CN205249502U - 一种低温自动加热保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种低温自动加热保护电路，包括电压比较器N1、驱动器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1的第1引脚与所述驱动器N2的第2引脚连接，电压比较器N1的第2引脚分别通过电阻R12连接电源VCC，电压比较器N1的第6引脚分别通过电阻R13连接电源VCC，MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极，三极管Q1的发射极分别与加热管J1的负极，电压比较器N1通过热敏电阻R12和R13的电阻值的变化输出控制信号控制驱动器N2输出驱动信号控制加热管J1加热。本实用新型的有益效果是避免将热敏电阻直接接在加热主回路上，在小电流时加热元件受到的影响小。
Description
技术领域
本实用新型属于加热技术领域，尤其是涉及一种低温自动加热保护电路。
背景技术
在现有的技术中现有的恒温加热电路中热敏电阻是直接连接在加热主回路上，当温度逐渐升高，电阻也随着增大，会限制加热电流，小电流时加热元件将会受到的影响，使功率低，加热的功率较低。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术不足，提供一种低温自动加热保护电路，它避免将热敏电阻直接接在加热主回路上，在小电流时加热元件受到的影响小。
本实用新型的技术方案是：一种低温自动加热保护电路，包括电压比较器N1、驱动器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1的第1引脚与所述驱动器N2的第2引脚连接，所述电压比较器N1的第2引脚分别通过电阻R12连接电源VCC和通过电阻R8接地，所述电压比较器N1的第3引脚分别通过电阻R1连接电源VCC和通过电阻R2接地，所述电压比较器N1的第4引脚接地，所述电压比较器N1的第5引脚分别通过电阻R5连接电源VCC和通过电阻R6接地，所述电压比较器N1的第6引脚分别通过电阻R13连接电源VCC和通过电阻R4接地，所述电压比较器N1的第7引脚与驱动器N2的第1引脚连接，所述电压比较器N1的第8引脚连接电源；
所述驱动器N2的第1引脚通过电阻R7连接电源VCC，驱动器N2的第2引脚通过电阻R8连接电源VCC，驱动器N2的第3引脚接地，所述驱动器N2的第4引脚分别通过电阻R9接地和通过电阻R11连接三极管Q1的基极，所述驱动器N2的第5引脚连接电源VCC；
所述三极管Q1的集电极通过电阻R10连接电源，所述三极管Q1的发射极分别与加热管J1的负极和地连接；
所述MOS管V1的栅极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管V1的源极连接电源VCC，所述MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极。
进一步，所述电压比较器N1采用芯片为LM2903。
进一步，所述MOS管V1为P沟道MOS管。
进一步，所述驱动器N2采用芯片为SN74LVC1G126。
进一步，所述电阻R12和电阻R13为热敏电阻。
进一步，所述三极管Q1为NPN三极管。
本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，由于采用了上述技术方案，本发明避免了将热敏电阻直接接在加热主回路上，加热功率大，在小电流时加热元件受到的影响小。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做详细说明。
如图1本实用新型的结构示意图所示，本实用新型提供一种低温自动加热保护电路，包括电压比较器N1、驱动器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1的第1引脚与所述驱动器N2的第2引脚连接，所述电压比较器N1的第2引脚分别通过电阻R12连接电源VCC和通过电阻R8接地，所述电压比较器N1的第3引脚分别通过电阻R1连接电源VCC和通过电阻R2接地，所述电压比较器N1的第4引脚接地，所述电压比较器N1的第5引脚分别通过电阻R5连接电源VCC和通过电阻R6接地，所述电压比较器N1的第6引脚分别通过电阻R13连接电源VCC和通过电阻R4接地，所述电压比较器N1的第7引脚与驱动器N2的第1引脚连接，所述电压比较器N1的第8引脚连接电源；
所述驱动器N2的第1引脚通过电阻R7连接电源VCC，驱动器N2的第2引脚通过电阻R8连接电源VCC，驱动器N2的第3引脚接地，所述驱动器N2的第4引脚分别通过电阻R9接地和通过电阻R11连接三极管Q1的基极，所述驱动器N2的第5引脚连接电源VCC；
所述三极管Q1的集电极通过电阻R10连接电源，所述三极管Q1的发射极分别与加热管J1的负极和地连接；
所述MOS管V1的栅极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管V1的源极连接电源VCC，所述MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极。
