CN205092791U - 一种基于自举方式的h桥控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于自举方式的H桥控制电路，包括绝缘栅双极型晶体管一、驱动芯片、自举电容，所述绝缘栅双极型晶体管一对侧设置有绝缘栅双极型晶体管二，所述绝缘栅双极型晶体管二下方设置有绝缘栅双极型晶体管三，所述绝缘栅双极型晶体管三对侧设置有绝缘栅双极型晶体管四，所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四之间设置有励磁线圈，所述励磁线圈一端设置有永磁开关，所述驱动芯片两侧设置有功能引脚，所述驱动芯片一侧连接有所述自举电容，所述自举电容一侧设置有自举二极管。有益效果在于：采用驱动芯片结合控制单片机的程序，以简易的方式实现了对H桥的自举及控制，实现成本低。
Description
技术领域
本实用新型涉及电力控制领域，特别是涉及一种基于自举方式的H桥控制电路。
背景技术
随着电子技术的不断发展，永磁开关在电路中得到了广泛的应用，并进一步朝快速化研发，一些永磁开关由于是单线圈励磁，需要对励磁线圈提供双向电流，因此必须用H桥控制电路的方式来实现，关于四个缘栅双极型晶体管组成的全桥电路，目前已经有较成熟的驱动芯片，但是驱动芯片的工作都是基于一定频率的控制，而对于H桥当普通双向开关的控制，目前还没有系统成型的方法，主要涉及的问题是隔离电源的处理，基于以上原因，需要一种基于自举方式的H桥控制电路，以简易的方式实现了对H桥的自举及控制，实现成本低，效果好。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种基于自举方式的H桥控制电路。
为解决现有技术问题，本实用新型公开了一种基于自举方式的H桥控制电路，包括绝缘栅双极型晶体管一、驱动芯片、自举电容，所述绝缘栅双极型晶体管一对侧设置有绝缘栅双极型晶体管二，所述绝缘栅双极型晶体管二下方设置有绝缘栅双极型晶体管三，所述绝缘栅双极型晶体管三对侧设置有绝缘栅双极型晶体管四，所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四之间设置有励磁线圈，所述励磁线圈一端设置有永磁开关，所述驱动芯片两侧设置有功能引脚，所述驱动芯片一侧连接有所述自举电容，所述自举电容一侧设置有自举二极管。
上述结构中，所述绝缘栅双极型晶体管一、所述绝缘栅双极型晶体管二、所述绝缘栅双极型晶体管三和所述绝缘栅双极型晶体管四构成H桥电路的主体，所述驱动芯片通过控制所述自举电容和所述自举二极管实现对H桥电路的自举及控制。
作为本实用新型的优选方案，所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四连接在同一线路上，所述绝缘栅双极型晶体管二和所述绝缘栅双极型晶体管三连接在同一线路上。
作为本实用新型的优选方案，四个绝缘栅双极型晶体管通过中间设置的所述励磁线圈和所述永磁开关构成H桥形电路。
作为本实用新型的优选方案，H桥电路一侧连接有所述驱动芯片，所述功能引脚焊接在所述驱动芯片两侧。
作为本实用新型的优选方案，所述驱动芯片另一侧电路上设置有所述自举电容和所述自举二极管。
本实用新型的有益效果在于：采用驱动芯片结合控制单片机的程序，以简易的方式实现了永磁开关的双向励磁，方便对H桥的自举及控制，实现成本低，无需增加额外的隔离电源。
附图说明
图1为本实用新型一种基于自举方式的H桥控制电路的主视图；
图2为本实用新型一种基于自举方式的H桥控制电路的驱动结构示意图；
附图标记说明如下：
1、绝缘栅双极型晶体管一；2、励磁线圈；3、永磁开关；4、绝缘栅双极型晶体管二；5、绝缘栅双极型晶体管三；6、绝缘栅双极型晶体管四；7、功能引脚；8、驱动芯片；9、自举电容；10、自举二极管。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
