CN2049351U - 十字梁岛结构的硅力传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属半导体力传感器领域,包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式,力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处,用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比,本器件体积小,灵敏度高,而且稳定性、一致性也好,成本也较低。可广泛应用于小量程范围的力的测量、医用脉波测量等领域。
Description
本实用新型属半导体力传感器领域,是一种硅膜芯片为十字梁、岛结构的力传感器。
在已有的力传感器,一般采用悬臂梁结构。这种结构,加工工艺比较复杂,梁和支架的连接也比较困难。梁上的力敏器件往往是用特种胶粘贴上去的电阻应变片,这样,由于梁、应变片、胶粘剂和边框支架的材料种类不同,它们的温度系数也不可能完全相同,这不利于传感器性能保持稳定,特别是影响温度稳定性和长期时漂。这种传感器体积较大,使用寿命较短,一致性较差,成本比较高。
本实用新型对现有的力传感器结构加以改进,提出了一种器件体积小,稳定性好,使用寿命长,成本比较低的硅力传感器。
新的力传感器包括硅膜芯片、力敏电阻、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片的结构设计如下:(1)芯片为十字梁岛形式。即芯片的中心部位是一个正方形硅岛,其边长为芯片线度的1/4~1/2,硅岛四边中点部位延伸出四条硅梁(应变梁),构成十字形,四条梁分别与芯片的四周边框连接。梁的大小的设计原则为,对灵敏度要求较高的力传感器,可将梁取得长些、薄些,对灵敏度要求不高的力传感器,可将梁取得短些、厚些,如果为了获得器件高的灵敏度,对梁的宽度设计,在能容得下力敏电阻的前提下,越窄越好。具体的说,应变梁大小的取值范围为:梁的长度为硅岛边长的1/10~1/2,厚度为硅岛厚度的1/10~1/2,梁的宽度为梁长度的1/10~1/2。(2)力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处,它可以为四端力敏元件,也可以为四个力敏电阻组成的力敏全桥。(3)硅岛的厚度要比芯片边框的厚度略小些,相差范围为2-30微米,具体根据器件结构参数和量程确定。这样的设计使硅岛底部比边框底部略高,与玻璃底板间有一些空隙,当外力从正面作用于硅岛上时,岛将向下略有位移。当外力超过一定量时,岛与底板相抵,从而实现过载保护。
附图1为力传感器的硅膜芯片结构平面示意图。图2中的(a)、(b)、(c)分别为硅膜芯片在A-A′、B-B′、C-C′处的剖示图。图3为力传感器的结构示意图。其中,1为硅膜芯片,2为硅岛,3为硅梁,4为力敏电阻,5为芯片边框,6为管座,7为玻璃底板。
本力传感器的芯片设计示例:芯片面积为5×6平方毫米,厚度为220微米,硅岛边长取2毫米,厚度200微米,硅梁长取700微米,宽取267微米,厚取100微米,敏感元件采用四端力敏电阻。本力传感器的实施如下:选用(001)晶面的抛光硅片,用硅材料腐蚀工艺从背面两次腐蚀,得硅岛2,将硅岛的底部腐蚀去一薄层,用作过载保护;从正面腐蚀穿硅片,形成四条硅梁3;采用常规的半导体离子注入工艺,在梁的近端点处制作力敏电阻4,电阻端头用浓栅和金属布线连接和引出。将芯片1用静电键合在装有陶瓷管座6的特种玻璃做成的底板7上。芯片和管座间用金丝或铅丝压焊连接。再测试、封装,即得所需的力传感器(参见附图2)。
由于本力传感器的芯片采用十字梁、岛结构,可缩小器件体积,提高器件的灵敏度。同时,这种结构便于采用集成电路工艺,从而使力传感器的应变梁、边框、硅岛、力敏电阻可在同一芯片上形成,不存在前面所说的不同材料之间的不匹配问题,有利于提高的器件的稳定性、一致性和使用寿命,有利于降低成本。
本实用新型可应用于小量程力或重量的测量(例如制作小量程电子称)、医用脉波测量等,也可以用于加速度的测量。
Claims (1)
- 一种半导体力传感器,由硅膜芯片、力敏电阻、陶瓷管座、玻璃底板几个部分组成,其特征在于:(1)所说的硅膜芯片为十字梁、岛结构:(a)硅岛为正方形,边长为芯片线度的1/4~1/2,(b)硅岛四边中点部位与芯片边框有四条硅梁连接,硅梁长度为硅岛边长的1/10~1/2,厚度为硅岛厚度的1/10~1/2,宽度为其长度的1/10~1/2;(2)力敏电阻设置在硅梁接近边框的端点处;(3)硅岛厚度比芯片边框的厚度小2~30微米,以形成过载保护。
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CN 89208086 CN2049351U (zh) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 十字梁岛结构的硅力传感器 |
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CN2049351U true CN2049351U (zh) | 1989-12-13 |
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- 1989-05-30 CN CN 89208086 patent/CN2049351U/zh not_active Withdrawn
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