CN204893721U - 硅片磨削力动态信号检测装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种硅片磨削力动态信号检测装置，包括内轴、砂轮、三维测力平台和传感系统信号处理器，所述被测硅片固定在三维测力平台上，砂轮固定在内轴上磨削被测硅片，三维测力平台将加工过程中的磨削力发送给传感系统信号处理器，所述三维测力平台包括圆环电容单元组和条状电容单元组，圆环电容单元组用于测切向力和法向力的大小，条状电容单元组用于测量切向力的方向，本实用新型对磨床动态特性和砂轮磨削性能进行监控,并根据磨削力对砂轮进给速度等工艺参数进行实时调整。

Description

硅片磨削力动态信号检测装置

技术领域

本实用新型属于精密仪器加工领域，涉及到超精密硅片加工，具体涉及到一种硅片磨削力动态信号检测装置。

背景技术

超精密磨削硅片的加工过程中,磨削力一方面直接反映了磨削振动和砂轮磨损等磨削状态；另一方面,磨削力不仅会引起机床的变形,影响硅片加工精度,而且会导致硅片磨削表面损伤,对硅片加工表面质量有很大的影响，特别在硅片背面磨削减薄加工中,由于加工硅片厚度越来越薄,磨削力的变化,极易引起硅片破碎，因而,在磨削硅片过程中在线检测磨削力动态信号,对磨床动态特性和砂轮磨削性能进行监控,并根据磨削力对砂轮进给速度等工艺参数进行实时调整,实现控制力磨削,使磨削过程处于最佳状态,对于提高硅片加工精度和表面质量,保证硅片加工成品率非常必要。但现有的磨削测力仪都有各自的应用范围和使用条件，使用具有较大的局限性，国外的一些测力仪工艺要求高、成本高，不适合广泛使用。

发明内容

为了克服以上现有技术的不足，本实用新型提供一种硅片磨削力动态信号检测装置，通过在工作台与被测硅片之间设置测力仪，监测硅片磨削过程中的动态力信号，以便根据磨削力对砂轮进给速度进行实时调整。

本实用新型的技术方案是：一种硅片磨削力动态信号检测装置，包括内轴、砂轮、三维测力平台和传感系统信号处理器，所述被测硅片固定在三维测力平台上，砂轮固定在内轴上磨削被测硅片，三维测力平台将加工过程中的磨削力发送给传感系统信号处理器，所述三维测力平台包括多个三维力传感器，所述三维力传感器包括圆环电容单元组和条状电容单元组，所述条状电容单元组设置在圆环电容单元组外基板的四角，圆环电容单元组包括两对以上圆环电容单元对，所述圆环电容单元对包括两个圆环电容单元，所述条状电容单元组包括X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括两个以上相互形成差动的电容单元模块，所述电容单元模块是由两个以上的条状电容单元组成的梳齿状结构，每个圆环电容单元和条状电容单元均包括上极板的驱动电极和下极板的感应电极。

本实用新型硅片磨削力动态信号检测装置，所述传感系统信号处理器包括信号放大器、数据采集卡和工控机，所述三维力传感器的输出信号经信号放大器转换和放大后生成模拟信号,数据采集卡将放大器输出的模拟信号转换为数字信号并输入工控机。所述每个圆环电容单元的感应电极和驱动电极正对且形状相同，所述每个条状电容单元的驱动电极和感应电极宽度相同，条状电容单元的驱动电极长度大于感应电极长度，条状电容单元的驱动电极长度两端分别预留左差位δ_左和右差位δ_右，b_0驱＝b_0感+δ_右+δ_左，其中b_0驱为条状电容单元的驱动电极长度，b_0感为条状电容单元的感应电极长度。所述条状电容单元的左差位δ_左＝右差位δ_右，且其中d₀为弹性介质厚度，G为弹性介质的抗剪模量，τ_max为最大应力值。所述两组相互形成差动的电容单元模块的条状电容单元的驱动电极和感应电极沿宽度方向设有初始错位偏移，错位偏移大小相同、方向相反。所述圆环电容单元组包括n个同心圆环电容单元，其中其中，a_平为平行板的长度，r_圆为圆环电容单元圆环的宽度，a_δ圆相邻两圆环电容单元之间的电极间距。X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括m个条状电容单元， 其中，a_平为平行板的长度，a_δ条为相邻两条状电容单元之间的电极间距，a₀条状电容单元的宽度。所述同心圆环电容单元的宽度r_圆和条状电容单元的宽度a₀相等；条状电容单元电极间距a_δ条和圆环电容单元电极间距a_δ圆相等，所述条状电容单元的宽度其中，d₀为弹性介质厚度，E为弹性介质的杨氏模量，G为弹性介质的抗剪模量。所述圆环电容单元组和条状电容单元组的驱动电极通过一个引出线与传感系统信号处理器连接，所述圆环电容单元组的每个圆环电容单元的感应电极单独引线与传感系统信号处理器连接，所述X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组的电容单元模块感应电极分别通过一根引出线与传感系统信号处理器连接。所述圆环电容单元、电容单元模块与传感系统信号处理器之间分别设有中间变换器，中间变换器用于设置电压对电容或频率对电容的传输系数。

