CN205452307U - 一种黑硅太阳电池片的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种黑硅太阳电池的封装结构,包括覆盖在所述的黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2,所述的封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1;所述的黑硅太阳电池4由黑硅太阳电池片6所串联而成的电池串串联构成,相邻的黑硅太阳电池片6通过焊带进行连接固定,其特征在于:所述的减反射玻璃镀膜层1的厚度为111nm~139nm。本新型的黑硅太阳电池的封装结构能够提高封装所得到的黑硅太阳电池组件的功率。
Description
技术领域
本实用新型属于光伏组件领域,具体涉及一种黑硅太阳电池片的封装结构。
背景技术
黑硅太阳电池电池片由于具有较高的光电转换效率,正逐渐受到越来越多的厂家的青睐。其特点在于使用反应离子干法腐蚀工艺对太阳能电池片表面进行刻蚀,使表面产生纳米化绒面,并使表面电子发射微米和纳米结构得到重新分布,从而捕获更多的太阳光能、减少阻耗、减少电子空穴的重新结合带来的损耗、使得电池片的发射光损失在300纳米至1000纳米波长的范围内都在5%以下,并提高光电转化效率。黑硅电池片本身的抗机械振动和抗撞击的能力很差,为了保证其能在户外环境下使用20年以上,必须对太阳电池片进行组件封装,以满足防风、防尘、放湿、防腐蚀等要求。在封装过程中,首先需要将多个电池片通过焊带串联成电池串,再将电池串与电池串通过汇流条串联在一起,成为黑硅太阳电池组件。在常规的黑硅太阳电池组件中,电池串与电池串的间距为1.5~3.5mm,电池串中的电池片与电池片的间距为1.5~3.5mm;焊带的厚度为0.25~0.26mm,宽度为1.3~1.6mm。随后,还需要使用超白光伏玻璃板作为封装玻璃,覆盖在电池上。封装玻璃可以保护电池片,使其能忍受室外苛刻的条件。为降低封装玻璃在特定波段光谱的反射,从而提高封装玻璃的透光率,需要在玻璃的表面镀减反射玻璃镀膜层。目前,常规黑硅太阳能电池的封装所使用的封装玻璃的减反射玻璃镀膜层的厚度为160~220nm。
目前,封装后的黑硅太阳电池组件具有以下缺点:
(1)封装玻璃的减反射玻璃镀膜层多为光伏玻璃厂家所直接提供,其厚度固定,不能与黑硅太阳能电池响应最佳波长(580~720nm)实现良好的光学匹配;
(2)常规黑硅太阳能电池的封装所使用的焊带尺寸未能实现太阳能电池功率的最大化:目前的焊带的厚度过小,导致焊带电阻过高,电阻上的功率消耗高,导致太阳能电池功率的降低。然而,焊带厚度的加厚也有可能导致组件碎片率的升高;
(3)黑硅太阳能电池板中电池片的间距未能充分利用电池片之间及电池串之间的空隙的对光的反射的再吸收。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种黑硅太阳电池的封装结构,其能够提高封装所得到的黑硅太阳电池组件的功率。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种黑硅太阳电池的封装结构,包括覆盖在所述的黑硅太阳电池表面的封装玻璃,所述的封装玻璃上镀有减反射玻璃镀膜层;所述的黑硅太阳电池组件由黑硅太阳电池片所串联而成的电池串串联构成,相邻的黑硅太阳电池片通过焊带进行连接固定,其特征在于:所述的减反射玻璃镀膜层的厚度为111nm~139nm。
通过理论计算得知,当减反射玻璃镀膜层的厚度略小于现有的厚度,为111~139nm时,能实现与580~720nm的最佳波长的更好的光学匹配,降低封装后的能量损失。发明人通过多次实验比对,发现当减反射玻璃膜层的厚度为111~139nm时,封装得到的黑硅太阳电池组件的功率要比当减反射玻璃镀膜层的厚度为160~220nm时封装得到的组件的功率高0.5%。
本实用新型还可以进一步作以下的改进:所述的焊带的厚度为0.26mm~0.28mm,宽度为1.15mm~1.3mm。
上述的焊带厚度略大于现有的焊带的厚度,宽度略小于现有的焊带的宽度。实践显示,该焊带尺寸不会导致组件碎片率增加,并能够降低焊带电阻,减少焊带上的功率消耗,从而提高太阳能电池的组件的功率。发明人经过实验比对,发现使用上述的焊带尺寸制作的光伏组件的功率要比使用现有的焊带尺寸制作的光伏组件的功率高0.6%左右。
本实用新型还可以进一步作以下的改进:所述的电池串之间的间距为3.5~4.5mm,电池串之中的黑硅太阳电池片之间的间距为3.5~4.5mm。
通过增加电池串之间的间距和电池片之间的间距,可以充分利用电池片与电池片的之间及电池串与电池串之间的空隙对光的反射的再吸收,提高组件的功率。发明人经过实验比对,发现当电池串和电池串之间的间距为3.5~4.5mm,电池片和电池片的间距为3.5~4.5mm时,所制作的光伏组件的功率要比现有的光伏组件的功率高0.2%左右。
在封装中所使用的玻璃镀膜液优选为全封孔结构镀膜液,如DSM公司生产的镀膜液。
本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型通过对黑硅太阳电池片封装结构中的减反射玻璃镀膜层的厚度、焊带的尺寸以及电池串和电池片之间的间距略作调整,有效地增加了黑硅太阳电池组件对光的吸收,降低了封装损失,提高了光电转换功率。此外,由于尺寸变化并不大,因此不需要对生产工艺及组件生产工序中所使用的设备、夹具进行调整,便于推广。
附图说明
