CN204807708U - 辐射污染检测系统以及检测设备和辐射粒子探测器 - Google Patents

辐射污染检测系统以及检测设备和辐射粒子探测器 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备和用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器。所述辐射污染检测系统包括至少一个辐射粒子探测器,所述辐射粒子探测器包括探测单元和硅光电倍增管,并且所述辐射污染检测系统还包括:至少一个偏压产生模块,其用于向硅光电倍增管提供偏置电压,以使得硅光电倍增管在其工作温度范围内具有预设的增益;和/或探测数据处理模块,其与硅光电倍增管相连,用于处理由于硅光电倍增管的自身噪声影响而在所述工作温度范围内对于探测到的辐射粒子计数值所产生的误差。本实用新型具有制造、安装及维护成本低、电磁兼容性好、工作电压要求低、体积紧凑、易于装配、更换和使用等诸多优势。

Description

辐射污染检测系统以及检测设备和辐射粒子探测器
技术领域
本实用新型涉及辐射污染检测装备领域,尤其涉及一种辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器。
背景技术
目前,人们已经将各种类型的辐射污染检测装置或设备应用到了多种场合,以便通过此类装置或设备来针对诸如α粒子、β粒子或γ粒子等的辐射污染情况进行检测,从而为食品安全、环境卫生、生命健康、科学研究等方面提供有力保障。
对于现有技术中的这些辐射污染检测装置或设备来讲,例如在全身表面辐射污染检测设备中,它们通常是采用光电倍增管(PMT)来作为光探测器件,然而这些光电倍增管在应用中还存在着一些弊端,从而影响到现有的辐射污染检测装置或设备的使用性能,使得它们难以获得更加广泛、可靠且高效地应用。例如,由于PMT存在着对于电磁场敏感、供电电压需数百伏的高压、制造及维护成本相对较高等问题,这些因素都不可避免地对采用了PMT的各种检测装置或设备的实际应用造成一定限制。此外,由于PMT的基体相对较大,从而致使相应的检测装置或设备占用空间较多,因此在一定程度上影响到辐射污染检测装置或设备的整体布局、安装和维护等,并且不利于其结构紧凑化、轻型化。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器,从而有效地解决了现有技术中存在的上述问题和其他方面的问题。
在根据本实用新型的辐射污染检测系统,其包括至少一个辐射粒子探测器,其特征在于,所述辐射粒子探测器包括:
探测单元,其设置成用于探测辐射粒子,并将探测到的辐射粒子的动能转换成光能输出;以及
硅光电倍增管,其设置成用于接收所述光能并将其转换成电信号输出;
并且,所述辐射污染检测系统还包括:
至少一个偏压产生模块,其与所述至少一个辐射粒子探测器相对应,并且与其中的所述硅光电倍增管相连以向其提供偏置电压,所述偏置电压使得所述硅光电倍增管在其工作温度范围内具有预设的增益;和/或
探测数据处理模块,其与所述至少一个辐射粒子探测器中的所述硅光电倍增管相连,用于处理由于所述硅光电倍增管的自身噪声影响而在所述工作温度范围内对于所述探测到的辐射粒子计数值所产生的误差。在本实用新型的以上技术方案中,通过使用硅光电倍增管并且借助于所设置的偏压产生模块和探测数据处理模块,就可以有效解决硅光电倍增管在其工作温度范围内(例如0℃~40℃)的偏压一致性问题以及因其自身所致噪声将会随着温度的升高而升高的问题,从而保证了该辐射污染检测系统能够具有良好的测量准确性和稳定性,有助于显著提升该辐射污染检测系统的实用性,并且拓展其应用范围。
在上述的辐射污染检测系统中,可选地,所述偏压产生模块包括:
偏压产生电路,其设置成用于提供所述偏置电压;以及
正温度系数调节单元,其与所述偏压产生电路相连,并被设置成用于在所述工作温度范围内为所述偏置电压提供补偿,以使得所述预设的增益保持为基本上恒定值。由于辐射粒子探测器中的硅光电倍增管在不同的工作温度下所需要的偏置电压是不相同的,当采用以上实施方式时,即可实现根据温度变化而自动调节正温度系数调节单元来输出所期望的偏置电压的功能,从而可以确保硅光电倍增管能够持续提供稳定的增益。
在上述的辐射污染检测系统中,可选地,所述正温度系数调节单元中设置有负温度系数热敏电阻,以便可以通过它来感应温度变化,并且借助于其电阻值将会随着温度变化而变化的特性来使得经由偏压产生电路输出的偏置电压产生相应变化,从而可以提供满足硅光电倍增管工作所需要的偏置电压;并且/或者,所述正温度系数调节单元设置成在所述工作温度范围内为所述偏置电压提供线性的电压补偿率,如此即可消除温度变化的影响,使得辐射粒子探测器中的硅光电倍增管可以长期、稳定且可靠地工作于所期望的偏置电压下。
在上述的辐射污染检测系统中,可选地,所述探测数据处理模块包括:
至少一个放大器、至少一个比较器和至少一个数模转换器,它们均与所述至少一个辐射粒子探测器相对应,其中所述放大器与所述硅光电倍增管和所述比较器相连,用以放大所述电信号并将其输出至所述比较器,所述数模转换器与所述比较器相连并被分别设置成用于向所述比较器提供进行比较的阈值信号和用于对所述阈值信号和所述放大器的输出信号进行比较;
温度采集单元,其设置成用于采集周围环境温度数据;以及
控制单元,其与所述比较器、所述数模转换器和所述温度采集单元相连,并被设置成用于控制所述温度采集单元采集周围环境温度数据,以便根据所述周围环境温度数据以及温度-阈值关系式来获得在不同的周围环境温度下所对应的阈值,并由所述数模转换器根据所述阈值产生所述阈值信号,以便所述比较器将所述阈值信号与所述放大器的输出信号进行比较来确认是否探测到一个辐射粒子,然后将探测结果输送至所述控制单元,所述温度-阈值关系式存储于所述控制单元中并与所述周围环境温度和所述阈值相关,所述阈值为从所述探测到的辐射粒子计数值中减去了由于所述硅光电倍增管的自身噪声影响后所对应的辐射粒子计数值。借助于以上实施方式,可以使得每一个辐射粒子探测器都具有与之关联的独立的偏压产生模块、放大器、比较器以及数模转换器,而控制单元和温度采集单元则是被多个辐射粒子探测器所共用,从而使得本实用新型不仅具有合理且有效的布置构造,而且有利于使其高效工作,并且降低制造和维护成本。
在上述的辐射污染检测系统中,可选地,所述辐射粒子探测器还包括光导单元,所述光导单元设置于所述探测单元和所述硅光电倍增管之间,用以将由所述探测单元输出的所述光能传导至所述硅光电倍增管。通过设置光导单元,可以更为有效、方便地在探测单元和硅光电倍增管之间传送光能。
在上述的辐射污染检测系统中,可选地,所述探测单元包括闪烁体,并且所述闪烁体包括塑料闪烁晶体,以便通过其将探测到的辐射粒子的动能以光能形式进行转换输出。
另外,本实用新型还提供了表面辐射污染检测设备,在所述表面辐射污染检测设备中设置有如以上任一项所述的辐射污染检测系统,所述表面辐射污染检测设备包括全身表面辐射污染检测设备,由此可使得检测工作人员等各种相关人士在使用这些表面辐射污染检测设备时,能够充分发挥出本实用新型的辐射污染检测系统所具有的诸多技术优势。
此外,本实用新型还提供了用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器,所述辐射粒子探测器包括:
探测单元,其设置成用于探测辐射粒子,并将探测到的辐射粒子的动能转换成光能输出;以及
硅光电倍增管,其设置成用于接收所述光能并将其转换成电信号输出。如此,由于硅光电倍增管具有对于磁场不敏感而电磁兼容性好、供电电压要求较低、成本较低、占用空间小等优点,因此当将其应用到本实用新型的辐射粒子探测器中作为光探测器件时,就可以充分利用这些固有特性来实现辐射粒子探测器的结构更为小型化、紧凑化,并且降低相应的制造、安装和维护成本等。
在上述的辐射粒子探测器中,可选地,所述辐射粒子探测器还包括光导单元,所述光导单元设置于所述探测单元和所述硅光电倍增管之间,用以将由所述探测单元输出的所述光能传导至所述硅光电倍增管。由此,在增设了上述的光导单元之后,可以通过它来实现在探测单元和硅光电倍增管之间的更为有效、方便的光能传送。
在上述的辐射粒子探测器中,可选地,所述辐射粒子包括β粒子,并且/或者所述辐射污染检测设备包括全身表面辐射污染检测设备。本实用新型的辐射粒子探测器尤其适合被装设应用到各种类型的全身表面辐射污染检测设备中。
在本实用新型所提供的辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器中,通过创新性地采用了硅光电倍增管(SiPM)来作为光检测器件,并且相应的巧妙设置了偏压产生模块、探测数据处理模块等来有效消除硅光电倍增管自身特性伴随着工作温度变化而变化的不利影响,从而不仅使得本实用新型具有制造及维护成本低、电磁兼容性能好、工作电压要求较低、体积小巧紧凑、易于使用和更换等诸多优势,而且尤其能够显著提升现有的辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及辐射粒子探测器的工作性能并且拓展它们的实际应用范围,使其能更为持久、可靠地执行辐射污染检测工作,并且具备更强的实用性和稳定性。
附图说明
以下将结合附图和实施例来对本实用新型的技术方案作进一步的详细描述,但是应当知道,这些附图仅是为解释目的而设计的,因此不作为本实用新型范围的限定。此外,除非特别指出,这些附图仅意在概念性地说明此处描述的结构构造,而不必要依比例进行绘制。
图1是一个根据本实用新型的辐射污染检测系统的实施例的组成示意图。
图2是在一个根据本实用新型的辐射污染检测系统的实施例中使用的温度-阈值关系曲线示意图。
图3是在一个根据本实用新型的表面辐射污染检测设备的实施例中采用阵列布置的多个辐射粒子探测器单元的布置结构示意图。
具体实施方式
需要说明的是,以下将以示例方式来具体说明本实用新型的辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器的具体组成、功能、特点和优点等,然而所有的描述仅是用来进行说明的,而不应当理解为对本实用新型形成任何限制。另外,不同的示例特征是能够彼此互换或进行结合的,即使并未在同一实施例或同一附图中将这些特征同时示出。
请首先参考图1,在该图1中仅以框图方式示意性地显示出了一个根据本实用新型的辐射污染检测系统的实施例的基本组成情况。在这个给出的实施例中,该辐射污染检测系统在总体上包括辐射粒子探测器1、偏压产生模块2和探测数据处理模块。
如图1所示,作为该辐射污染检测系统中用于探测辐射粒子的部分,上述的辐射粒子探测器1设置有探测单元11、硅光电倍增管12和光导单元13。其中,探测单元11是被设置用来探测例如γ粒子等辐射粒子,然后再将所探测到的辐射粒子的动能转换成光能进行输出。对于光导单元13来讲,它被设置在探测单元11和硅光电倍增管12之间,以便经由其将通过探测单元11输出的光能传导给硅光电倍增管12,然后由后者来接收该光能并转换成电信号之后,再将已经转换后的电信号向外输出,从而完成辐射粒子探测器1在该辐射污染检测系统中的辐射粒子探测工作。
作为举例说明,可在上述的探测单元11中设置闪烁体(例如塑料闪烁晶体等),以便采用这样的闪烁体以光能的形式将已探测到的辐射粒子的动能进行转换输出。当然,在本实用新型中也允许使用其他类型的部件或器件来完成上述的辐射粒子动能至光能的转换输出处理。
需要指出的是,尽管在以上示例中特别提及到了光导单元13,以便通过其来方便、有效地在探测单元11和硅光电倍增管12之间传送光能。然而,在某些实施例中是有可能将上述的光导单元13省略掉的,即允许将探测单元11直接连接到硅光电倍增管12上,从而实现简化系统构造的目的。
请再参阅图1,在给出的辐射污染检测系统实施例中设置有偏压产生模块2,它与辐射粒子探测器1中的硅光电倍增管12相连,并且专门用来向该硅光电倍增管12提供偏置电压,以便使得后者能够在它的工作温度范围内(例如,0℃~40℃)具有预设的增益。
具体来讲,由于硅光电倍增管的自身特性原因,导致它随着工作温度的变化而需要不同的偏置电压,为避免由于提供了不正确的偏置电压而可能导致硅光电倍增管无法正常工作,在本实用新型中是通过设置偏压产生模块2来解决这一问题,从而不仅确保硅光电倍增管12能在其工作温度范围内稳定、可靠地工作,而且可以根据温度变化情况进行自动调节来持续提供所期望的预设增益,例如由该硅光电倍增管12向外持续提供一个基本上恒定的增益。
如图1所示,在给出的示例中,偏压产生模块2可以包括偏压产生电路21以及与之相连的正温度系数调节单元22,前者用于提供偏置电压,而后者则用于在硅光电倍增管12的工作温度范围内为偏压产生电路21输出的偏置电压提供补偿,以便最终提供给硅光电倍增管12所实现的预设增益能够保持为基本上恒定值。在此,术语“基本上”的含义是指基于现实考虑而可能存在的对于某个恒定值的任何非实质性偏移,至于具体的偏移程度等都是可以根据本领域技术人员的常规理解或者实际需求情况等来进行灵活设定或调整的。
举例而言,在可选情形下,可以在上述的正温度系数调节单元22中设置负温度系数热敏电阻,以便充分利用它的电阻值将会随着温度变化而变化的特性来感应温度变化,从而使得由偏压产生电路21输出的偏置电压产生相应的变化,进而向硅光电倍增管12提供满足其工作需要的偏置电压。
再举例来讲,在可选情形下,可以将上述的正温度系数调节单元22设置成在硅光电倍增管12的工作温度范围内为偏置电压提供线性的电压补偿率,以便有效消除温度变化的不利影响。
在给出的辐射污染检测系统实施例中,探测数据处理模块与辐射粒子探测器1中的硅光电倍增管12相连,它是系统中的另一个重要功能模块。具体来讲,设置探测数据处理模块的目的是在于,由于硅光电倍增管自身产生的噪声将会伴随着温度的升高而升高,因此此类噪声的存在将会对辐射污染检测系统的辐射粒子探测数目计算造成不可忽视的不利影响,为此可以在本实用新型中专门设置探测数据处理模块来消除由于上述原因所导致的计算数据误差。
仅作为一个示例性说明,可以通过采用设置如图1所示的比较器3、放大器4、数模转换器5、控制单元6、温度采集单元7的方式来实现上述的探测数据处理模块的基本功能。
具体来讲,根据图1中的框图所示情形,将放大器4与比较器3和硅光电倍增管12相连,并且将比较器3与数模转换器5相连,同时将控制单元6与比较器3、数模转换器5和温度采集单元7相连。其中,放大器4是被设置用来对经由硅光电倍增管12输出的电信号进行放大处理,然后再将经过放大处理后的电信号输送给比较器3,以便通过后者进行信号比较;数模转换器5是用来提供用于比较器3进行比较的阈值信号,例如通过其将所输入的数字电压信号转换成模拟电压信号,然后将所产生的模拟电压信号输送给比较器3用于进行比较。
对于控制单元6来讲,它是探测数据处理模块中的重要控制部件,并且可以通过采用电子硬件器件或者其他的适宜部件等来加以实现。控制单元6与比较器3、数模转换器5、温度采集单元7保持连通,通过它首先控制温度采集单元7来采集周围环境温度数据,以便根据所采集到的这些温度数据以及存储于该控制单元6中的温度-阈值关系式来获得在不同的周围环境温度下所对应的阈值。
关于以上提及到的温度-阈值关系式,例如在图2中提供了一个与周围环境温度和阈值二者相关的示范性实例。在这个例子中,横向坐标对应表示的是硅光电倍增管的工作温度范围,而纵向坐标表示对应的阈值。如图2所示,随着温度的升高,可以发现与之对应的阈值也是一直增加的,这反映出了硅光电倍增管的自身噪声不利影响也是伴随着温度的提升而不断增强的。
作为举例说明,可以采用实验测试方式来获取上述的温度-阈值关系式,例如可以将辐射污染检测系统中的辐射粒子探测器放置在温箱中,然后将温箱温度调整为若干个具体温度数值,并且消除自然界空气本底中的辐射粒子影响(例如,一般被认为环境中由于本底造成的计数约每秒小于10个计数值),从而可以确定在这些具体温度数值下各自所对应的阈值,如此就获得了温度-阈值二者之间的若干离散对应数据,可以基于其进一步采用一些插值法来获得温度-阈值的关系曲线。
控制单元6在获得了与此时周围环境温度相对应的阈值之后,就将该阈值输送至数模转换器5,以便由后者产生阈值信号并输送至比较器3进行比较。随后,通过比较器3将该比较信号与从放大器4处放大输出的信号二者进行比较来确认是否探测到了一个辐射粒子,然后再将该探测结果输送给控制单元6,控制单元6将据此来完成辐射粒子的计数。举例来讲,例如可以将比较器3设置成当其判定来自于放大器4的输出信号大于来自于数模转换器5的输出信号时,则认定为探测到了一个辐射粒子,此时即可由控制单元6设定一个计数值,即意味着已经对应检测到一个辐射粒子。
