CN204761420U - 调容式达林顿型发射器 - Google Patents

Abstract

调容式达林顿型发射器，属于遥控技术领域。由射频单元、电源电路、达林顿式转换电路、变码控制电路、三极管控制电路、编码集成电路共同组成。是将具有三种状态的普通编码升级为高密编码的一种形式，在发射开关接通电池，达林顿式转换电路立即启动，启动变码控制电路与三极管控制电路随之形成两次变换，共同控制编码集成电路的两位变动码与变位端，通过对射频单元中调制三极管的激励，达到双码调制发射的目的，同时使对应接收具备输出的唯一性，运用一种∩形铜箔天线，配合调容式射频电路，减少外界天气与周围环境对发射的影响，让发射更可靠，实施后，将普通三态编码发射提升为一种高密级的变码发射，为研究另类发射提供了新的思路与方向。

Description

调容式达林顿型发射器

技术领域

属于遥控技术领域。

背景技术

无线电遥控发射技术，是本企业研究的重点项目，也是一种系列研究项目。之所以成为系列研究，原因一是，应用很广，其二是，从保密的角度，现有的编码技术是一种方向的研究，而本实用新型是另一方向的研究，因而能有更好的保密效果，其三是，本实用新型是将具有三态状态的固定码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以提出创新的方案，形成系列保护。

发射技术的商业价值有三项重要指标，一是发射的远近，二是编码的密级，三是价格情况。而如何在这三者重要指标中找到最好的平衡点，这就是科研人员思考的一个重大课题，也是本企业科研人员所思考的一个重大课题。

在传递过程中能够传递的远近，是无线电发射中的一项重要指标，显然能够传递的距离越远，其性能也先进，反之性能越低。

理论与实验说明，发射的远近与外界因素有很大的关系，如与四周的环境，与天气均有很大的关系。特别是天气，在同样的外界情况下，在天气好的时候普通的发射接收均常能达到几十米，但是在天气恶劣时，其距离可以骤然降低到仅几米。

众所周知，应用遥控技术，首先就得要进行编码，其编码的主要意义是避免被他人破解。所以编码密级的好坏，直接关系到产品质量的优劣。从现在的技术水平看，现在的编码集成电路，一种是较高档的以滚动码为代表的种类，这类集成电路的优点是编码复杂，破解困难，但是价格贵，同时技术难度大。另一类是以编码为三种状态的编码，如2262以代表的编码集成电路种类，这类集成的优点是价格低，所以制成的产品具有很大的价格竞争优势，市场前景广阔，但是缺点的由于编码简单密极不高，很有可能像机械钥匙开锁一样，一把钥匙可以开两至三把锁，这就让人很不放心，如果是用在汽车上，偷盗就此而产生，怎么让人用得放心，如果是用在防盗安全门上，怎么能让人用得安心。

两种码各有其优点缺点，所以如何才能取其两种编码的优点，而去其两种编码的缺点，将两种编码的集成线路的优点结合在一起，就成为了科研人员一种思考，也成为了本企业科研人员的重大课题。

要达到上述目的，必需完全突破传统的思维方式，这种思维，既要考虑到两种集成编码特点，保密原理的方向，又要考虑到单独使用的效果，同时又要考虑到两种方法的综合使用效果，所以是一种严重的挑战，也是一种完全的重大创新。

为此，本实用新型的主要的指导思想是，提出一种既具有发射能力较强的发射方法，同时，研制一种新的编码集成电路，其集成电路的特点一是在单独使用时，也具很高的防破解能力，二是当它与滚动码组合使用时，能起到强强联合的最佳效果。三是具有较低的造价，特别适用于微型企业。从而将具有三种状态的普通编码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以本企业作了系统创新，提出系统的发明方案，成为系列的保护体系。

发明内容

本实用新型的主要目的是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，采用两管形成的达林顿式电路，配合初始的积分延时电路，形成一种具有两次转换的电路，结合变码控制电路与三极管控制电路，共同控制编码集成电路的两位变动码与两位变位端，使普通编码发射形成变码发射，同时，使对应接收具备输出的唯一性，进一步提升遥控的密级。同时运用一种∩形铜箔天线，配合调容式射频电路，减少外界天气与周围环境对发射的影响，让发射更可靠。实施后，将普通三态编码发射提升为一种高密级的变码发射，为研究另类发射提供了新的思路与方向。

本实用新型提出的措施是：

1、调容式达林顿型发射器由射频单元、电源电路、达林顿式转换电路、变码控制电路、三极管控制电路、编码集成电路共同组成。

其中：电源电路由电池与发射开关组成：电池的负极接调容式达林顿型发射器的地线，电池的正极接发射开关的一端，发射开关的另一端为调容式达林顿型发射器的电源。

达林顿式转换电路由积分电路、达林顿电路组成。

积分电路由放电二极管、积分电阻、积分电容组成。

达林顿电路由达林顿前管、达林顿后管、一个集电极对地电阻组成。

达林顿前管的发射极接达林顿后管的基极，达林顿后管的发射极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起，接集电极对地电阻到地线，积分电容的一端连接达林顿前管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极接在达林顿前管的基极，放电二极管的负极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起成为达林顿式转换电路的输出。

变码控制电路由第一变码控制电路与第二变码控制电路组成。

第一变码控制电路由第一基极电阻、第一变码控制三极管组成：第一基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第一基极电阻的另一端连接第一变码控制三极管的基极，第一变码控制三极管的发射极接地线，第一变码控制三极管的集电极即是变码控制电路的第一输出。

第二变码控制电路由第二基极电阻、集电极电阻、第二变码控制NPN三极管、第二变码控制PNP三极管组成：第二基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第二基极电阻的另一端连接第二变码控制NPN三极管的基极，第二变码控制NPN三极管的发射极接地线，集电极电阻接在电源与第二变码控制NPN三极管的集电极之间，第二变码控制NPN三极管的集电极连接第二变码控制PNP三极管的基极，第二变码控制PNP三极管的发射极接电源，第二变码控制PNP三极管的集电极即是变码控制电路的第二输出。

三极管控制电路由三极管、控制电阻、集电极电源电阻组成：控制电阻的一端连接达林顿式转换电路的输出，控制电阻的另一端接三极管的基极，三极管的发射极接地线，三极管的集电极与电源之间接一个集电极电源电阻，三极管的集电极即是三极管控制电路的输出。

编码集成电路的地址码中的两位地址码接为变动码，其余接为固定码。

编码集成电路的数据端中的两位数据端接为变位端。

两位变动码分别接变码控制电路的两位输出，与变码控制电路的第一输出相接的变动码即是第一变动码，与变码控制电路的第二输出相接的变动码即是第二变动码；两位变位端分别与达林顿式转换电路的输出、三极管控制电路的输出相接，与达林顿式转换电路的输出相接的变位端即是第一变位端，与三极管控制电路的输出相接的变位端即是第二变位端。

编码集成电路的输出接射频单元中调制电路中的调制电阻的一端。

射频单元由调制电路、射频电路、铜箔天线共同组成。

调制电路由调制电阻与调制三极管组成：编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻另一端接调制三极管的基极，调制三极管的发射极接地，集电极接高频发射管的发射极。

铜箔天线是∩形状，左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接，其尺寸是，铜箔宽度为2毫米，左右两条垂直的铜箔长度为30毫米，两条垂直铜箔的间距为20毫米，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米。

射频电路：晶振有三个端头，一个端头接铜箔天线的输入端，第二个端头接高频发射管的基极，第三个端头接高频发射管的发射极。

高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间，高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端。

铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容，调频电容并联一个固定电容。

旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间。

去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。

2、达林顿前管与达林顿后管都是PNP三极管。

3、放电二极管是面贴合型二极管。

4、达林顿式转换电路的另一形式是两个三极管中只取一个三极管即只有达林顿后管，由积分电容、积分电阻、放电二极管、达林顿后管与集电极对地电阻组成，连接方式达林顿后管的发射极接电源，积分电容的一端连接达林顿后管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极连接达林顿后管的基极，放电二极管的负极连接电源，达林顿后管的集电极与地线之间接集电极对地电阻。

5、第一变码控制三极管与三极管控制电路中的三极管是NPN三极管。

6、调制三极管与控制电路中的三极管是同一类型的三极管。

措施总述

无线电编码技术，是本企业研究的重点项目，也是一种系列研究项目。之所以成为系列研究，原因一是，应用很广，其二是，从保密的角度，现有的编码技术是一种方向的研究，而本实用新型是另一方向的研究，因而能有更好的保密效果，其三是，本实用新型是将具有三态状态的固定码升级为一种高密的编码状态，由于这种编码具有很多种形式的变化，而每一种变化形式都具有重要的意义，所以提出创新的方案，形成系列保护。而本措施的重点是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，采用两管形成的达林顿式电路，配合初始的积分延时电路，形成一种具有两次转换的电路，结合变码控制电路与三极管控制电路，共同控制编码集成电路的两位变动码与两位变位端，使普通编码发射形成变码发射，同时，使对应接收具备输出的唯一性，进一步提升遥控的密级。同时运用一种∩形铜箔天线，配合调容式射频电路，减少外界天气与周围环境对发射的影响，让发射更可靠。实施后，将普通三态编码发射提升为一种高密级的变码发射，为研究另类发射提供了新的思路与方向。

对本措施进一步解释如下：

一、调容式达林顿型发射器由射频单元、电源电路、达林顿式转换电路、变码控制电路、三极管控制电路、编码集成电路共同组成，是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式。

现有的产品的三态普通编码集成电路的优点一是廉价，二是编码直观，检查清楚，生产技术要求低。但从密级的角度观察，它的密码数少，所以密级低。在现代的技术中，作案者可以借助于一种扫码器（既是按一定规律发出不同的编码的发射器）严密地试探地破解出密码。随着产品的升级，编码集成产生了滚动码一类的代表产品，这类产品，由于密码多，且发射是变化着的，所以借助于一种扫码器难以破解密码的规律，所以在很多杂志上，认为如果按一般的规律扫完码，所需要的时间是一个天文数据，所以密级是不可破的。仅管如此，在理论上（既是不按一定规律发出不同的编码的发射器），还是存在破解的概率，只不过这种概率很低罢了。而本发明的提高密级的方向是产生二次发射，其意义是每次发射将发出二次信号，所以接收也必须要接收到两次信号后，才能解码。所以如果用一次发射的办法来破解，因为方法完全错误，所以破解率为零。这是其一，其二本措施实现后的编码集成电路，可以单独使用，也可以与滚动码联合使用，成为一种强强联合，因而成为一种超级保密码。所以这种研究十分有意义。

二、形成二次编码发射的原理是：采用三态编码集成电路，并将该类集成电路的地址码分类了两类，一类是焊好的固定码，另一类是具有变化的码。固定码的连接方式是根据三态编码的三种状态焊接，两位变动码分别连接变码控制电路的两位输出，在发射的周期内，变码器将要动作两次，从而在发射的周期内，将由传统的的一次发射变为了连续的两次发射。同理可知，对应的接收解码集成必需要在接收的周期内收到两次信号，才能解码。从而达到了与现有传统产品的发射方式完全不同。

三、形成两次变换的原理：

达林顿式转换电路是变动码与变位端转变的基础电路，它的输出连接了编码集成电路的第一变动码与第一变位端，还控制了连接第二变动码与第二变位端的三极管控制电路，在达林顿式转换电路中，两个三极管都是PNP三极管，当基极有电压时，电流无法流向地形成偏流，所以PNP三极管为截止状态，其集电极与发射极等同于开路，当基极有电流流向地时，PNP三极管为饱和状态，其集电极与发射极等同于短路。所以当发射开关闭合，接通电池时，达林顿前管（图2中的102）的基极电流通过积分电容（图2中的103）与积分电阻（图2中的104）流入地线，由于达林顿有很高的放大能力，其放大倍数为两管放大倍数的乘积，所以在对电容的充电过程将成为了达林顿饱和的过程，这时输出端因为存在有较强的射极电流，而使对地电阻有较高的电压，而成为第一种高位输出状态，当电容被电流充满后，达林顿的两个三极管无偏流而变化为截止，这时对地电阻将无电流通过，而处于零位，成为第二种输出为低位的状态。