下面通过说明书附图和具体实施例,对本实用新型进行进一步的说明:
图1为本实用新型的封装结构的剖面图;
图2为本实用新型的黑硅太阳电池的未示出焊带的结构示意图。
附图标记:1-减反射玻璃镀膜层;2-封装玻璃;3-EVA层;4-黑硅太阳电池;6-黑硅太阳电池片。
具体实施方式
实施例1
如图1~2所示,在一个优选的实施例中,本实用新型的黑硅太阳电池的封装结构包括覆盖在黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2,封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1,且黑硅太阳电池4和封装玻璃2之间分别通过EVA层3粘结。黑硅太阳电池4的主体由黑硅太阳电池片6所串联成的电池串通过汇流条串联组成,相邻的黑硅太阳电池片通过焊带进行连接固定;所述的减反射玻璃镀膜层的厚度为139nm,所述的焊带的厚度为0.28mm,焊带的宽度为1.3mm,所述的电池串之间的间距为4.5mm,电池串之中的黑硅太阳电池片6之间的间距为4.5mm。
实施例2
如图1~2所示,在另一个优选的实施例中,本实用新型的黑硅太阳电池的封装结构包括覆盖在黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2,封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1,且黑硅太阳电池4和封装玻璃2之间分别通过EVA层3粘结。黑硅太阳电池4的主体由黑硅太阳电池片6所串联成的电池串通过汇流条串联组成,相邻的黑硅太阳电池片通过焊带进行连接固定;所述的减反射玻璃镀膜层的厚度为111nm,所述的焊带的厚度为0.265mm,焊带的宽度为1.15mm,所述的电池串之间的间距为3.55mm,电池串之中的黑硅太阳电池片6之间的间距为3.55mm。
实施例3
如图1~2所示,在第三个优选的实施例中,本实用新型的黑硅太阳电池的封装结构包括覆盖在黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2,封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1,且黑硅太阳电池4和封装玻璃2之间分别通过EVA层3粘结。黑硅太阳电池4的主体由黑硅太阳电池片6所串联成的电池串通过汇流条串联组成,相邻的黑硅太阳电池片通过焊带进行连接固定;所述的减反射玻璃镀膜层的厚度为125nm,所述的焊带的厚度为0.27mm,焊带的宽度为1.12mm,所述的电池串之间的间距为4mm,电池串之中的黑硅太阳电池片6之间的间距为4mm。
Claims (3)
1.一种黑硅太阳电池的封装结构,包括覆盖在所述的黑硅太阳电池(4)表面的封装玻璃(2),所述的封装玻璃(2)上镀有减反射玻璃镀膜层(1);所述的黑硅太阳电池(4)由黑硅太阳电池片(6)所串联而成的电池串串联构成,相邻的黑硅太阳电池片(6)通过焊带进行连接固定,其特征在于:所述的减反射玻璃镀膜层(1)的厚度为111nm~139nm。
2.根据权利要求1所述的黑硅太阳电池的封装结构,其特征在于:所述的焊带的厚度为0.26mm~0.28mm,宽度为1.15mm~1.3mm。
3.根据权利要求1或2所述的黑硅太阳电池的封装结构,其特征在于:所述的电池串之间的间距为3.5~4.5mm,电池串中的黑硅太阳电池片(6)之间的间距为3.5~4.5mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201521092299.4U CN205452307U (zh) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 一种黑硅太阳电池片的封装结构 |
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CN201521092299.4U CN205452307U (zh) | 2015-12-25 | 2015-12-25 | 一种黑硅太阳电池片的封装结构 |
Publications (1)
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CN205452307U true CN205452307U (zh) | 2016-08-10 |
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ID=56586211
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Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108091716A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-29 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种双玻组件 |
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2015
- 2015-12-25 CN CN201521092299.4U patent/CN205452307U/zh active Active
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