如前所述,由于在本实用新型的上述探测辐射粒子计数过程中,已经充分考虑到并且有效解决了硅光电倍增管在工作温度范围内的自身噪声不利影响,所以本辐射污染检测系统能够提供非常优异的测量准确性、工作稳定性和较强的实用性。
需要特别指出的是,尽管在图1所示的实施例中同时设置了偏压产生模块、探测数据处理模块,然而根据实际应用需求情况,本实用新型完全允许在一些其他的实施例中单独设置这两个功能模块当中的任意一个,从而使得辐射污染检测系统的整体设置更为灵活、机动,能够充分拓展该检测系统的应用范围。
还需要说明的是,在本实用新型所提供的辐射污染检测系统中,可以根据应用需要来设置一个或多个辐射粒子探测器1,并且每一个辐射粒子探测器1都具有各自对应的独立的偏压产生模块2、放大器3、比较器4和数模转换器5,而控制单元6和温度采集单元7则可以被多个辐射粒子探测器1所共用,例如在实际应用中可以设置成由4个辐射粒子探测器共用1个控制单元6和1个温度采集单元7,那么在可选的情形下,当在辐射污染检测系统中总共设置了96个辐射粒子探测器时,就对应设置有24个控制单元6和24个温度采集单元7。采用这种方式不仅能促进这些部件高效、准确地工作,而且有助于优化整体布局,并且有效减低降低制造和维护成本。
在本实用新型中,除了提供辐射污染检测系统之外,它还提供了表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器,下面就对此进行进一步说明。
由于本实用新型的辐射污染检测系统具备了前述的诸多特定和技术优势,因此非常适合将其应用到表面辐射污染检测设备中,例如将这样的辐射污染检测系统装设在全身表面辐射污染检测设备中,从而完全区别于现有的表面辐射污染检测设备,并且使其在工作性能、成本、结构、使用便捷性、可靠性等方面都相对于现有设备具有突出的比较优势。
在本实用新型所提供的表面辐射污染检测设备中,根据实际需求情况,可以将若干个辐射粒子探测器1装配在一起来形成一个辐射粒子探测器单元1a,而在单个辐射粒子探测器单元1a中的所有辐射粒子探测器则共用同一个控制单元6和同一个温度采集单元7,然后再将若干个这样的辐射粒子探测器单元1a布置成阵列形式,从而可使得该表面辐射污染检测设备在整体构造上将比那些现有的辐射污染检测装置或设备更为紧凑,而且也更容易进行安装、更换和扩展。
举例而言,例如图3所示,可以选择使用4个辐射粒子探测器1来装配成一个辐射粒子探测器单元1a,然后将24个这样的辐射粒子探测器单元1a装配成阵列形式,即此时在该表面辐射污染检测设备中总共设置有96个辐射粒子探测器、24个控制单元以及24个温度采集单元。
此外,还需要说明的是,在可选的情形下,本实用新型允许在上述的阵列布置结构中同时考虑增设一个或多个供备用的辐射粒子探测器单元布置位置,以便能够进一步增强表面辐射污染检测设备的可扩展性,从而方便实际应用。例如,在图3中以示意方式总共示出了25个辐射粒子探测器单元布置位置,其中一个布置位置就是基于应用扩展需要而特别设置备用的。
此外,对于本实用新型所提供的用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器来讲,可以参考关于辐射污染检测系统的前述内容来进行相应配置或调整,以便将该辐射粒子探测器应用到例如全身表面辐射污染检测设备等各种辐射污染检测设备上,从而方便检测工作人员等在相应场合下投入使用并且充分发挥出前述的诸多技术优势。
具体来讲,本实用新型的上述辐射粒子探测器可以包括探测单元和硅光电倍增管,或者同时包括探测单元、光导单元和硅光电倍增管,关于这些组成部件的具体设置、特性功能等方面的情况,完全可以参阅前述的相关内容,因而在此不再赘述。
可以理解的是,由于在本实用新型的辐射粒子探测器中创新性地采用了硅光电倍增管来作为光探测器件,并且充分利用了此类硅光电倍增管的固有特性,例如电磁兼容性更佳、电压配置要求较低、占用空间小、成本较低、易于更换维护等,因此非常有助于促使辐射粒子探测器的结构更为紧凑,易于实现以更低的成本来进行制造、装配和后续维护,从而使得装设了该辐射粒子探测器的各种辐射污染检测装置或设备能够获得更加广泛、可靠且高效地应用。