为进一步提高线路性能，其中负极与电源相接，而正极与达林顿管基极相连的二极管是积分电容的放电二极管，其意义是，当电源无电时，积分电容的电荷可以迅速向地线放电，其放电通路是该二极管与积分电阻。由于达林顿管的放大倍数很大，为两管放大倍数的乘积，所以积分现象很明显。电容可以用得很小，这对于发射电路是一个很重要的优点。其外第二亮点通过积分电路能实现两次变换，亮点三是具有初始状态，因而在两次变换中具有时序性，进一步提高了密级。亮点四是，这种电路省电，这对于发射电路是很重要的一种性能。亮点五是线路简洁，外围件很少，因此不仅可靠性高，而且易生产。

在措施4中，达林顿式转换电路的另一形式是两个三极管中只取一个三极管即只有达林顿后管，由积分电容、积分电阻、放电二极管、达林顿后管与集电极对地电阻组成，连接方式达林顿后管的发射极接电源，积分电容的一端连接达林顿后管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极连接达林顿后管的基极，放电二极管的负极连接电源，达林顿后管的集电极与地线之间接集电极对地电阻。这样的好处是只有一个有源件，线路更加简洁，易坏件更少，线路更可靠。

四、两位变动码变换的原理：

编码集成电路的两位变动码分别连接变码控制电路的两位输出，变码控制电路受达林顿式转换电路的控制。因此，当达林顿式转换电路形成两次变换时，变码控制电路有以下的变换：

1、第一变动码的变换原理：当达林顿式转换电路的输出为第一状态的高位时，第一变码控制电路中的第一变码控制三极管（图2中的203）的基极有电压存在，第一变码控制三极管（图2中的203）、第二变码控制NPN三极管（图2中的222）都是NPN三极管，所以当基极有电压存在时，三极管为饱和状态，所以第一变码控制三极管为饱和状态，即相当于集电极与发射极短路，所以其集电极是低位，即变码控制电路的第一输出（图2中的210）是低位，与之相接的第一变动码也是低位，即0状态。

当达林顿式转换电路的输出是第二状态的低位时，第一变码控制电路中的第一变码控制三极管的基极失去了电压，所以第一变码控制三极管由饱和转变为截止，其集电极与发射极为开路，而其集电极上既未接电源电阻与未接对地电阻，因此，此时的变码控制电路的第一输出是既未接通地线也未接通电源的悬浮状态，与之相接的第一变动码也为悬浮状态。

2、第二变动码的变换原理：当达林顿式转换电路的输出为第一状态的高位时，此时的第二变码控制电路中第二变码控制NPN三极管（图2中的222）与第二变码控制PNP三极管（图2中的225），第二变码控制NPN三极管的状态与第一变码控制三极管的状态一样，集电极呈低位，导致第二变码控制PNP三极管的基极形成了偏流，所以第二变码控制PNP三极管的集电极与发射极短路，呈高位，所以变码控制电路的第二输出（图2中的250）是高位，与之相接的第二变动码也是高位，即1状态。

当达林顿式转换电路的输出是第二状态的低位时，此时的第二变码控制电路中第二变码控制NPN三极管与第二变码控制PNP三极管，第二变码控制NPN三极管的状态与第一变码控制三极管的状态一样，集电极与发射极断开，由于第二变码控制NPN三极管的集电极与电源之间接有集电极电阻，所以其集电极为高位，导致第二变码控制PNP三极管的基极偏流消失，所以第二变码控制PNP三极管的集电极与发射极开路，成为了既未接通地线也未接通电源的悬浮状态，所以变码控制电路的第二输出是悬浮状态，与之相接的第二变动码也是悬浮状态。

3、在发射开关按下后，达林顿式转换电路立即启动，形成两次变换，启动变码控制电路与三极管控制电路也形成两次变换，共同控制编码集成电路的两闰变动码也随之形成两次的变换，这时编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对射频单元中调制电阻的调制三极管的激励，达到双码调制发射的目的。

五、让对应接收具备输出的唯一性的原因是：编码集成电路的两位变位端，分别连接在达林顿式转换电路的输出与三极管控制电路的输出上，而编码集成电路的数据端是只在这位数据端是高位时才起作用，低位时不作用，当达林顿式转换电路的输出为高位，与之相接的变位端也为高位起作用，三极管控制电路中的三极管（图2中的302）基极有电压，使三极管饱和，其集电极与发射极等同于短路，因此此时的三极管集电极即三极管控制电路的输出为低位，与之相接的变位端也为低位不作用，当林顿式转换电路的输出转变为低位时，与之相接的变位端也转变为低位，不作用，三极管控制电路的基极失去让三极管饱和的电压，因此三极管由饱和转变为截止，三极管控制电路的集电极与发射极等同于开路，由集电极与电源接有集电极电源电阻（图2中的303），所以三极管的集电极即三极管控制电路的输出为高位，与之相接的变位端也为高位起作用。

形成变位端的转变，让对应接收具备输出的唯一性，对提升遥控的密级有很大的好处。

六、射频单元的说明：1、在措施1中，运用了一种∩形铜箔天线与之配合，减少了外界天气与周围环境对发射的影响，使发射更可靠。发射的远近即灵敏度与天气有很大影响，如果用传统的设计方法，很难保证满足有关遥控电器的设计要求，其原因是，一般的发射可以临时改变发射的位置及距离，只要当时能满足接收能收到信号便可。而如果发射与接收位置已确定，在使用过程不能因天气的不同而临时更改，一旦在恶劣天气时，就很难保证产品的性能，所以必需增加必要的措施。而本措施却可以很大程度提高灵敏度，即是特定一种∩形铜箔天线，其尺寸是，铜箔宽度为2毫米，左右两条垂直的铜箔长度为30毫米，两条垂直铜箔的间距为20毫米，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米。让发射与接收有了更好的匹配，减少外界恶劣天气与周围环境对发射的影响，使发射更灵敏可靠。

2、采用晶振式线路，其好处是射频稳定，特性好，所以可以用于需要遥控距离远的地方。

实施后或在设计者所配套的接收器的配合下，本发明有以下突出的优点为：

本措施实施后，有着强大的生命力，其原因是对于发射技术的三项重要指标，一是发射的远近，二是编码的密级，三是价格情况都有重大改善。编码集成电路有着广阔的用途，小到玩具类，大到高级的保安，通讯等领域都十分需要，因而用途十分广泛。主要表现在：

1、彻底改变了普通编码的固定发射形式，将编码集成电路的固定编码变为了活动的变换形式，达到了变动码的目的，因此，大大提升了编码的密级，具有很高的防破解能力。

2、达林顿式转换电路与编码集成电路的结合，在单独使用时，能有较高的密级，与滚动码配合后，能实现超强的组合，因为滚动码是一类性质的编码，而本措施中双码发射又是一类性质的编码，两种不同性质的编码组合，比一种性质的编码破解难度更大。

3、双码发射可靠，其原因是发射双码产生的变码时，不会紊乱，两种变码状态明显，分辨清楚，与发明者设计的接收部分十分匹配。

4、形成变位端的转变，让对应接收具备输出的唯一性，对提升遥控的密级有很大的好处。

5、达林顿式转换电路可靠，一是达林顿管的放大倍数很大，为两管放大倍数的乘积，所以积分现象明显。电容可以用得很小，这对于发射电路是一个很重要的优点。二是通过积分电路能实现两次变换。三是有初始状态，因而在两次变换中具有时序性，进一步提高了密级。四是电路省电，这对于发射电路是很重要的一种性能。五是达林顿中的两个三极管可以为一个三极管，电路更简洁，外围件很少，因此不仅可靠性高，而且易生产。