所述电压比较器N1采用芯片为LM2903。所述MOS管V1为P沟道MOS管。所述驱动器N2采用芯片为SN74LVC1G126。所述电阻R12和电阻R13为热敏电阻。所述三极管Q1为NPN三极管。
本实例的工作过程：本实用新型提供的低温自动加热保护电路，R12，R13均为热敏电阻，温度下降时，电阻值增大，温度上升时，电阻值不断减小。
常温状态下，电阻R12电阻值小于24K，此时电压比较器N1的输入IN1+电压低于IN1-，输出OUT1为低电平；电阻R13常温电阻值大于3K，此时电压比较器N1的输入IN2+电压高于IN2-，输出OUT2为高电平，此时驱动器N2的输出OUT3为低电平，三极管Q1处于截止状态，从而使MOS管V1处于截止状态，加热管J1的正极无电压。
随着温度下降，电阻R12电阻值不断减小，当温度降至零摄氏度时，电阻R12电阻值大于24K，此时电压比较器N1的输入IN1+电压高于IN1-，输出OUT1为高电平；电阻R13电阻值大于3K，此时电压比较器N1的输入IN2+电压高于IN2-，输出OUT2为高电平，此时驱动器N2的输出OUT3为高电平，三极管Q1处于打开状态，使MOS管V1处于打开状态，加热管J1开始工作，设备温度开始上升。
由于电阻R13放置在加热管J1上，随着加热管J1温度的不断上升，电阻R13的阻值不断减小，当加热管J1温度上升到加热温度时，电阻R13的阻值小于3K，此时电压比较器N1的输入IN2+电压低于IN2-，输出OUT2为低电平，驱动器N2的使能脚OE为低电平，驱动器N2输出OUT3为高阻态，三极管Q1处于截止状态，从而使MOS管V1处于截止状态，加热管J1正极无电压，停止加热。
以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (6)
1.一种低温自动加热保护电路，其特征在于：包括电压比较器N1、驱动器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1的第1引脚与所述驱动器N2的第2引脚连接，所述电压比较器N1的第2引脚分别通过电阻R12连接电源VCC和通过电阻R8接地，所述电压比较器N1的第3引脚分别通过电阻R1连接电源VCC和通过电阻R2接地，所述电压比较器N1的第4引脚接地，所述电压比较器N1的第5引脚分别通过电阻R5连接电源VCC和通过电阻R6接地，所述电压比较器N1的第6引脚分别通过电阻R13连接电源VCC和通过电阻R4接地，所述电压比较器N1的第7引脚与驱动器N2的第1引脚连接，所述电压比较器N1的第8引脚连接电源；
所述驱动器N2的第1引脚通过电阻R7连接电源VCC，驱动器N2的第2引脚通过电阻R8连接电源VCC，驱动器N2的第3引脚接地，所述驱动器N2的第4引脚分别通过电阻R9接地和通过电阻R11连接三极管Q1的基极，所述驱动器N2的第5引脚连接电源VCC；
所述三极管Q1的集电极通过电阻R10连接电源，所述三极管Q1的发射极分别与加热管J1的负极和地连接；
所述MOS管V1的栅极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管V1的源极连接电源VCC，所述MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极。
2.根据权利要求1所述的低温自动加热保护电路，其特征在于：所述电压比较器N1采用芯片为LM2903。
3.根据权利要求1所述的低温自动加热保护电路，其特征在于：所述MOS管V1为P沟道MOS管。
4.根据权利要求1所述的低温自动加热保护电路，其特征在于：所述驱动器N2采用芯片为SN74LVC1G126。
5.根据权利要求1所述的低温自动加热保护电路，其特征在于：所述电阻R12和电阻R13为热敏电阻。
6.根据权利要求1所述的低温自动加热保护电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN三极管。
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|---|---|---|---|
| CN201521046912.9U CN205249502U (zh) | 2015-12-15 | 2015-12-15 | 一种低温自动加热保护电路 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN (1) | CN205249502U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105578623A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-05-11 | 天津光电通信技术有限公司 | 一种自动加热电路 |
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2015
- 2015-12-15 CN CN201521046912.9U patent/CN205249502U/zh active Active
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |