CN204858520U - 一种多路输出过欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型所设计的一种多路输出过欠压保护电路,包括初级侧电路和次级侧电路,其特征在于,所述次级侧电路上具有由第一TL431电压基准源ZD3、第一PNP型三极管Q2、第二PNP型三极管Q1作为主要元器件的输出欠压保护电路,以及由第二TL431电压基准源ZD5、第一NPN型三极管Q7、第二NPN型三极管Q8作为主要元器件的输出过压保护电路;所述输出欠压保护电路和/或所述输出过压保护电路上具有多路输出;其中,所述输出欠压保护电路通过光耦控制所述初级侧电路的电压输出。本实用新型得到的多路输出过欠压保护电路,通过改用TL431后,因TL431反向放大器只有在高于基准电压时才会起控,加入电容C4后避免起机时的误动作,降低成本、简化了电路结构,利于便于调试。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED电源技术领域,尤其是涉及一种多路输出过欠压保护电路。
背景技术
在多路输出电路中(有独立的辅助电源)如PC电源,输出过欠压保护电路传统电路使用比较器,不仅成本高而且电路复杂,同时因过欠压采样点是同一点往往会出现因两个基准点过近难以很好的控制,而且有多层时序,因欠压是低于某点起控,正常起机时因输出电压上升没那么快,容易出现一起机时就欠压保护了,造成无法起动。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术中成本高、电路结构复杂的问题。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的一种多路输出过欠压保护电路,包括初级侧电路和次级侧电路,所述次级侧电路上具有由第一TL431电压基准源、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管作为主要元器件的输出欠压保护电路,以及由第二TL431电压基准源、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管作为主要元器件的输出过压保护电路;所述输出欠压保护电路和/或所述输出过压保护电路上具有多路输出;其中,所述输出欠压保护电路通过光耦控制所述初级侧电路的电压输出。
所述输出欠压保护电路还包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一稳压管、第一二极管;所述第一电阻,其一端与所述次级侧电路的电源连接,其另一端分别与所述第二电阻的一端、所述第一稳压管的负极端、所述第一TL431电压基准源的负极端连接;所述第二电阻,其另一端与第一PNP型三极管的发射极端连接;所述第三电阻,其一端与所述次级侧电路的电源连接,其另一端与第二PNP型三极管的发射极端连接;所述第二PNP型三极管,其集电极端与所述光耦的发光二极管的正极端连接,其基极端与所述第一稳压管的正极端、所述第一PNP型三极管的基极端连接;所述第一PNP型三极管,其集电极端通过正接的所述第一二极管与所述第一TL431电压基准源的控制端连接;所述第一TL431电压基准源的正极端、所述光耦的发光二极管的负极端接地;所述第一二极管的负极端引出多路输出。
所述初级侧电路包括:变压器的初级线圈、第二二极管、第三PNP型三极管、第四电阻、第五电阻、所述光耦的光敏三极管、极性电容;所述变压器的初级线圈,其上端连接所述第二二极管的正极端,其下端接地;所述第二二极管的负极端连接所述第四电阻的一端;所述第四电阻的另一端分别连接所述极性电容的正极端、所述光敏三极管的集电极端和所述第三PNP型三极管的发射极端;所述第三PNP型三级管,其集电极端与供电电源连接,其基极端通过所述第五电阻接地;所述光敏三极管的发射极端连接所述第三PNP型三极管的基极端;所述极性电容的负极端接地。
优选地,还包括:第六电阻、第七电阻和第八电阻;所述第一二极管的负极端引出多路输出,具体包括:所述第一二极管的负极端分别与所述第六电阻、第七电阻和第八电阻的一端连接,所述第六电阻、第七电阻和第八电阻的另一端分别作为输出端。
优选地,还包括:第九电阻和第一电容;所述第九电阻,其一端连接所述第一二极管的负极端,其另一端接地;所述第一电容,其一端连接所述第一二极管的负极端,其另一端接地。
优选地,所述输出过压保护电路还包括:第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第二稳压管、第三二极管;所述第十电阻,其一端与所述次级侧电路的电源连接,其另一端分别与所述第十一电阻的一端、所述第二稳压管的负极端、所述第二TL431电压基准源的负极端连接;所述第十一电阻,其另一端与第一NPN型三极管的集电极端连接;所述第十二电阻,其一端与所述次级侧电路的电源连接,其另一端与第二NPN型三极管的集电极端连接;所述第二NPN型三极管,其基极端与所述第二稳压管的正极端、所述第一NPN型三极管的基极端连接;所述第一NPN型三极管,其发射极端通过正接的所述第三二极管与所述第二TL431电压基准源的控制端连接;所述第二TL431电压基准源的正极端;所述第三二极管的负极端引出多路输出。
优选地,还包括:第十三电阻、第十四电阻和第十五电阻;所述第三二极管的负极端引出多路输出,具体包括:所述第三二极管的负极端分别与所述第十三电阻、第十四电阻和第十五电阻的一端连接,所述第十三电阻、第十四电阻和第十五电阻的另一端分别作为输出端。
优选地,还包括:第十六电阻和第二电容;所述第十六电阻,其一端连接所述第三二极管的负极端,其另一端接地;所述第二电容,其一端连接所述第三二极管的负极端,其另一端接地。
本实用新型得到的一种多路输出过欠压保护电路,通过改用TL431后,因TL431反向放大器只有在高于基准电压时才会起控,加入电容C4后避免起机时的误动作,降低成本、简化了电路结构,利于便于调试。
附图说明
图1是实施例的电路结构图。
图中:部件名称编号,第一TL431电压基准源ZD3、第一PNP型三极管Q2、第二PNP型三极管Q1、第二TL431电压基准源ZD5、第一NPN型三极管Q7、第二NPN型三极管Q8、第一电阻R10、第二电阻R11、第三电阻R12、第一稳压管ZD4、第一二极管D7、变压器的初级线圈T2、第二二极管D5、第三PNP型三极管Q10、第四电阻R24、第五电阻R25、所述光耦的光敏三极管Q9、极性电容C3、第六电阻R13、第七电阻R15、第八电阻R16、第九电阻R14和第一电容C4、第十电阻R17、第十一电阻R18、第十二电阻R19、第二稳压管ZD6、第三二极管D6、第十三电阻R20、第十四电阻R22和第十五电阻R23、第十六电阻R21和第二电容C5。
具体实施方式
首先对本实用新型的主要思想进行简要说明:
如图1所示,公开了一种多路输出过欠压保护电路,包括初级侧电路和次级侧电路,其特征在于,所述次级侧电路上具有由第一TL431电压基准源ZD3、第一PNP型三极管Q2、第二PNP型三极管Q1作为主要元器件的输出欠压保护电路,以及由第二TL431电压基准源ZD5、第一NPN型三极管Q7、第二NPN型三极管Q8作为主要元器件的输出过压保护电路;所述输出欠压保护电路和/或所述输出过压保护电路上具有多路输出;其中,所述输出欠压保护电路通过光耦控制所述初级侧电路的电压输出。
本实用新型得到的一种多路输出过欠压保护电路,通过改用TL431后,因TL431反向放大器只有在高于基准电压时才会起控,加入电容C4后避免起机时的误动作,降低成本、简化了电路结构,利于便于调试。
在一些说明性实施例中,所述输出欠压保护电路还包括:第一电阻R10、第二电阻R11、第三电阻R12、第一稳压管ZD4、第一二极管D7;所述第一电阻R10,其一端与所述次级侧电路的电源VCC5VSB连接,其另一端分别与所述第二电阻R11的一端、所述第一稳压管ZD4的负极端、所述第一TL431电压基准源ZD3的负极端连接;所述第二电阻R11,其另一端与第一PNP型三极管Q2的发射极端连接;所述第三电阻R12,其一端与所述次级侧电路的电源VCC连接,其另一端与第二PNP型三极管Q1的发射极端连接;所述第二PNP型三极管Q1,其集电极端与所述光耦的发光二极管D3的正极端连接,其基极端与所述第一稳压管ZD4的正极端、所述第一PNP型三极管Q2的基极端连接;所述第一PNP型三极管Q2,其集电极端通过正接的所述第一二极管D7与所述第一TL431电压基准源ZD3的控制端连接;所述第一TL431电压基准源ZD3的正极端、所述光耦的发光二极管D3的负极端接地;所述第一二极管D7的负极端引出多路输出。
在一些说明性实施例中,所述初级侧电路包括:变压器的初级线圈T2、第二二极管D5、第三PNP型三极管Q10、第四电阻R24、第五电阻R25、所述光耦的光敏三极管Q9、极性电容C3;所述变压器的初级线圈T2,其上端连接所述第二二极管D5的正极端,其下端接地;所述第二二极管D5的负极端连接所述第四电阻R24的一端;所述第四电阻R24的另一端分别连接所述极性电容C3的正极端、所述光敏三极管Q9的集电极端和所述第三PNP型三极管Q10的发射极端;所述第三PNP型三级管Q10,其集电极端与供电电源ICVCC连接,其基极端通过所述第五电阻R25接地;所述光敏三极管Q9的发射极端连接所述第三PNP型三极管Q10的基极端;所述极性电容C3的负极端接地。
在一些说明性实施例中,还包括:第六电阻R13、第七电阻R15和第八电阻R16;所述第一二极管D7的负极端引出多路输出,具体包括:所述第一二极管D7的负极端分别与所述第六电阻R13、第七电阻R15和第八电阻R16的一端连接,所述第六电阻R13、第七电阻R15和第八电阻R16的另一端分别作为输出端。
在一些说明性实施例中,还包括:第九电阻R14和第一电容C4;所述第九电阻R14,其一端连接所述第一二极管D7的负极端,其另一端接地;所述第一电容C4,其一端连接所述第一二极管D7的负极端,其另一端接地。
在一些说明性实施例中,所述输出过压保护电路还包括:第十电阻R17、第十一电阻R18、第十二电阻R19、第二稳压管ZD6、第三二极管D6;所述第十电阻R17,其一端与所述次级侧电路的电源VCC5VSB连接,其另一端分别与所述第十一电阻R18的一端、所述第二稳压管ZD6的负极端、所述第二TL431电压基准源ZD5的负极端连接;所述第十一电阻R18,其另一端与第一NPN型三极管Q7的集电极端连接;所述第十二电阻R19,其一端与所述次级侧电路的电源VCC5VSB连接,其另一端与第二NPN型三极管Q8的集电极端连接;所述第二NPN型三极管Q8,其基极端与所述第二稳压管ZD6的正极端、所述第一NPN型三极管Q7的基极端连接;所述第一NPN型三极管Q7,其发射极端通过正接的所述第三二极管D6与所述第二TL431电压基准源ZD5的控制端连接;所述第二TL431电压基准源ZD5的正极端;所述第三二极管D6的负极端引出多路输出。
在一些说明性实施例中,还包括:第十三电阻R20、第十四电阻R22和第十五电阻R23;所述第三二极管D6的负极端引出多路输出,具体包括:所述第三二极管D6的负极端分别与所述第十三电阻R20、第十四电阻R22和第十五电阻R23的一端连接,所述第十三电阻R20、第十四电阻R22和第十五电阻R23的另一端分别作为输出端。
在一些说明性实施例中,还包括:第十六电阻R21和第二电容C5;所述第十六电阻R21,其一端连接所述第三二极管D6的负极端,其另一端接地;所述第二电容C5,其一端连接所述第三二极管D6的负极端,其另一端接地。
本发明中的说明性实施例中当某一路输出电压超过Vout-max时,过压保护电路ZD6与Q8导通,EA出高电位光耦导通关断初级侧Vcc,同时Q7导通,TL431分压大于2.5V被锁死,光耦持续导通,输出锁死。欠压也是一样,当一路输出电压低于Vout-min时欠压起控,同样可以起到短路保护的作用。另外简化电路,降低成本实现输出电压的可控,同时欠压电路接入一个较小的电容C4后可防止起机因电压上升慢而误动作,同时避免了过压与欠压取样相同难以调试的问题,也没有那么多的时序问题,不会产生电路的误动作。
对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,其架构形式能够灵活多变,只是做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
Claims (8)
1.一种多路输出过欠压保护电路,包括初级侧电路和次级侧电路,其特征在于,所述次级侧电路上具有由第一TL431电压基准源(ZD3)、第一PNP型三极管(Q2)、第二PNP型三极管(Q1)作为主要元器件的输出欠压保护电路,以及由第二TL431电压基准源(ZD5)、第一NPN型三极管(Q7)、第二NPN型三极管(Q8)作为主要元器件的输出过压保护电路;所述输出欠压保护电路和/或所述输出过压保护电路上具有多路输出;其中,所述输出欠压保护电路通过光耦控制所述初级侧电路的电压输出。
2.根据权利要求1所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,所述输出欠压保护电路还包括:第一电阻(R10)、第二电阻(R11)、第三电阻(R12)、第一稳压管(ZD4)、第一二极管(D7);
所述第一电阻(R10),其一端与所述次级侧电路的电源(VCC5VSB)连接,其另一端分别与所述第二电阻(R11)的一端、所述第一稳压管(ZD4)的负极端、所述第一TL431电压基准源(ZD3)的负极端连接;
所述第二电阻(R11),其另一端与第一PNP型三极管(Q2)的发射极端连接;
所述第三电阻(R12),其一端与所述次级侧电路的电源(VCC)连接,其另一端与第二PNP型三极管(Q1)的发射极端连接;
所述第二PNP型三极管(Q1),其集电极端与所述光耦的发光二极管(D3)的正极端连接,其基极端与所述第一稳压管(ZD4)的正极端、所述第一PNP型三极管(Q2)的基极端连接;
所述第一PNP型三极管(Q2),其集电极端通过正接的所述第一二极管(D7)与所述第一TL431电压基准源(ZD3)的控制端连接;
所述第一TL431电压基准源(ZD3)的正极端、所述光耦的发光二极管(D3)的负极端接地;
所述第一二极管(D7)的负极端引出多路输出。
3.根据权利要求2所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,所述初级侧电路包括:变压器的初级线圈(T2)、第二二极管(D5)、第三PNP型三极管(Q10)、第四电阻(R24)、第五电阻(R25)、所述光耦的光敏三极管(Q9)、极性电容(C3);
所述变压器的初级线圈(T2),其上端连接所述第二二极管(D5)的正极端,其下端接地;
所述第二二极管(D5)的负极端连接所述第四电阻(R24)的一端;
所述第四电阻(R24)的另一端分别连接所述极性电容(C3)的正极端、所述光敏三极管(Q9)的集电极端和所述第三PNP型三极管(Q10)的发射极端;
所述第三PNP型三级管(Q10),其集电极端与供电电源(ICVCC)连接,其基极端通过所述第五电阻(R25)接地;
所述光敏三极管(Q9)的发射极端连接所述第三PNP型三极管(Q10)的基极端;
所述极性电容(C3)的负极端接地。
4.根据权利要求3所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,还包括:第六电阻(R13)、第七电阻(R15)和第八电阻(R16);
所述第一二极管(D7)的负极端引出多路输出,具体包括:
所述第一二极管(D7)的负极端分别与所述第六电阻(R13)、第七电阻(R15)和第八电阻(R16)的一端连接,所述第六电阻(R13)、第七电阻(R15)和第八电阻(R16)的另一端分别作为输出端。
5.根据权利要求4所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,还包括:第九电阻(R14)和第一电容(C4);
所述第九电阻(R14),其一端连接所述第一二极管(D7)的负极端,其另一端接地;
所述第一电容(C4),其一端连接所述第一二极管(D7)的负极端,其另一端接地。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,所述输出过压保护电路还包括:第十电阻(R17)、第十一电阻(R18)、第十二电阻(R19)、第二稳压管(ZD6)、第三二极管(D6);
所述第十电阻(R17),其一端与所述次级侧电路的电源(VCC5VSB)连接,其另一端分别与所述第十一电阻(R18)的一端、所述第二稳压管(ZD6)的负极端、所述第二TL431电压基准源(ZD5)的负极端连接;
所述第十一电阻(R18),其另一端与第一NPN型三极管(Q7)的集电极端连接;
所述第十二电阻(R19),其一端与所述次级侧电路的电源(VCC5VSB)连接,其另一端与第二NPN型三极管(Q8)的集电极端连接;
所述第二NPN型三极管(Q8),其基极端与所述第二稳压管(ZD6)的正极端、所述第一NPN型三极管(Q7)的基极端连接;
所述第一NPN型三极管(Q7),其发射极端通过正接的所述第三二极管(D6)与所述第二TL431电压基准源(ZD5)的控制端连接;
所述第二TL431电压基准源(ZD5)的正极端;
所述第三二极管(D6)的负极端引出多路输出。
7.根据权利要求6所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,还包括:第十三电阻(R20)、第十四电阻(R22)和第十五电阻(R23);
所述第三二极管(D6)的负极端引出多路输出,具体包括:
所述第三二极管(D6)的负极端分别与所述第十三电阻(R20)、第十四电阻(R22)和第十五电阻(R23)的一端连接,所述第十三电阻(R20)、第十四电阻(R22)和第十五电阻(R23)的另一端分别作为输出端。
8.根据权利要求6所述的一种多路输出过欠压保护电路,其特征在于,还包括:第十六电阻(R21)和第二电容(C5);
所述第十六电阻(R21),其一端连接所述第三二极管(D6)的负极端,其另一端接地;
所述第二电容(C5),其一端连接所述第三二极管(D6)的负极端,其另一端接地。
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