行,直至硅棒生长完成。
综上,本实施例通过将36对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组,A1、B1、C1组为4对硅芯, A2、B2、C2组为8对硅芯;只需配置4台高压启动电源、每台还原炉只需配置6个五极真空接触器和6台功率柜:其中3台功率柜只有串联控制回路。从而节省2台高压启动电源,每台还原炉节省9个真空接触器、3台均流电抗器和至少12根高压电缆。从而使设备成本得到降低,控制系统得到简化。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种36对棒多晶硅还原炉控制系统,包括高压启动电源、五极真空接触器、功率柜、36对硅芯;其特征在于,
所述36对硅芯设置于还原炉内,所述36对硅芯分为6组:第一组硅芯、第二组硅芯、第三组硅芯、第四组硅芯、第五组硅芯、第六组硅芯,所述第一、第三、第五组硅芯分别由4对硅芯组成,所述第二、第四、第六组硅芯分别由8对硅芯组成;
所述高压启动电源为4台,4台所述高压启动电源组成和结构均相同,4台所述高压启动电源分别为第一高压启动电源、第二高压启动电源、第三高压启动电源、第四高压启动电源;
所述五极真空接触器为6个,6个所述五极真空接触器组成和结构均相同,6个所述五极真空接触器分别为第一五级真空接触器、第二五极真空接触器、第三五极真空接触器、第四五极真空接触器、第五五极真空接触器、第六五极真空接触器;
4台所述高压启动电源分别通过第一、第三、第五五极真空接触器与第一、第三、第五组的硅芯并联连接,4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六五极真空接触器与第二、第四、第六组的硅芯并联连接;
所述功率柜为6台,6台所述功率柜分别为第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、第四功率柜、第五功率柜、第六功率柜,所述第一、第三、第五功率柜具有串联回路,所述第二、第四、第六功率柜具有串并联回路;
所述第一、第三、第五组硅芯中,每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜,所述第二、第四、第六组硅芯中,每组硅芯分别连接第二、第四、第六功率柜。
2.根据权利要求1所述的36对棒多晶硅还原炉控制系统,其特征在于,所述第二、第四、第六组硅芯中的8对硅芯均分为4 个倍芯组,每个倍芯组包括相邻的两对硅芯,4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六功率柜中的真空接触器分别与所述倍芯组并联连接。
3.根据权利要求1所述的36对棒多晶硅还原炉控制系统,其特征在于,所述高压启动电源包括:可控型器件和单相升压变压器,所述可控型器件的输入为交流380V,并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电,所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出0~12KV高压交流电,所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源的输出端。
4.根据权利要求1所述的36对棒多晶硅还原炉控制系统,其特征在于,所述具有串并联回路的功率柜比具有串联回路的功率柜多1个三极真空接触器和1台均流电抗器。
5.根据权利要求1所述的36对棒多晶硅还原炉控制系统,其特征在于,所述控制系统还包括还原主变压器。
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