CN205488515U - 一种低电磁吸收比的天线 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。本实用新型的有益效果是: 可通过馈电单元分别与所述第一辐射单元、第二辐射单元形成耦合，实现辐射能量的平均分布，达到低电磁吸收比的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及天线，尤其涉及一种低电磁吸收比的天线。
背景技术
在2G与3G无限通信系统中，所支持的频率范围为824－960MHz, 1710－2170MHz。
随着第四代行动通信的普及，TDD-LTE与FDD-LTE的使用，在国内支持TDD-LTE 频段38/39/40/41，其频率范围从2300－2400MHz与2496－2790MHz， 同时北美支持FDD-LTE频段13与17，其频率范围为704－787MHz。
在受限于移动式装置的有效空间，需要设计支持多模的天线。在移动通信市场上，除强调通信品质的质量，也同时注重低电磁吸收比的天线设计，因此，如何设计一种低电磁吸收比的天线是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种低电磁吸收比的天线。
本实用新型提供了一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。
作为本实用新型的进一步改进，所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部和自所述馈电部的顶端往相反方向延伸的第一激发单元、第二激发单元，所述馈电部垂直于所述第一激发单元、第二激发单元，所述第一激发单元与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元、第二激发单元形成平衡式馈入。
作为本实用新型的进一步改进，所述馈电部的底端设有馈电点。
作为本实用新型的进一步改进，所述接地单元为直线状，所述接地单元的中点设有短路点，所述接地单元分别与所述第一激发单元、第二激发单元相平行。
作为本实用新型的进一步改进，所述第一辐射单元包括与所述接地单元连接的第一连接体和与所述第一连接体连接的第一辐射单体，所述第一连接体垂直于所述接地单元，所述第一辐射单体平行于所述接地单元。
作为本实用新型的进一步改进，所述第二辐射单元包括与所述接地单元连接的第二连接体和与所述第二连接体连接的第二辐射单体，所述第二连接体垂直于所述接地单元，所述第二辐射单体平行于所述接地单元。
作为本实用新型的进一步改进，所述第一辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第一激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合，所述第二辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第二激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合。
作为本实用新型的进一步改进，所述第一连接体、第一辐射单体的总长为X1，X1为低频800Hz的四分之一波长，所述第二连接体、第二辐射单体的总长为X2，X2为低频900Hz的四分之一波长。
作为本实用新型的进一步改进，所述馈电部、第一激发单元的总长为Y1, Y1略低于或者低于低频800Hz的四分之一波长，所述馈电部、第二激发单元的总长为Y2, Y2略低于或者低于低频900Hz的四分之一波长。
作为本实用新型的进一步改进，所述第一辐射单体远离所述第一连接体的一端设有第一开路，所述第二辐射单体远离所述第二连接体的一端设有第二开路。
本实用新型的有益效果是：通过上述方案，可通过馈电单元分别与所述第一辐射单元、第二辐射单元形成耦合，实现辐射能量的平均分布，达到低电磁吸收比的目的。
附图说明
图1是本实用新型一种低电磁吸收比的天线的示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。
图1中的附图标号为：短路点1；馈电点2；接地单元3；第一辐射单体4；第一连接体5；第一开路6；第二辐射单体7；第二开路8；第二连接体9；馈电部10；第一激发单元11；第二激发单元12。
如图1所示，一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元3、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元3的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元3的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。
如图1所示，所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部10和自所述馈电部10的顶端往相反方向延伸的第一激发单元11、第二激发单元12，所述馈电部10垂直于所述第一激发单元11、第二激发单元12，所述第一激发单元11与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元12与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元11、第二激发单元12形成平衡式馈入，通过平衡式馈入将辐射能量平均分布在所述第一激发单元11、第二激发单元12上，以达到低电磁吸收比的作用。
如图1所示，所述馈电部10的底端设有馈电点2。
如图1所示，所述接地单元3为直线状，所述接地单元3的中点设有短路点1，所述接地单元3分别与所述第一激发单元11、第二激发单元12相平行。
如图1所示，所述第一辐射单元包括与所述接地单元3连接的第一连接体5和与所述第一连接体5连接的第一辐射单体4，所述第一连接体5垂直于所述接地单元3，所述第一辐射单体4平行于所述接地单元3。