本实用新型的有益效果是：在磨削硅片过程中在线检测磨削力动态信号,对磨床动态特性和砂轮磨削性能进行监控,并根据磨削力对砂轮进给速度等工艺参数进行实时调整,实现控制力磨削,使磨削过程处于最佳状态,提高硅片加工精度和表面质量,保证硅片加工成品率。另外，本实用新型的测力仪具有很好的静动态特性,灵敏度高,线性、重复性好,零点漂移小,结构简单,易装配和调试,成本较低,性能稳定,各项技术指标均达到CIRP规定的磨削测力仪标准。本实用新型的传感器能够同时测量法向力和切向力，灵敏度高，极板利用效率高，整个圆环电容单元组都对法向力作出贡献，并且具有较好的动态性能。

附图说明

图1是本实用新型的具体实施方式的同心圆环偏移错位面积分析图。

图2是本实用新型的具体实施方式的为外同心圆环错位对外径圆分析图。

图3是本实用新型的具体实施方式的平行板电容的平面设计图。

图4是本实用新型的具体实施方式的驱动电极的结构图。

图5是本实用新型的具体实施方式的平板电容板的直角坐标系。

图6是本实用新型的具体实施方式的两组圆环电容组结构图。

图7是本实用新型的具体实施方式的差动条状电容单元的初始错位图。

图8是本实用新型的具体实施方式的差动条状电容单元受力后偏移图。

图9是本实用新型的具体实施方式的单元电容对的信号差动示意图。

图10是本实用新型的具体实施方式的磨削力测量装置结构图。

其中，1硅片，2测力仪，3工作台，4砂轮，5内轴。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本实用新型的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

本实用新型的主要思路是：本实用新型的磨削测力仪，利用电容式压力传感器的纵向和剪切效应，将多个电容式压力传感器，按照一定的空间布局，构建一个三维测力平台，并与机床工作台固定，其上安装被测工件，被测硅片吸附在测力仪上。砂轮磨削工件产生磨削力,工件将磨削力传递到测力仪,测力仪感受磨削力并输出,相对于砂轮的高速回转运动,测力仪运动形式与机床工作台一致,基本上是平移或随工作台摆动，砂轮固定在内轴上。

磨削测力仪与电荷放大器、数据采集卡、工控机依次相连构成静动态标定系统,超精密磨床工作时,砂轮磨削硅片产生磨削力,磨削力经磨削测力仪输出,输出力信号经信号放大器转换和放大后生成模拟信号,数据采集卡将放大器输出的模拟信号转换为数字信号。对磨削测力仪施加标准载荷并进行归一化调节,确定磨削测力仪的各向归一化灵敏度,即磨削测力仪输出量的变化与引起此变化的输入量的变化之比,由装在工控机中的监测软件得出轴向力F_z、径向力F_x和切向力F_y的大小,处理数据后建立磨削测力仪的“力值——示值”标定曲线,得到测力仪的一系列静动态性能指标。

本实用新型的传感器包括圆环电容单元组和条状电容单元组，所述圆环电容单元组用于测切向力和法向力的大小，所条状电容单元组用于测量切向力的方向，所述条状电容单元组设置在基板圆环电容单元组外的四角。圆环电容单元组包括两组以上圆环电容单元对，所述圆环电容单元对包括两个圆环电容单元，所述条状电容单元组包括X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括两个以上相互形成差动的电容单元模块，所述电容单元模块采用由两个以上的条状电容单元组成的梳齿状结构，每个圆环电容单元和条状电容单元均包括上极板的驱动电极和下极板的感应电极。所述每个圆环电容单元的感应电极和驱动电极正对且形状相同，所述每个条状电容单元的驱动电极和感应电极宽度相同，条状电容单元的驱动电极长度大于感应电极长度，条状电容单元的驱动电极长度两端分别预留左差位δ_左和右差位δ_右，b_0驱＝b_0感+δ_右+δ_左，其中b_0驱为条状电容单元的驱动电极长度，b_0感为条状电容单元的感应电极长度。所述条状电容单元的左差位δ_左＝右差位δ_右，且其中d₀为介质厚度，G为弹性介质的抗剪模量，τ_ymax为最大应力值。所述两组相互形成差动的电容单元模块的条状电容单元的驱动电极和感应电极沿宽度方向设有初始错位偏移，错位偏移大小相同、方向相反。所述圆环电容单元组包括n个同心圆环电容单元，其中其中，a_平为平行板的长度，r_圆为圆环电容单元圆环的宽度，a_δ圆相邻两圆环电容电容之间的电极间距。所述电容单元模块采用梳齿状结构，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括m个条状电容单元，其中，a_平为平行板的长度，a_δ条为相邻两条状电容单元之间的电极间距，a₀条状电容单元的宽度。所述同心圆环电容单元的宽度r_圆和条状电容单元的宽度a₀相等；条状电容单元电极间距a_δ条和圆环电容单元电极间距a_δ圆相等，所述条状电容单元的宽度其中，d₀为介质厚度，E为弹性介质的杨氏模量，G为弹性介质的抗剪模量。所述圆环电容单元组和条状电容单元组的驱动电极通过一个引出线与传感系统信号处理器连接，所述圆环电容单元组的每个圆环电容单元的感应电极单独引线与传感系统信号处理器连接，所述X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组的电容单元模块感应电极分别各自通过一个引出线引出与传感系统信号处理器连接。所述圆环电容单元、电容单元模块和传感系统信号处理器之间分别设有中间变换器，变换器用于设置电压或频率对电容的传输系数。

下面结合附图1-9对本实用新型的推导和原理，对各部分形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明。

1.1电容公式及其输入输出特性

平行板的初始电容为：

$C_0=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_0\·{\mathrm{\ϵ}}_r\·A_0}{d_0}---\left(1\right)$

式中，ε₀真空介质电常数为8.85PF/m，ε_r＝2.5为电介质的相对介电常数，A₀为上下极板初始正对面积。d₀受σ_n的激励产生相对变形ε_n＝δ_n/d₀＝σ_n/E，代入(1)式得到输入输出特性

$C_n={\mathrm{\ϵ}}_0\·{\mathrm{\ϵ}}_r\frac{A_0}{d_0(1-{\mathrm{\ϵ}}_n)}={\mathrm{\ϵ}}_0\·{\mathrm{\ϵ}}_r\frac{A_0}{d_0(1-\frac{F_n}{AE})}---\left(2\right)$

1.2法向应力作用下的线性度和灵敏度

1.2.1法向线性度

(2)式中F_n在分母中，故C_n＝f(F_n)的关系是非线性的。因转换量程中的最大值σ_nmax与介质弹性常数E相比，ε_n是个很小的量，即分母中ε_n<<1，将(2)式按级数展开并略去二次方以上的高阶无穷小，可简化为：

$C_n=C_0(1+\mathrm{\&epsiv;})=C_0(1+\frac{F_n}{A\&CenterDot;E})---\left(3\right)$

可见在C_n与F_n的转换特性中的法向线性度的最大相对误差接近于零。

1.2.2灵敏度

按法向灵敏度的定义

而按(2)式则

$S_{n2}=\frac{{\mathrm{dC}}_n}{{\mathrm{dF}}_n}=C_0\&CenterDot;\frac{1}{1-2\mathrm{\&epsiv;}}=C_0\&CenterDot;\frac{1}{1-2\frac{F_n}{A\&CenterDot;E}}---\left(4\right)$

