CN205360245U - 过压保护电路及植入式有源电子医疗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种过压保护电路及植入式有源电子医疗装置。所述过压保护电路包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器。其中，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极或漏极相连，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极或漏极相连。本实用新型实施例提供的过压保护电路及植入式有源电子医疗装置能够避免因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及植入式医疗器械技术领域，尤其涉及一种过压保护电路及植入式有源电子医疗装置。
背景技术
植入式医疗电子设备正在取代传统便携式医疗器械成为医疗研发热点，植入式医疗在恢复和监测人体机能的健康数据方面更为方便，快捷，准确性更高。
可充电植入式医疗器械需通过体外充电器对植入体内的医疗设备进行充电，其通过电磁感应的原理实现能量的传输。当植入式医疗设备处于变化磁场中时，其耦合线圈两端会产生感应电压，当变化磁场足够强时，感应电压会超过器件的应力上限，会损坏植入设备中的电子器件，对人体产生危害，严重时会有生命危险。
实用新型内容
针对上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种过压保护电路，以避免因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。
第一方面，本实用新型实施例提供了一种过压保护电路，所述电路包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器，所述第一MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第一输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第一输入端子连接，所述第二MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第二输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第二输入端子连接，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，并且所述第三MOS场效应管与所述第四MOS场效应管的栅极与过压检测电路的输出端连接。
进一步的，所述第一MOS场效应管的栅极同与之连接的第三MOS场效应管的源极或漏极之间串联有第一限流电阻，所述第二MOS场效应管的栅极同与之连接的第四MOS场效应管的源极或漏极之间串联有第二限流电阻。
进一步的，所述桥式整流器的输入端口的两个输入端子之间并联有第一保护电容。
进一步的，所述桥式整流器的输出端口的两个输出端子之间并联有第二保护电容。
进一步的，若所述过压检测电路未检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS场效应管导通，而若所述过压检测电路检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS场效应管截止。
进一步的，所述桥式整流器是单相桥式整流器。
第二方面，本实用新型实施例还提供了一种植入式有源电子医疗装置，所述装置包括如上第一方面所述的过压保护电路。
本实用新型实施例提供的过压保护电路及植入式有源电子医疗装置，通过四个MOS场效应管控制输入信号与后级电路之间的通断，实现了对后级电路的过压保护，从而有效的避免了因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本实用新型第一实施例提供的过压保护电路的电路结构图；
图2是本实用新型第二实施例提供的植入式有源电子医疗装置的结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
第一实施例
本实施例提供了过压保护电路的一种技术方案。参见图1，在该技术方案中，所述过压保护电路包括：第一MOS场效应管Q1、第二MOS场效应管Q2、第三MOS场效应管Q3、第四MOS场效应管Q4、桥式整流器M1、第一限流电阻R1、第二限流电阻R2、第一保护电容C1及第二保护电容C2。
示例性的，所述第一MOS场效应管Q1的漏极与所述过压保护电路的一个输入端子连接，所述第一MOS场效应管Q1的源极与所述桥式整流器M1的一个输入端子连接，并且所述第一MOS场效应管Q1的栅极通过所述第一限流电阻R1与所述第三MOS场效应管Q3的源极连接。
示例性的，所述第二MOS场效应管Q2的漏极与所述过压保护电路的另一个输入端子连接，所述第二MOS场效应管Q2的源极与所述桥式整流器M1的另一个输入端子连接，并且所述第二MOS场效应管Q2的栅极通过所述第二限流电阻R2与所述第四MOS场效应管Q4的源极连接。
示例性的，所述第三MOS场效应管Q3的源极与所述第一限流电阻R1的一端连接，所述第三MOS场效应管Q3的漏极与所述过压保护电路的两个输出端子中接地的一个输出端子连接，所述第三MOS场效应管Q3的栅极与过压检测电路的输出端相连接。
同样示例性的，所述第四MOS场效应管Q4的源极与所述第二限流电阻R2的一端连接，所述第四MOS场效应管Q4的漏极同样与所述过压保护电路的两个输出端子中接地的一个输出端子连接，所述第四MOS场效应管Q4的栅极也与所述过压检测电路的输出端连接。
所述桥式整流器M1的两个输入端子分别与所述第一MOS场效应管及所述第二MOS场效应管的源极连接。并且，在所述桥式整流器M1的两个输入端子之间还并联有第一保护电容C1。
所述桥式整流器M1的两个输出端子就是所述过压保护电路的两个输出端子。在这两个输出端子之间还并联有第二保护电容C2。所述两个输出端子中的一个接地，而另一个并不接地。
而且，所述桥式整流器是单相桥式整流器。
在没有检测到过电压时，所述过压检测电路通过输出高电平或者低电平控制所述第三MOS场效应管Q3及所述第四MOS场效应管Q4导通。此时，所述第一MOS场效应管Q1及所述第二MOS场效应管Q2也导通。所述桥式整流器M1正常工作，后级电路能够接收到由输入的交流电压转换得到的直流驱动电压。
如果检测到过电压，所述过压检测电路控制所述第三MOS场效应管Q3及所述第四MOS场效应管Q4截止。此时，所述第一MOS场效应管Q1及所述第二MOS场效应管Q2也截止。所述桥式整流器M1停止工作，后级电路不能接收到由输入的交流电压转换得到的驱动电压。
需要说明的是，在所述过压保护电路中的四个MOS场效应管可以是增强型MOS场效应管，也可以是耗尽型MOS场效应管。并且，上述四个MOS场效应管的源极和漏极可以互换，本实用新型对此不作限制。
本实施例通过四个MOS场效应管控制输入信号与后级电路之间的通断，实现了对后级电路的过压保护，从而有效的避免了因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。
第二实施例
本实施例提供了植入式有源电子医疗装置的一种技术方案。在该技术方案中，所述植入式有源电子医疗装置可以是植入式脑深部电刺激装置、植入式脑皮层刺激装置、植入式脊髓电刺激装置、植入式骶神经电刺激装置，或者植入式迷走神经电刺激装置。无论是何种类型的装置，所述植入式有源电子医疗装置是被植入人体的装置，并不包含人体以外的任何组件。
最为核心的，所述植入式有源电子医疗装置包含本实用新型第二实施例提供的所述过压保护电路。通过内置的过压保护电路，所述植入式有源电子医疗装置能够避免无线充电过程中的过电压对自身的电路元件造成损坏。
在本实用新型的描述中，除非另有规定或说明，术语“连接”应做广义理解。例如，“连接”可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用于限制本实用新型，对于本领域技术人员而言，本实用新型可以有各种改动和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器，所述第一MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第一输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第一输入端子连接，所述第二MOS场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第二输入端子连接，另一个与所述桥式整流器的第二输入端子连接，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，并且所述第三MOS场效应管与所述第四MOS场效应管的栅极与过压检测电路的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述第一MOS场效应管的栅极同与之连接的第三MOS场效应管的源极或漏极之间串联有第一限流电阻，所述第二MOS场效应管的栅极同与之连接的第四MOS场效应管的源极或漏极之间串联有第二限流电阻。
3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器的输入端口的两个输入端子之间并联有第一保护电容。
4.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器的输出端口的两个输出端子之间并联有第二保护电容。
5.根据权利要求3或4所述的过压保护电路，其特征在于，若所述过压检测电路未检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS场效应管导通，而若所述过压检测电路检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS场效应管截止。
6.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器是单相桥式整流器。
7.一种植入式有源电子医疗装置，其特征在于，所述植入式有源电子医疗装置包括权利要求1至6任一所述的过压保护电路。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN105655970A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-08 | 苏州景昱医疗器械有限公司 | 过压保护电路及植入式有源电子医疗装置 |
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- 2015-12-30 CN CN201521127953.0U patent/CN205360245U/zh active Active
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