CN205319279U - 适用于大功率传输的倒置微带线结构 - Google Patents

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CN205319279U CN201620008812.5U CN201620008812U CN205319279U CN 205319279 U CN205319279 U CN 205319279U CN 201620008812 U CN201620008812 U CN 201620008812U CN 205319279 U CN205319279 U CN 205319279U
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陈晓凡
杨迎新
任建东
徐晓勇
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Abstract

适用于大功率传输的倒置微带线结构,涉及射频传输技术领域。本实用新型包括上下隔开设置的绝缘介质1和接地导体4,绝缘介质1下表面置有导体2。其结构特点是,所述导体2下表面置有高辐射率涂层3,接地导体4上表面置有高吸收率涂层5。同现有技术相比,本实用新型能在降低微带线损耗的同时有效提高散热能力,具有成本低结构简单的特点,适用于大功率传输。

Description

适用于大功率传输的倒置微带线结构
技术领域
本实用新型涉及射频传输技术领域,特别是适用于大功率传输的倒置微带线结构。
背景技术
在广播和通信等系统中,射频功率的传输是一个核心的问题。射频功率传输通常采用射频传输线,目前广泛使用的射频传输线结构有同轴线、微带线、带状线等,其中同轴线不是平面结构传输线,通常用于机外功率传输。在机内功率传输中常用的传输线为如图1的微带线和如图2的带状线。
微带线和带状线各有优劣。微带线结构简单、制作方便、尺寸小重量轻,可使用成熟的PCB工艺制造因此精度较高、成本很低,但是只能承受小功率传输,损耗也较大。而带状线则恰恰相反,能够承受大功率传输,损耗很小,但是结构复杂、制作困难、尺寸和重量很大、制造成本很高。总的来看,出于成本尺寸和易于批量生产的考量,现在微带线的应用越来越广泛,但是仍然局限在小功率应用,功率承受能力大多局限在200W以下。在中大功率应用中不得不使用带状线结构,大大增加了成本。
微带线损耗较大的主要原因是绝缘介质的存在增加了传输线的介质损耗和导体损耗。现有技术中,为了降低微带线损耗的一种改进是采用倒置微带线结构,如图3所示。在倒置微带结构中,大部分电场存在与空气层中,因此大大降低了损耗。但是,倒置微带结构的导体带线被绝缘介质1和接地导体4覆盖,散热更加困难。因此,倒置微带结构并不能显著提升大功率传输能力。
发明内容
针对上述现有技术中存在的不足,本实用新型的目的是提供一种适用于大功率传输的倒置微带线结构。它能在降低微带线损耗的同时有效提高散热能力,具有成本低结构简单的特点,适用于大功率传输。
为了达到上述发明目的,本实用新型的技术方案以如下方式实现:
适用于大功率传输的倒置微带线结构,它包括上下隔开设置的绝缘介质1和接地导体4,绝缘介质1下表面置有导体2。其结构特点是,所述导体2下表面置有高辐射率涂层3,接地导体4上表面置有高吸收率涂层5。
本实用新型由于采用上述结构,增加了高辐射率、高吸收率、高表面电阻的表面涂层,利用辐射散热原理,有效改善倒置微带线的散热条件。使用本实用新型结构的微带传输线具有功率容量大、温升低、结构简单的优点,可广泛应用于广播电视发射机、通信基站、雷达等大功率射频应用。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
附图说明
图1为现有技术中微带线的结构示意图;
图2为现有技术中带状线的结构示意图;
图3为现有技术中倒置微带线的结构示意图;
图4为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
参看图4,本实用新型适用于大功率传输的倒置微带线结构,它包括上下隔开设置的绝缘介质1和接地导体4,绝缘介质1下表面置有导体2。导体2下表面置有高辐射率涂层3,接地导体4上表面置有高吸收率涂层5。
本实用新型结构中,倒置微带线导体2上由于损耗产生的热量,通过高辐射率涂层3辐射出去,被接地导体4表面的高吸收率涂层5所吸收,实现良好的散热。
本实用新型经过实测,传输3KW射频功率时,倒置微带线的表面温度由150度下降到90度,完全可以满足长时间稳定运行的要求。
本实用新型辐射散热结构既可以用于均匀传输线,也可以应用于分配器、合成器、滤波器等射频元件中。

Claims (1)

1.适用于大功率传输的倒置微带线结构,它包括上下隔开设置的绝缘介质(1)和接地导体(4),绝缘介质(1)下表面置有导体(2),其特征在于,所述导体(2)下表面置有高辐射率涂层(3),接地导体(4)上表面置有高吸收率涂层(5)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105514554A (zh) * 2016-01-07 2016-04-20 北京同方吉兆科技有限公司 一种适用于大功率传输的倒置微带线结构

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