按(3)式可得线性灵敏度，

S_n1＝C₀/AE＝ε₀ε_r/d₀E(5)

S_n2随F_n而变，F_n愈大，S_n2愈大，在整个转换特性上呈轻微非线性。

1.3切向位移和圆环电容器有效面积之间的关系

针对同心圆环电容对进行分析，如图1所示，R₁为外圆半径，R₂为内圆半径，r＝圆环宽度＝大外圆半径R₁-内圆半径R₂。给驱动电极一个切面上的力F_x，导致上下对应的驱动电极和感应电极产生一个剪切错位，设d_x为切面位移，错位面积为S_内和S_外，电极板的初始正对面积应为π(R₁ ²-R₂ ²)。图2为外同心圆环电容对外径圆分析图，移动前后两圆心距离为d_x，移动前后两圆心和两圆的交点形成一个菱形，可以计算S_外的面积：

上式中，有d_x<<R₁,所以取

由

将的泰勒级数展开，并略去高次项，

同理，可以知道，S_内＝2R₂d_x，所以同心圆环电容的错误面积为S＝2R₁d_x+2R₂d_x。

1.4切向应力τ激励下的圆环电容单元组的电容变化

切向应力τ并不改变极板的几何尺寸参数A₀，对介质厚度d₀也不产生影响。然而τ_x和τ_y改变了平行板电容器的空间结构，正向面对的上下极板之间发生了错位偏移。极板在τ作用下的错位偏移d_x。当τ为零时，圆环电容单元的上下电极是正对的，上下电极之间有效截面在图2中，在τ_x右向的作用下，上极板相对于下极板产生了向右的错位偏移d_x，从而使上下极板之间在计算电容时的有效面积 $A_{\mathrm{\&tau;}}={\mathrm{\&pi;R}}_1^2-{\mathrm{\&pi;R}}_2^2-2R_1{d}_x-2R_2{d}_x,$ 由此产生的电容为：

$C_{\mathrm{\&tau;}x}=\frac{{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r\&CenterDot;({\mathrm{\&pi;R}}_1^2-{\mathrm{\&pi;R}}_2^2-2R_1{d}_x-2R_2{d}_x)}{d_0}---\left(6\right)$

根据剪切胡克定律

τ_x＝γ_x·G＝G·δ_x/d₀(7)

将(7)代入(6)可得

$C_{\mathrm{\&tau;}x}=C_0-\frac{{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r\&CenterDot;{\mathrm{2(R}}_1{\mathrm{+R}}_2{\mathrm{)d}}_x}{d_0}=C_0-\frac{{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r\&CenterDot;{\mathrm{2(R}}_1{\mathrm{+R}}_2{\mathrm{)F}}_x}{A_{\mathrm{\&tau;}}G}=C_0-\frac{2{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r{F}_x}{G\mathrm{\&pi;}{\mathrm{(R}}_1{\mathrm{+R}}_2)}---\left(8\right)$

(8)式即为切应力下的输入—输出特性，C_τ与τ_x呈线性关系，其灵敏度

$S_{\mathrm{\&tau;}x}=\frac{{\mathrm{dC}}_{\mathrm{\&tau;}}}{{\mathrm{dF}}_x}=\frac{2{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r}{G\mathrm{\&pi;}(R_1-R_2)}---\left(9\right)$

由公式(9)可以看出切向灵敏度和R₁-R₂有关，即切向灵敏度和圆环的宽度成反比，宽度越小灵敏度越高。

2平板电容器的设计

2.1平板电容器的设计

参见图3中的电极平面布置和图4驱动电极的结构图，在一个10×10mm²的基板上的一种圆环式接触式平行板三维压力传感器，传感器包括传感系统信号处理器、与传感系统信号处理器分别连接的圆环电容单元组和条状电容单元组，圆环电容单元组用于测切向力和法向力的大小，条状电容单元组用于测量切向力的方向，条状电容单元组设置在基板圆环电容单元组外的四角。这样可以有效的使用平行板的面积，圆环电容单元组铺满整个平行板，在测量三维力时，都起作用，而条状电容单元组有效利用了圆环电容单元组铺设后，平行板四角的空间，用于测量三维力切向力的方向。圆环电容单元组的驱动电极和感应电极都是由n个同心圆环组成，n为偶数，则形成n/2圆环电容单元对。影线部分表示失蜡铸造工艺的外模截面，其几何形状和尺寸也应在机械成型时保持精准。

参照图5的平板电容的直角坐标系，坐标系统原点在圆环电容单元组的同心圆原点，x轴和y轴分别沿平板电容的对角线方向，X方向差动电容单元组包括X方向差动电容单元组Ⅰ和X方向差动电容单元组Ⅲ，X方向差动电容单元组Ⅰ和X方向差动电容单元组Ⅲ分别位于x轴的正负半轴且沿y轴对称，Y方向差动电容单元组包括Y方向差动电容单元组Ⅱ和Y方向差动电容单元组Ⅳ，Y方向差动电容单元组Ⅱ和Y方向差动电容单元组Ⅳ分别位于y轴的正负半轴且沿x轴对称，X方向差动电容单元组Ⅰ和X方向差动电容单元组Ⅲ形成对τ_x做出响应的差动电容单元组合，Y方向差动电容单元组Ⅱ和Y方向差动电容单元组Ⅳ形成对τ_y做出响应的差动电容单元组合。

圆环电容单元组包括n个同心圆环电容单元，其中其中，a_平为平行板的长度，r_圆为圆环电容单元圆环的宽度，a_δ圆相邻两圆环电容电容之间的电极间距。电容单元模块采用梳齿状结构，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括m个条状电容单元， 其中，a_δ条为相邻两条状电容单元之间设有电极间距，a₀条状电容单元的宽度。同心圆环电容单元的宽度r_圆和条状电容单元的宽度a₀相等；条状电容单元电极间距a_δ条和圆环电容电极间距a_δ圆相等，所述条状电容单元的宽度其中，d₀为介质厚度，E为弹性介质的杨氏模量，G为弹性介质的抗剪模量。

2.2激励信号和坐标系

将圆环电容单元置于图5所示的直角坐标系中，三维激励施加于电容极板的外表面，产生的接触式作用力具有Fx、Fy和Fz三个方向分量，Fx和Fy的作用方向沿X轴和Y轴，Fz的作用方向沿OZ轴即方向，法向和切向应力均为一种应力张量，从电极的引线间即可输出电容的响应；法向应力σ_n＝Fn/A，其中为极板法向受力面，Fn＝Fz为法向分量；两侧表面上产生成对的切向应力τ_切＝F_切/A。

根据弹性力学中的虎克定律，σ_n和τ_x，τ_y都将使弹性体产生相应的变形。其中，

${\mathrm{\&sigma;}}_n=E\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_n=E\&CenterDot;{\mathrm{\&delta;}}_n/d_0=\frac{F_n}{A}$

式中，E为弹性介质的杨氏模量GN/m²，G为弹性介质的抗剪模量GN/m²，δn为弹性介质的法向位移(单位：μm)，而δx和δy为圆环电容单元上下两极板的相对错位(单位：μm)，其正负号由坐标轴指向决定。

2.3法向力和切向力大小的计算

选取第n个圆环电容单元和第n/2个圆环电容单元，通过建立圆环电容单元对组成方程组进行计算，如图6所示。设电极板受到法向和切向激励作用后，设第n个圆环电容单元的输出电容为C₁，n/2个圆环电容单元输出电容为C₂，切向的位移为d_x，法向的电容极距为d_n，S₁₀为外环初始的正对面积，S₂₀为内环初始的正对面积。

$C_1=\frac{\mathrm{\&epsiv;}(S_{10}-S1)}{d_n}=\frac{\mathrm{\&epsiv;}({\mathrm{\&pi;R}}_1^2-{\mathrm{\&pi;R}}_2^2)}{d_n}-\frac{\mathrm{\&epsiv;}(2R_1{d}_x+2R_2{d}_x)}{d_n}---\left(10\right)$

$C_2=\frac{\mathrm{\&epsiv;}(S_{20}-S2)}{d_n}=\frac{\mathrm{\&epsiv;}({\mathrm{\&pi;r}}_1^2-{\mathrm{\&pi;r}}_2^2)}{d_n}-\frac{\mathrm{\&epsiv;}(2r_1{d}_x+2r_2{d}_x)}{d_n}---\left(11\right)$

将 $\left(10\right)-\left(11\right)*\frac{R_1+R_2}{r_1+r_2}$ 得到：

$C_1-C_2*\frac{R_1+R_2}{r_1+r_2}=\frac{\mathrm{\&epsiv;}\mathrm{\&pi;}(R_1^2-R_2^2)}{d_n}-\frac{R_1+R_2}{r_1+r_2}*\frac{\mathrm{\&epsiv;}\mathrm{\&pi;}(r_1^2-r_2^2)}{d_n}$

设上式中的 $\frac{R_1+R_2}{r_1+r_2}=K,$ 则 $d_n=\frac{\mathrm{\&epsiv;}(S_{10}-{\mathrm{KS}}_{20})}{C_1-{\mathrm{KC}}_2}$

根据 $d_n=d_0-\mathrm{\&Delta;}d=d_0(1-\frac{F_n}{E\&CenterDot;S_0})$

可知： $F_n=\frac{(d_n-d_0)E\&CenterDot;S_0}{d_0}$

将上述的将(10)*C₂-(11)*C₁得到：

$d_x=\frac{C_2{S}_{10}-C_1{S}_{20}}{2C_2(R_1+R_2)-2C_1(r_1+r_2)};$

由 $\mathrm{\&gamma;}=\frac{\mathrm{\&tau;}}{G}=\frac{F_{\mathrm{\&tau;}}}{G\&CenterDot;S_0}=\frac{d_x}{d_0}=\frac{C_2{S}_{10}-C_1{S}_{20}}{d_{0}2C_2(R_1+R_2)-d_{0}2C_1(r_1+r_2)},$ 所以F_τ为

$F_{\mathrm{\&tau;}}=\frac{(C_2{S}_{10}-C_1{S}_{20})\&CenterDot;G\&CenterDot;S_0}{d_{0}2C_2(R_1+R_2)-d_{0}2C_1(r_1+r_2)}$

2.4切向力的方向判定

2.4.1条状电容单元组状结构和参数设计

为了实现τ_x和τ_y切向响应之间不相互产生影响，驱动电极长度两端预留差位δ₀，因此b_0驱＝b_0底+2·δ₀，其中在b_0驱两端长度预留理论上应保证 ${\mathrm{\&delta;}}_0\&GreaterEqual;d_0\&CenterDot;\frac{{\mathrm{\&tau;}}_{ymax}}{G},$ 其计算值为 ${10}^{-5}\&times;\frac{70\&times;{10}^3}{2.4\&times;{10}^6}=2.9\&times;{10}^{-8}m={10}^{-2}um<<1um,$ 故在工艺上应保证b_0驱－b_0底≥0.01mm。为了实现τ_x和τ_y不对法向电容响应产生影响，每个条状电容单元的驱动电极与感应电极在平面布置设置一定的错位偏移，对通过差动消除相互之间的影响。

如图4所示，图中四个虚线方框为感应电极在下极板上的基准，取感应电极在下层PCB基板上的位置作为参照，则驱动电极在上层PCB基板上的布置应以PCB基板边缘线为基准。每个条状电容单元包括上极板的驱动电极和下极板的感应电极，设每根条状电容单元宽为a₀，两条状电容单元之间的槽宽为a_δ，则每根条状电容单元的节距为a₀+a_δ。这样在计算法向电容输出响应时已能保证τ_x和τ_y不对法向电容响应产生影响。而置他们与几何基准线差距均为δ₀(0.1mm)，以保证X方向差动电容单元组Ⅰ和X方向差动电容单元组Ⅲ只产生对τ_x的差动电容输出响应，而Y方向差动电容单元组Ⅱ和Y方向差动电容单元组Ⅳ则只产生对τ_y的差动电容响应，设置一个初始错位偏移δ_xo，其取值应保证其计算值与δ₀类似，其初始错位偏移均设置δ_xo＝δ_yo＝0.01mm，以保证四个电容单元在τ_x和τ_y切向激励下能产生两组差动电容对。

