CN205463504U - 一种上蜡机晶片清洗系统 - Google Patents

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Jiangsu Li Long Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Abstract

本实用新型提供一种上蜡机晶片清洗系统,属于蓝宝石晶片加工技术设备领域,包括酒精量筒和酒精喷射装置,所述酒精量筒和所述酒精喷射装置之间通过酒精管连接,酒精喷射装置包括酒精喷头、电磁阀、高压气管,所述酒精喷射装置底部设置一酒精喷头,所述酒精喷头上面设置一电磁阀,所述酒精喷射装置上部设置一高压气管。本实用新型采用酒精溶剂,通过电磁阀全自动控制酒精滴入晶片,利用酒精的易挥发性把晶片本身或环境产生的微尘挥发在空气中,达到晶片清洗的目的。

Description

一种上蜡机晶片清洗系统
技术领域
本实用新型属于蓝宝石晶片加工技术设备领域,具体涉及在晶片上蜡前清洗晶片的一种上蜡机晶片清洗系统。
背景技术
现有技术中,晶片上蜡贴片是蓝宝石晶片加工过程的重要环节。由于晶片本身的光滑度及生产环境等原因,晶片上蜡贴片过程中,在蜡液和晶片的粘合面容易产生微尘及颗粒物,从而导致贴片后的晶片上留有气泡及其他异物,大大降低了晶片表面质量,也会对晶片的后续加工及使用造成影响。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种在晶片上蜡贴片前首先对晶片进行全自动清洗的上蜡机晶片清洗系统。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种上蜡机晶片清洗系统,用于晶片上蜡前的清洗,其特征在于:包括酒精量筒和酒精喷射装置,所述酒精量筒和所述酒精喷射装置之间通过酒精管连接。
优选的,所述酒精喷射装置包括酒精喷头、电磁阀、高压气管;所述酒精喷射装置底部设置一酒精喷头,所述酒精喷头上面设置一电磁阀,所述酒精喷射装置上部设置一高压气管。
优选的,在所述酒精量筒上设置有控制开关。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型应用于晶片上蜡机,在晶片上蜡前对晶片进行清洗,采用酒精溶剂,利用酒精的易挥发性把晶片本身或环境产生的微尘挥发除去,达到晶片清洗的目的。本实用新型通过电磁阀全自动控制酒精滴入晶片,通过控制开关控制酒精流量,通过高速旋转装置将晶片上的酒精甩干,本实用新型使蓝宝石晶片在贴片时表面洁净度达到最好,贴片后无气泡异物等现象,大大提高了晶片的表面质量。
附图说明
图1是本实用新型实施例的结构示意图;
图中标记为:1、晶片;2、酒精量筒;3、酒精喷射装置;4、酒精管;5、酒精喷头;6、电磁阀;7、高压气管;8、控制开关。
具体实施方式
下面结合附图实施例,对本实用新型做进一步描述:
如图1所示,本实用新型一种上蜡机晶片清洗系统,用于晶片1上蜡前的清洗,包括酒精量筒2和酒精喷射装置3,酒精量筒2和酒精喷射装置3之间通过酒精管4连接。所述酒精喷射装置3包括酒精喷头5、电磁阀6、高压气管7;所述酒精喷射装置3底部设置一酒精喷头5,所述酒精喷头上面设置一电磁阀6,所述酒精喷射装置3上部设置一高压气管7。酒精量筒2上设置有控制开关10。
本实用新型工作原理和工作过程如下:蓝宝石晶片1制作过程的首要动作即“上腊”, 首先启动高压气管7,将酒精量筒2内酒精利用气压通过酒精管4从酒精量筒2抽到酒精喷射装置3内;启动电磁阀6,电磁阀6控制酒精从酒精喷头5处喷射在晶片1的上蜡面,晶片1高速旋转将表面的酒精甩干,达到清洗目的。随后液体蜡均匀的涂抹在已经清洗过的晶片1上,再将晶片1正面置放贴附于圆盘内,经过加压、冷却后,晶片1固定于盘面,完成上腊的工艺过程。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非是对本实用新型作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本实用新型技术方案的保护范围。

Claims (3)

1.一种上蜡机晶片清洗系统,用于晶片(1)上蜡前的清洗,其特征在于:包括酒精量筒(2)和酒精喷射装置(3),所述酒精量筒(2)和所述酒精喷射装置(3)之间通过酒精管(4)连接。
2.根据权利要求1所述的上蜡机晶片清洗系统,其特征在于:所述酒精喷射装置(3)包括酒精喷头(5)、电磁阀(6)、高压气管(7);所述酒精喷射装置(3)底部设置一酒精喷头(5),所述酒精喷头上面设置一电磁阀(6),所述酒精喷射装置(3)上部设置一高压气管(7)。
3.根据权利要求2所述的上蜡机晶片清洗系统,其特征在于:在所述酒精量筒(2)上设置有控制开关(8)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108554934A (zh) * 2018-04-12 2018-09-21 新疆中泰化学阜康能源有限公司 设备润滑点清理装置及使用方法

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Patentee after: Jiangsu Li Long Semiconductor Technology Co., Ltd.

Address before: 266114 Shandong Qingdao high tech Industrial Development Zone, Hedong Road North

Patentee before: Qingdao Jiaxing Electronic Technology Co., Ltd.

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Granted publication date: 20160817

Termination date: 20200128

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