如图1-图2所示，一种基于自举方式的H桥控制电路，包括绝缘栅双极型晶体管一1、驱动芯片8、自举电容9，绝缘栅双极型晶体管一1对侧设置有绝缘栅双极型晶体管二4，绝缘栅双极型晶体管二4下方设置有绝缘栅双极型晶体管三5，绝缘栅双极型晶体管三5对侧设置有绝缘栅双极型晶体管四6，绝缘栅双极型晶体管作为电力半导体场控自关断器件，具有输进阻抗高，电压控制功耗低等特性，四个绝缘栅双极型晶体管通过电路连接构成H桥电路的主体，绝缘栅双极型晶体管一1和绝缘栅双极型晶体管四6之间设置有励磁线圈2，励磁线圈2一端设置有永磁开关3，励磁线圈2用以在电能作用下产生激励电流控制永磁开关3的运行，驱动芯片8两侧设置有功能引脚7，驱动芯片8用以驱动H桥电路的工作，功能引脚7用以连接电路的各个功能部件，驱动芯片8一侧连接有自举电容9，用以存储电荷，自举电容9一侧设置有自举二极管10，用以防止电流倒灌，二极管和电容共同作用实现H桥控制电路的自举。
上述结构中，绝缘栅双极型晶体管一1、绝缘栅双极型晶体管二4、绝缘栅双极型晶体管三5和绝缘栅双极型晶体管四6构成H桥电路的主体，驱动芯片8通过控制自举电容9和自举二极管10实现对H桥电路的自举及控制。
作为本实用新型的优选方案，绝缘栅双极型晶体管一1和绝缘栅双极型晶体管四6连接在同一线路上，绝缘栅双极型晶体管二4和绝缘栅双极型晶体管三5连接在同一线路上，四个绝缘栅双极型晶体管通过中间设置的励磁线圈2和永磁开关3构成H桥形电路，H桥电路一侧连接有驱动芯片8，功能引脚7焊接在驱动芯片8两侧，驱动芯片8另一侧电路上设置有自举电容9和自举二极管10。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种基于自举方式的H桥控制电路，其特征在于：包括绝缘栅双极型晶体管一、驱动芯片、自举电容，所述绝缘栅双极型晶体管一对侧设置有绝缘栅双极型晶体管二，所述绝缘栅双极型晶体管二下方设置有绝缘栅双极型晶体管三，所述绝缘栅双极型晶体管三对侧设置有绝缘栅双极型晶体管四，所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四之间设置有励磁线圈，所述励磁线圈一端设置有永磁开关，所述驱动芯片两侧设置有功能引脚，所述驱动芯片一侧连接有所述自举电容，所述自举电容一侧设置有自举二极管。
2.根据权利要求1所述的一种基于自举方式的H桥控制电路，其特征在于：所述绝缘栅双极型晶体管一和所述绝缘栅双极型晶体管四连接在同一线路上，所述绝缘栅双极型晶体管二和所述绝缘栅双极型晶体管三连接在同一线路上。
3.根据权利要求1所述的一种基于自举方式的H桥控制电路，其特征在于：四个绝缘栅双极型晶体管通过中间设置的所述励磁线圈和所述永磁开关构成H桥形电路。
4.根据权利要求1所述的一种基于自举方式的H桥控制电路，其特征在于：H桥电路一侧连接有所述驱动芯片，所述功能引脚焊接在所述驱动芯片两侧。
5.根据权利要求1所述的一种基于自举方式的H桥控制电路，其特征在于：所述驱动芯片另一侧电路上设置有所述自举电容和所述自举二极管。
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| CN201520796407.XU CN205092791U (zh) | 2015-10-16 | 2015-10-16 | 一种基于自举方式的h桥控制电路 |
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| CN205092791U true CN205092791U (zh) | 2016-03-16 |
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| CN (1) | CN205092791U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019026045A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Indian Institute Of Science | GRID ATTACK CIRCUIT WITH BIPOLAR PRIMING CAPACITY |
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2015
- 2015-10-16 CN CN201520796407.XU patent/CN205092791U/zh not_active Expired - Fee Related
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