以上仅以举例方式来详细阐明本实用新型的辐射污染检测系统、表面辐射污染检测设备以及用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器,这些个例仅供说明本实用新型的原理及其实施方式之用,而非对本实用新型的限制,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,本领域技术人员还可以做出各种变形和改进。因此,所有等同的技术方案均应属于本实用新型的范畴并为本实用新型的各项权利要求所限定。

Claims (10)

1.一种辐射污染检测系统,其包括至少一个辐射粒子探测器(1),其特征在于,所述辐射粒子探测器(1)包括:
探测单元(11),其设置成用于探测辐射粒子,并将探测到的辐射粒子的动能转换成光能输出;以及
硅光电倍增管(12),其设置成用于接收所述光能并将其转换成电信号输出;
并且,所述辐射污染检测系统还包括:
至少一个偏压产生模块(2),其与所述至少一个辐射粒子探测器(1)相对应,并且与其中的所述硅光电倍增管(12)相连以向其提供偏置电压,所述偏置电压使得所述硅光电倍增管(12)在其工作温度范围内具有预设的增益;和/或
探测数据处理模块,其与所述至少一个辐射粒子探测器(1)中的所述硅光电倍增管(12)相连,用于处理由于所述硅光电倍增管(12)的自身噪声影响而在所述工作温度范围内对于所述探测到的辐射粒子计数值所产生的误差。
2.根据权利要求1所述的辐射污染检测系统,其特征在于,所述偏压产生模块(2)包括:
偏压产生电路(21),其设置成用于提供所述偏置电压;以及
正温度系数调节单元(22),其与所述偏压产生电路(21)相连,并被设置成用于在所述工作温度范围内为所述偏置电压提供补偿,以使得所述预设的增益保持为基本上恒定值。
3.根据权利要求2所述的辐射污染检测系统,其特征在于,所述正温度系数调节单元(22)中设置有负温度系数热敏电阻,并且/或者所述正温度系数调节单元(22)设置成在所述工作温度范围内为所述偏置电压提供线性的电压补偿率。
4.根据权利要求1所述的辐射污染检测系统,其特征在于,所述探测数据处理模块包括:
至少一个放大器(4)、至少一个比较器(3)和至少一个数模转换器(5),它们均与所述至少一个辐射粒子探测器(1)相对应,其中所述放大器(4)与所述硅光电倍增管(12)和所述比较器(3)相连,用以放大所述电信号并将其输出至所述比较器(3),所述数模转换器(5)与所述比较器(3)相连并被分别设置成用于向所述比较器(3)提供进行比较的阈值信号和用于对所述阈值信号和所述放大器(4)的输出信号进行比较;
温度采集单元(7),其设置成用于采集周围环境温度数据;以及
控制单元(6),其与所述比较器(3)、所述数模转换器(5)和所述温度采集单元(7)相连,并被设置成用于控制所述温度采集单元(7)采集周围环境温度数据,以便根据所述周围环境温度数据以及温度-阈值关系式来获得在不同的周围环境温度下所对应的阈值,并由所述数模转换器(5)根据所述阈值产生所述阈值信号,以便所述比较器(3)将所述阈值信号与所述放大器(4)的输出信号进行比较来确认是否探测到一个辐射粒子,然后将探测结果输送至所述控制单元(6),所述温度-阈值关系式存储于所述控制单元(6)中并与所述周围环境温度和所述阈值相关,所述阈值为从所述探测到的辐射粒子计数值中减去了由于所述硅光电倍增管(12)的自身噪声影响后所对应的辐射粒子计数值。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的辐射污染检测系统,其特征在于,所述辐射粒子探测器(1)还包括光导单元(13),所述光导单元(13)设置于所述探测单元(11)和所述硅光电倍增管(12)之间,用以将由所述探测单元(11)输出的所述光能传导至所述硅光电倍增管(12)。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的辐射污染检测系统,其特征在于,所述探测单元(11)包括闪烁体,所述闪烁体包括塑料闪烁晶体。