图7中，一对电容C_L和C_R电极尺寸a₀、b₀、d₀均相同，初始错位偏移δ₀也相同，区别在于左边电容器C_L上层δ₀尖角的指向为+OX，而右边电容器C_R上层δ₀尖角指向-OX。当τ_x＝0时，即图中阴影部分所对应的电容。在此基础上，如在-F_x激励下产生±δ_x的错位偏移，形成如图8所示电容增减效果，

$C_L=\frac{{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r\&CenterDot;b_0\&CenterDot;(a_0-{\mathrm{\&delta;}}_0\&PlusMinus;{\mathrm{\&delta;}}_x)}{d_0}---\left(12\right)$

图8中，C_L和C_R差动电容对同一个τ_x将产生±δ_x和±△C_τ的响应， 的大小应满足可取δ₀＝10μm，由此，式(8)可修改为

$C_{\mathrm{\&tau;}x}=C_{\mathrm{\&tau;}0}\&PlusMinus;\frac{{\mathrm{\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r}{{\mathrm{Ga}}_0}{F}_x---\left(13\right)$

式中，为切应力为零时的初始电容，(13)式即为切应力输入输出特性，C_τx与F_x是线性关系，而其灵敏度

由式(13)可知a₀愈小，切向应力响应的灵敏度越大，故本实用新型电容单元采用由多个条状电容组成的条状电容单元组。

2.4.2切向应力方向计算

C_Ⅰ对C_Ⅱ和C_Ⅲ对C_Ⅳ可以实现两对差动组合，如图9的单元电容对的信号差动示意图，经差动技术处理，差动输出的总响应

$O_{\mathrm{\&tau;}x}=\frac{2{\mathrm{mK\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r}{a_{0}G}{F}_x$

式中，无论是法向激励F_n或切向激励F_y均不对O_τ产生影响，即自动消除了σ_n和τ_y对τ_x的总输出的耦合或干扰。因为凡是在信号包含相减的运算中，等量和同符合的电容变化都自动消除。而F_y和F_x对σ_n的干扰可通过上层电极在b₀方向增加几何长度2δ₀消除。

同理， $O_{\mathrm{\&tau;}y}=\frac{2{\mathrm{mK\&epsiv;}}_0\&CenterDot;{\mathrm{\&epsiv;}}_r}{a_{0}G}{F}_y;$

根据O_τx和O_τy的值计算出切向力的方向。

2.4主要材料选择及其特性参数

平行板电容器的结构剖面图类似于三明治结构如图10所示。由图10可知，1为上PCB基板，2为下PCB基板，3为驱动电极，4为感应电极，5为弹性介质。极板距d₀＝0.1mm，上下基板内侧空间除铜箔电极外，均为用失蜡铸造法充填的PDMS(聚二甲基硅氧烷)超弹绝缘介质。其机械和物理特性参数为杨氏模量E＝6.2MPa，而其抗剪弹性模量为G＝4.1MPa，介质极化时相对介电常数ε_γ＝2.5。由于介质的E和G远小于铜的弹性模量E_铜＝103GPa，故电容器内部介质在应力状态下的变形远大于极板的变形。

2.5电极引线设计

无论是驱动电极或感应电极都需备有引出线，考虑各个驱动电极在信号电平上都是接地的，故驱动电极只需共用同一个引出线。圆环电容单元组和条状电容单元组的驱动电极通过一个引出线与传感系统信号处理器连接，所述圆环电容单元组的每个圆环单独引线与传感系统信号处理器连接，传感系统信号处理器根据每个圆环的输出值自由组合进行计算，之后进行求平均得出切向力的大小和法向力大小，在精度要求不高的情况下，圆环电容单元组可以只选择两个最优圆环引出2根引线，通过这两个圆环求出d_x和d_n，从而得出切向力的大小和法向力大小；X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组分别各自通过一个引出线引出与传感系统信号处理器连接，用于计算切向力的方向。所述传感系统信号处理器和电容单元之间设有中间变换器，变换器用于设置电压或频率对电容的传输系数。整个电容组件共有至少7个管脚从平面封装的侧面引出，以便整个组件顶部与底部外表面能方便地与测量对象接触。

本实用新型在新材料和新工艺的支撑下，完成了一种新型三维力敏感电容组合的设计。在10×10mm²的受力面上，无论是法向或切向，都可向介质较均匀的传递应力。在空间力与传感器表面的接触中外力只有1个，对电容求和可得到法向Fn的信息，即整个电极板都对求Fn做出贡献，同时又可获得F_x和F_y的信息，从而完整描述一个三维力，按设计参数可以提高一次转换的法向灵敏度和切向灵敏度和最大线性误差。

本实用新型磨削力测量装置具有刚度高、线性好、灵敏度高、迟滞小、固有频率高等优点,非常适用于各种动态力的测量，将该测量装置应用于硅片超精密磨床,能够实时准确地检测硅片磨削过程中三个方向磨削力的变化,实现磨削过程的监控,提高加工过程的可靠性和生产效率。上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，包括内轴、砂轮、三维测力平台和传感系统信号处理器，被测硅片固定在三维测力平台上，砂轮固定在内轴上磨削被测硅片，三维测力平台将加工过程中的磨削力发送给传感系统信号处理器，所述三维测力平台包括多个三维力传感器，所述三维力传感器包括圆环电容单元组和条状电容单元组，所述条状电容单元组设置在圆环电容单元组外基板的四角，圆环电容单元组包括两对以上圆环电容单元对，所述圆环电容单元对包括两个圆环电容单元，所述条状电容单元组包括X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括两个以上相互形成差动的电容单元模块，所述电容单元模块是由两个以上的条状电容单元组成的梳齿状结构，每个圆环电容单元和条状电容单元均包括上极板的驱动电极和下极板的感应电极。

2.根据权利要求1所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述传感系统信号处理器包括信号放大器、数据采集卡和工控机，所述三维力传感器的输出信号经信号放大器转换和放大后生成模拟信号,数据采集卡将放大器输出的模拟信号转换为数字信号并输入工控机。

3.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述每个圆环电容单元的感应电极和驱动电极正对且形状相同，所述每个条状电容单元的驱动电极和感应电极宽度相同，条状电容单元的驱动电极长度大于感应电极长度，条状电容单元的驱动电极长度两端分别预留左差位δ_左和右差位δ_右，b_0驱＝b_0感+δ_右+δ_左，其中b_0驱为条状电容单元的驱动电极长度，b_0感为条状电容单元的感应电极长度。

4.根据权利要求3所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述条状电容单元的左差位δ_左＝右差位δ_右，且其中d₀为弹性介质厚度，G为弹性介质的抗剪模量，τ_max为最大应力值。

5.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，两组所述相互形成差动的电容单元模块的条状电容单元的驱动电极和感应电极沿宽度方向设有初始错位偏移，错位偏移大小相同、方向相反。

6.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述圆环电容单元组包括n个同心圆环电容单元，其中其中，a_平为平行板的长度，r_圆为圆环电容单元圆环的宽度，a_δ圆为相邻两圆环电容单元之间的电极间距。

7.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组均包括m个条状电容单元，a_平/(a₀+a_δ条)，其中，a_平为平行板的长度，a_δ条为相邻两条状电容单元之间的电极间距，a₀条状电容单元的宽度。

8.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述圆环电容单元的宽度r_圆和条状电容单元的宽度a₀相等；条状电容单元电极间距a_δ条和圆环电容单元电极间距a_δ圆相等，所述条状电容单元的宽度其中，d₀为弹性介质厚度，E为弹性介质的杨氏模量，G为弹性介质的抗剪模量。

9.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述圆环电容单元组和条状电容单元组的驱动电极通过一个引出线与传感系统信号处理器连接，所述圆环电容单元组的每个圆环电容单元的感应电极单独引线与传感系统信号处理器连接，所述X方向差动电容单元组和Y方向差动电容单元组的电容单元模块感应电极分别通过一根引出线与传感系统信号处理器连接。

10.根据权利要求2所述的硅片磨削力动态信号检测装置，其特征在于，所述圆环电容单元、电容单元模块与传感系统信号处理器之间分别设有中间变换器，中间变换器用于设置电压对电容或频率对电容的传输系数。