CN204993304U - 一种利用mos管电容充放电延迟实现的环形振荡器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管。

Description

一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器

技术领域

本实用新型涉及振荡器，尤其涉及到利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。

背景技术

为了得到振荡信号，设计了一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。

发明内容

本实用新型旨在提供一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。

一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管：

所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第二PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；

所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极节所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第四PMOS管的栅极节所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极节电源电压VCC；

所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；

所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；

所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；

所述第七PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第八PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

所述第八PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第七PMOS管的漏极；

所述第四NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第八PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第五NMOS管的漏极；

所述第五NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地；

所述第六NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第十PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

所述第十PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，源极接所述第九PMOS管的漏极；

所述第七NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第十PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，源极接所述第八NMOS管的漏极；

所述第八NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第七NMOS管的源极，源极接地；

所述第九NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十一PMOS管的栅极接所述第九PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第十二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

所述第十二PMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，漏极接所述第十NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，源极接所述第十一PMOS管的漏极；

所述第十NMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极和所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，源极接所述第十一NMOS管的漏极；

所述第十一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接所述第十NMOS管的源极，源极接地；

所述第十二NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十三PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；

所述第十三NMOS管的栅极接所述第十三PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二PMOS管的栅极通过所述第二PMOS管的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第一电阻构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第二NMOS管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一PMOS管导通使得所述第三PMOS管的栅极拉高，所述第三PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第一电阻上的电流是所述第一NMOS管的阈值电压除以所述第一电阻，再通过所述第五PMOS管镜像给所述第一PMOS管、所述第四PMOS管、所述第六PMOS管、所述第七PMOS管、所述第九PMOS管和所述第十一PMOS管，然后再通过所述第六PMOS管传给所述第三NMOS管，所述第三NMOS管通过镜像给所述第五NMOS管、所述第八NMOS管和所述第十一NMOS管；所述第六NMOS管、所述第九NMOS管和所述第十二NMOS管这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第六NMOS管形成的电容充电电流由所述第七PMOS管漏极流出的电流决定，对所述第六NMOS管形成的电容放电电流由所述第五NMOS管漏极流出的电流决定；对所述第九NMOS管形成的电容充电电流由所述第九PMOS管漏极流出的电流决定，对所述第九NMOS管形成的电容放电电流由所述第八NMOS管漏极流出的电流决定；对所述第十二NMOS管形成的电容充电电流由所述第十一PMOS管漏极流出的电流决定，对所述第十二NMOS管形成的电容放电电流由所述第十一NMOS管漏极流出的电流决定。

附图说明

图1为本实用新型的利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器，如图1所示，包括第一PMOS管101、第二PMOS管102、第三PMOS管103、第四PMOS管104、第五PMOS管105、第一NMOS管106、第二NMOS管107、第一电阻108、第六PMOS管109、第三NMOS管110、第七PMOS管201、第八PMOS管202、第四NMOS管203、第五NMOS管204、第六NMOS管205、第九PMOS管206、第十PMOS管207、第七NMOS管208、第八NMOS管209、第九NMOS管210、第十一PMOS管211、第十二PMOS管212、第十NMOS管213、第十一NMOS管214、第十二NMOS管215、第十三PMOS管301和第十三NMOS管302：

所述第一PMOS管101的栅极接所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极，漏极接所述第二PMOS管102的源极和所述第三PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第二PMOS管102的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管101的漏极和所述第三PMOS管103的栅极；

所述第三PMOS管103的栅极接所述第一PMOS管101的漏极和所述第二PMOS管102的源极，漏极节所述第四PMOS管104的漏极和所述第一NMOS管106的栅极和漏极和所述第二NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第四PMOS管104的栅极节所述第一PMOS管101的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极，漏极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第一NMOS管106的栅极和漏极和所述第二NMOS管107的栅极，源极节电源电压VCC；

所述第五PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，源极接电源电压VCC；

所述第一NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管103的漏极和所述第二NMOS管107的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第四PMOS管104的漏极和所述第一NMOS管106的栅极和漏极，漏极接所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极，源极接所述第一电阻108的一端；

