CN205085360U - 铝合金实心圆铸锭铸造盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及铝合金实心圆铸锭铸造盘,包括铸造盘,所述铸造盘的上表面设有主流槽,所述主流槽一端为入口,所述主流槽的另一端被封堵,所述主流槽的两侧各设有六个与所述主流槽连通的支路流槽,每个所述支路流槽的两侧分别设有三个与该支路流槽连通的结晶器,所述结晶器的深度不小于9.4米。本实用新型解决了实心圆铸锭铸造过程中过流量不足和结晶器前端与末端存在较大温差问题,同时避免因此而产生的质量问题;提高产品质量,降低生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及铝合金铸造工艺,具体涉及铝合金实心圆铸锭铸造盘。
背景技术
先前,在生产铝合金实心圆铸锭规格为Φ120时,满盘铸造支数为120支,铸造长度为4.8米,这样,铸造时熔体流量需求相比其他规格大很多。因此,常常在铸造中后期过滤板单位时间的过滤量小于此时铸造所需的熔体流量,存在铸造盘上结晶器前端与末端存在较大温差的问题,在使用相同过滤板规格的情况下,无法正常铸造。因而只能采用长期振动过滤板来增加熔体流量或者增加过滤板的尺寸,从而来满足铸造条件。但这种做法却带来了很大的弊端,大大的增加了夹渣概率或增加了使用成本,出现产品质量缺陷。轻则改产品尺寸,增加了废品量;重则整炉报废。Φ127、Φ152两种规格的实心圆铸锭在铸造过程中同样存在上述问题。这样一来,存在产品合格率降低、生产成本增加。
发明内容
本实用新型的目的是提出一种铝合金实心圆铸锭铸造盘,以解决实心圆铸锭铸造过程中过流量不足的问题,同时避免因此而产生的质量问题。
本实用新型所述铝合金实心圆铸锭铸造盘,包括铸造盘,所述铸造盘的上表面设有主流槽,所述主流槽一端为入口,所述主流槽的另一端被封堵,所述主流槽的两侧各设有六个与所述主流槽连通的支路流槽,每个所述支路流槽的两侧分别设有三个与该支路流槽连通的结晶器,所述结晶器的深度不小于9.4米。
本实用新型所述的铸造盘,由于减少了结晶器的数量,改进了熔体的流动方向,使得对熔体流量要求降低,降低每排结晶器的温差现象,避免了熔体流量不足的情况,提高了成品率,同时加深结晶器,将铸造长度改为9.4米,一根铸棒能够加工出两根长度为4.5米的铸棒,单位熔次切头、尾重量减少了约50%,减少了浪费,降低了成本。
附图说明
图1为现有铸造盘的结构示意图;
图2为本实用新型所述的铸造盘的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图2所示的铝合金实心圆铸锭铸造盘,包括铸造盘1,所述铸造盘1的上表面设有主流槽2,所述主流槽2一端为入口,所述主流槽2的另一端被封堵,所述主流槽2的两侧各设有六个与所述主流槽2连通的支路流槽3,每个所述支路流槽3的两侧分别设有三个与该支路流槽3连通的结晶器4,所述结晶器4的深度不小于9.4米。
采用上述铸造盘1铸造铝合金实心圆铸锭的方法,包括:
A)按照铝合金的成分进行配料,将配料后的原料进行熔炼;
B)将熔炼后的熔体导入保温炉,并采用混合气体进行精炼,所述混合气体为氯气与氩
气的混合气体;
C)将步骤B)得到的熔体依次进行在线除气与在线过滤;
D)将步骤C)得到的熔体导入上述的铸造盘1中进行铸造,铸造速度为150~160mm/min,铸造温度炉内为730℃~750℃,铸造完成后得到长度为9.4米的铸棒;
E)将步骤D)得到9.4米的铸棒分割成两根长度为4.5米的铸棒。
进一步,步骤B)中的混合气体中氯气与氩气的体积比为1:9。氯气在上浮的过程中与熔体的Na、Ca等产生化学反应生成NaCl、CaCl2到达除Ca、Na的目的,利用氩气对各类夹杂物的吸附作用,将各类夹杂物除去,利用物理的方法,不仅未带入附加杂质,而且简化了精炼工序。体积比为1:9为最佳配比,采用上述混合气体能够提高铸棒的品质。
具体的,图1为现有铸造盘5,其铸造支数为120支,设置有共120个结晶器。铸造长度为4.8米可以锯切120支4.5米的铸棒。图2为本实用新型所述的铸造盘,减少了结晶器的数量,改进了熔体的流动方向,在铸造过程中减少结晶器前端与末端存在较大温差的现象,铸造支数为72支,并延长铸造长度,改进后可以铸造72支9.4米可以锯切144支4.5米的铸棒,单位熔次切头、尾重量减少了约50%,并且能够获得更多的长度为4.5m的铸棒,提升了铸造效率。本实用新型的方法还适用于Φ127、Φ152两种规格的实心圆铸锭进行铸造,对这两种规格的实心圆铸锭进行铸造时需要对铸造速度进行适应性调整。文中的铸棒即为圆铸锭,图1和图2中的箭头为熔体流动方向。
Claims (1)
1.铝合金实心圆铸锭铸造盘,其特征在于:包括铸造盘(1),所述铸造盘(1)的上表面设有主流槽(2),所述主流槽(2)一端为入口,所述主流槽(2)的另一端被封堵,所述主流槽(2)的两侧各设有六个与所述主流槽(2)连通的支路流槽(3),每个所述支路流槽(3)的两侧分别设有三个与该支路流槽(3)连通的结晶器(4),所述结晶器(4)的深度不小于9.4米。
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