7.一种表面辐射污染检测设备,其特征在于,所述表面辐射污染检测设备中设置有如权利要求1-6中任一项所述的辐射污染检测系统,所述表面辐射污染检测设备包括全身表面辐射污染检测设备。
8.一种用于辐射污染检测设备的辐射粒子探测器(1),其特征在于,所述辐射粒子探测器(1)包括:
探测单元(11),其设置成用于探测辐射粒子,并将探测到的辐射粒子的动能转换成光能输出;以及
硅光电倍增管(12),其设置成用于接收所述光能并将其转换成电信号输出。
9.根据权利要求8所述的辐射粒子探测器(1),其特征在于,所述辐射粒子探测器(1)还包括光导单元(13),所述光导单元(13)设置于所述探测单元(11)和所述硅光电倍增管(12)之间,用以将由所述探测单元(11)输出的所述光能传导至所述硅光电倍增管(12)。
10.根据权利要求8或9所述的辐射粒子探测器(1),其特征在于,所述辐射粒子包括β粒子,并且/或者所述辐射污染检测设备包括全身表面辐射污染检测设备。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106842279A (zh) * 2017-01-24 2017-06-13 陕西卫峰核电子有限公司 一种核临界事故的探测方法及探测器
CN108490475A (zh) * 2018-03-22 2018-09-04 北京大学 星上数据处理方法、系统及空间粒子探测器
CN110426728A (zh) * 2019-08-26 2019-11-08 重庆建安仪器有限责任公司 辐射监测系统及方法
CN114216861A (zh) * 2021-12-06 2022-03-22 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种表面污染测量探头装置、系统及方法
CN114236590A (zh) * 2021-12-06 2022-03-25 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 环境级γ智能测量探头装置、系统及方法
CN114236590B (zh) * 2021-12-06 2024-06-07 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 环境级γ智能测量探头装置、系统及方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106842279A (zh) * 2017-01-24 2017-06-13 陕西卫峰核电子有限公司 一种核临界事故的探测方法及探测器
CN108490475A (zh) * 2018-03-22 2018-09-04 北京大学 星上数据处理方法、系统及空间粒子探测器
CN110426728A (zh) * 2019-08-26 2019-11-08 重庆建安仪器有限责任公司 辐射监测系统及方法
CN114216861A (zh) * 2021-12-06 2022-03-22 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种表面污染测量探头装置、系统及方法
CN114236590A (zh) * 2021-12-06 2022-03-25 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 环境级γ智能测量探头装置、系统及方法
CN114216861B (zh) * 2021-12-06 2023-07-18 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种表面污染测量探头装置、系统及方法
CN114236590B (zh) * 2021-12-06 2024-06-07 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 环境级γ智能测量探头装置、系统及方法

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