所述第一电阻108的一端接所述第二NMOS管107的源极，另一端接地；

所述第六PMOS管109的栅极接所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第三NMOS管110的栅极和漏极和所述第五NMOS管204的栅极和所述第八NMOS管209的栅极和所述第十一NMOS管214的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第三NMOS管110的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管109的漏极和所述第五NMOS管204的栅极和所述第八NMOS管209的栅极和所述第十一NMOS管214的栅极，源极接地；

所述第七PMOS管201的栅极接所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第九PMOS管206的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第八PMOS管202的源极，源极接电源电压VCC；

所述第八PMOS管202的栅极接所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二PMOS管212的漏极和所述第十NMOS管213的漏极和所述第十二NMOS管215的栅极和所述第十三PMOS管301的栅极和所述第十三NMOS管302的栅极，漏极接所述第四NMOS管203的漏极和所述第六NMOS管205的栅极和所述第十PMOS管207的栅极和所述第七NMOS管208的栅极，源极接所述第七PMOS管201的漏极；

所述第四NMOS管203的栅极接所述第八PMOS管202的栅极和所述第十二PMOS管212的漏极和所述第十NMOS管213的漏极和所述第十二NMOS管215的栅极和所述第十三PMOS管301的栅极和所述第十三NMOS管302的栅极，漏极接所述第八PMOS管202的漏极和所述第六NMOS管205的栅极和所述第十PMOS管207的栅极和所述第七NMOS管208的栅极，源极接所述第五NMOS管204的漏极；

所述第五NMOS管204的栅极接所述第六PMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极和漏极和所述第八NMOS管209的栅极和所述第十一NMOS管214的栅极，漏极接所述第四NMOS管203的源极，源极接地；

所述第六NMOS管205的栅极接所述第八PMOS管202的漏极和所述第四NMOS管203的漏极和所述第十PMOS管207的栅极和所述第七NMOS管208的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第九PMOS管206的栅极接所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第十一PMOS管211的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第十PMOS管207的源极，源极接电源电压VCC；

所述第十PMOS管207的栅极接所述第八PMOS管202的漏极和所述第四NMOS管203的漏极和所述第六NMOS管205的栅极和所述第七NMOS管208的栅极，漏极接所述第七NMOS管208的漏极和所述第九NMOS管210的栅极和所述第十二PMOS管212的栅极和所述第十NMOS管213的栅极，源极接所述第九PMOS管206的漏极；

所述第七NMOS管208的栅极接所述第十PMOS管207的栅极和所述第八PMOS管202的漏极和所述第四NMOS管203的漏极和所述第六NMOS管205的栅极，漏极接所述第十PMOS管207的漏极和所述第九NMOS管210的栅极和所述第十二PMOS管212的栅极和所述第十NMOS管213的栅极，源极接所述第八NMOS管209的漏极；

所述第八NMOS管209的栅极接所述第六PMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极和漏极和所述第五NMOS管204的栅极和所述第十一NMOS管214的栅极，漏极接所述第七NMOS管208的源极，源极接地；

所述第九NMOS管210的栅极接所述第十PMOS管207的漏极和所述第七NMOS管208的漏极和所述第十二PMOS管212的栅极和所述第十NMOS管213的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十一PMOS管211的栅极接所述第九PMOS管206的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管109的栅极和所述第七PMOS管201的栅极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第十二PMOS管212的源极，源极接电源电压VCC；

所述第十二PMOS管212的栅极接所述第十PMOS管207的漏极和所述第七NMOS管208的漏极和所述第九NMOS管210的栅极和所述第十NMOS管213的栅极，漏极接所述第十NMOS管213的漏极和所述第八PMOS管202的栅极和所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二NMOS管215的栅极和所述第十三PMOS管301的栅极和所述第十三NMOS管302的栅极，源极接所述第十一PMOS管211的漏极；