如图1所示，所述第二辐射单元包括与所述接地单元3连接的第二连接体9和与所述第二连接体9连接的第二辐射单体7，所述第二连接体9垂直于所述接地单元3，所述第二辐射单体7平行于所述接地单元3。
如图1所示，所述第一辐射单体4在所述接地单元3上的投影与所述第一激发单元11在所述接地单元3上的投影至少有部分相重合，所述第二辐射单体7在所述接地单元3上的投影与所述第二激发单元12在所述接地单元3上的投影至少有部分相重合，透过所述第一激发单元11与所述第一辐射单体4的间距与长度的设计构成第一耦合单元，透过所述第二激发单元12与所述第二辐射单体7的间距与长度的设计构成第一耦合单元。
如图1所示，所述第一连接体5、第一辐射单体4的总长度为X1，X1为低频800Hz的四分之一波长，所述第二连接体9、第二辐射单体7的总长度为X2，X2为低频900Hz的四分之一波长。
如图1所示，所述馈电部10、第一激发单元11的总长度为Y1, Y1略低于或者低于低频800Hz的四分之一波长，所述馈电部10、第二激发单元12的总长度为Y2, Y2略低于或者低于低频900Hz的四分之一波长，透过X1、X2、Y1、Y2的适当的长度设计与辐射单体、激发单元间的间距设计，便可达到支持704－960MHz与1710－2690MHz的天线系统。
如图1所示，所述第一辐射单体4远离所述第一连接体5的一端设有第一开路6，所述第二辐射单体7远离所述第二连接体9的一端设有第二开路8，所述第一开路6、第二开路8形成所述框形的开口。
本实用新型提供的一种低电磁吸收比的天线，适用于移动终端平板或笔记本的天线，使用此设计，除可支持国内各大电信使用频段，亦可支持欧美4G频段，实现终端全球漫游，本公开实用新型利用移动终端的有限空间进行天线设计，其拥有支持目前世界各大电信商提供的2G、3G与4G频段，同时拥有很好的辐射效率。
本实用新型提供的一种低电磁吸收比的天线，第一辐射单元是接地单元3的的延伸并平行于接地单元3，且一端为开口；第二辐射单元是接地单元3的的延伸并平行于接地单元3，且一端为开口；馈电点2经过一段路径后，分岔为两个路径，分别与所述的第一辐射单元与第二辐射单元形成耦合；第一辐射单元、第二辐射单元为平面的图形，也可为立体的图形；
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种低电磁吸收比的天线，其特征在于：包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。
2.根据权利要求1所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部和自所述馈电部的顶端往相反方向延伸的第一激发单元、第二激发单元，所述馈电部垂直于所述第一激发单元、第二激发单元，所述第一激发单元与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元、第二激发单元形成平衡式馈入。
3.根据权利要求2所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述馈电部的底端设有馈电点。
4.根据权利要求3所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述接地单元为直线状，所述接地单元的中点设有短路点，所述接地单元分别与所述第一激发单元、第二激发单元相平行。
5.根据权利要求4所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第一辐射单元包括与所述接地单元连接的第一连接体和与所述第一连接体连接的第一辐射单体，所述第一连接体垂直于所述接地单元，所述第一辐射单体平行于所述接地单元。
6.根据权利要求5所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第二辐射单元包括与所述接地单元连接的第二连接体和与所述第二连接体连接的第二辐射单体，所述第二连接体垂直于所述接地单元，所述第二辐射单体平行于所述接地单元。
7.根据权利要求6所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第一辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第一激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合，所述第二辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第二激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合。
8.根据权利要求7所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第一连接体、第一辐射单体的总长为X1，X1为低频800Hz的四分之一波长，所述第二连接体、第二辐射单体的总长为X2，X2为低频900Hz的四分之一波长。
9.根据权利要求8所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述馈电部、第一激发单元的总长为Y1, Y1略低于或者低于低频800Hz的四分之一波长，所述馈电部、第二激发单元的总长为Y2, Y2略低于或者低于低频900Hz的四分之一波长。
10.根据权利要求7所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第一辐射单体远离所述第一连接体的一端设有第一开路，所述第二辐射单体远离所述第二连接体的一端设有第二开路。
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2016
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