所述第十NMOS管213的栅极接所述第十二PMOS管212的栅极和所述第十PMOS管207的漏极和所述第七NMOS管208的漏极和所述第九NMOS管210的栅极，漏极接所述第十二PMOS管212的漏极和所述第八PMOS管202的栅极和所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二NMOS管215的栅极和所述第十三PMOS管301的栅极和所述第十三NMOS管302的栅极，源极接所述第十一NMOS管214的漏极；

所述第十一NMOS管214的栅极接所述第六PMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极和漏极和所述第五NMOS管204的栅极和所述第八NMOS管209的栅极，漏极接所述第十NMOS管213的源极，源极接地；

所述第十二NMOS管215的栅极接所述第八PMOS管202的栅极和所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二PMOS管212的漏极和所述第十NMOS管213的漏极和所述第十三PMOS管301的栅极和所述第十三NMOS管302的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十三PMOS管301的栅极接所述第八PMOS管202的栅极和所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二PMOS管212的漏极和所述第十NMOS管213的漏极和所述第十三NMOS管302的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；

所述第十三NMOS管302的栅极接所述第十三PMOS管301的栅极和所述第八PMOS管202的栅极和所述第四NMOS管203的栅极和所述第十二PMOS管212的漏极和所述第十NMOS管213的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。

所述第一PMOS管101、所述第二PMOS管102和所述第三PMOS管103构成启动电路部分，所述第二PMOS管103的栅极通过所述第二PMOS管102的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NMOS管106、所述第二NMOS管107和所述第一电阻108构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一NMOS管106镜像给所述第二NMOS管107进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管105和所述第四PMOS管104反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一PMOS管101导通使得所述第三PMOS管103的栅极拉高，所述第三PMOS管103的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第一电阻108上的电流是所述第一NMOS管106的阈值电压除以所述第一电阻108，再通过所述第五PMOS管105镜像给所述第一PMOS管101、所述第四PMOS管104、所述第六PMOS管109、所述第七PMOS管201、所述第九PMOS管206和所述第十一PMOS管211，然后再通过所述第六PMOS管109传给所述第三NMOS管110，所述第三NMOS管110通过镜像给所述第五NMOS管204、所述第八NMOS管209和所述第十一NMOS管214；所述第六NMOS管205、所述第九NMOS管210和所述第十二NMOS管215这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第六NMOS管205形成的电容充电电流由所述第七PMOS管201漏极流出的电流决定，对所述第六NMOS管205形成的电容放电电流由所述第五NMOS管204漏极流出的电流决定；对所述第九NMOS管210形成的电容充电电流由所述第九PMOS管206漏极流出的电流决定，对所述第九NMOS管210形成的电容放电电流由所述第八NMOS管209漏极流出的电流决定；对所述第十二NMOS管215形成的电容充电电流由所述第十一PMOS管211漏极流出的电流决定，对所述第十二NMOS管215形成的电容放电电流由所述第十一NMOS管214漏极流出的电流决定。

Claims (1)

1.一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器，其特征在于：包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管；

所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第二PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；

所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极节所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第四PMOS管的栅极节所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极节电源电压VCC；

所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；

所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；

所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；

所述第七PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第八PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

所述第八PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第七PMOS管的漏极；

所述第四NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第八PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第五NMOS管的漏极；

所述第五NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地；

述第六NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第十PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

述第十PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，源极接所述第九PMOS管的漏极；

所述第七NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极，漏极接所述第十PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，源极接所述第八NMOS管的漏极；

所述第八NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第七NMOS管的源极，源极接地；

所述第九NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十一PMOS管的栅极接所述第九PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第十二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；

所述第十二PMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极，漏极接所述第十NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，源极接所述第十一PMOS管的漏极；

所述第十NMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极和所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，源极接所述第十一NMOS管的漏极；

所述第十一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，漏极接所述第十NMOS管的源极，源极接地；

述第十二NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；

所述第十三PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；

所述第十三NMOS管的栅极接所述第十三PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。