6、在射频单元中，特定一种∩形铜箔天线，很大程度提高灵敏度，让发射与接收有了更好的匹配。射频采用晶振式线路，其好处是射频稳定，特性好，所以可以用于需要遥控距离远的地方。

7、生产容易，一是不用贵重的设备与仪表，二是技术简单，三是线路精简且所用元件要求低，所以可以产生很高的直通率，四是成本低，十分适合微型企业生产。

附图说明

图1是各部分关系图。

图中：1、达林顿式转换电路；2、变码控制电路；3、三极管控制电路；5、编码集成电路；6电源电路；7、射频单元；120、达林顿式转换电路的输出；21、第一变码控制电路；25、第二变码控制电路；210、变码控制电路的第一输出；250、变码控制电路的第二输出；310、三极管控制电路的输出；501、编码集成电路的第一变动码；502、编码集成电路的第二变动码；503、编码集成电路的第一变位端；505、编码集成电路的第二变位端；508、编码集成电路的输出。

图2是微分互补型两次变换电路、变码控制电路、三极管控制电路的电路图。

图中：101、达林顿后管；102、达林顿前管；103、积分电容；104、积分电阻；105、放电二极管；106、集电极对地电阻；120、达林顿式转换电路的输出；201、第一基极电阻；203、第一变码控制三极管；210、变码控制电路的第一输出；220、第二基极电阻；222、第二变码控制NPN三极管；223、集电极电阻；225、第二变码控制PNP三极管；250、变码控制电路的第二输出；301、控制电阻；302、三极管控制电路中的三极管；303、集电极电源电阻；310、三极管控制电路的输出；601、电池；602、发射开关。

图3是措施4中所述的达林顿式转换电路的另一形式，是两个三极管中只取一个三极管，即只有达林顿后管、积分电容、积分电阻、放电二极管与集电极电阻组成的电路图。

图中：101、达林顿后管；103、积分电容；104、积分电阻；105、放电二极管；106、集电极对地电阻；120、达林顿式转换电路的输出；201、第一基极电阻；203、第一变码控制三极管；210、变码控制电路的第一输出；220、第二基极电阻；222、第二变码控制NPN三极管；223、集电极电阻；225、第二变码控制PNP三极管；250、变码控制电路的第二输出；302、三极管控制电路中的三极管；301、控制电阻；303、集电极电源电阻；310、三极管控制电路的输出；601、电池；602、发射开关。

图4是射频电路图。

图中：5、编码集成电路；508、编码集成电路的输出；601、电池；602、发射开关；701、晶振；702、铜箔天线；703、调制电阻；704、调制三极管；705、高频发射管；706、高频发射管的基极电阻；707、旁路电容；708、调频电容；709、与调频电容并联的固定电容；710、去耦电容。

具体实施方式

图1、2、3、4共同描述了具体实施的一种方式。

1、焊接：达林顿式转换电路如图2或图3所示焊接，射频电路如图4所示焊接。

2、调制。

（1）、调整达林顿式转换电路。

调整转换时间：用示波器的红条笔接在达林顿式转换电路的输出上，黑表笔接地。

观察转换情况，使之频率符合要求。调整积分电阻或积分电容的值，可以调整发射时间。

（2）、调整射频与调制工作状态。

如果用示波器作接收器，与发射器不直接相连，这时在按发射器时，示波器会有反应，表示射频与调制工作正常。应调整调频电容或编码集成电路输出端所接的调制电阻值，直到灵敏度符合要求。

（3）、检查变动码的情况：

A：用示波器的红表笔接第一变动码，黑表笔接地，在频率很慢时可观察，通电刚开始时，屏表示为低位，之后该光标为花状，现象是Y轴光标亮线为花状。

如不正常，首先测达林顿式转换电路的输出是否是高低两次转变，如果是，则可能是第一变码控制三极管损坏，如果第一变码控制电路是好的，则可能是编码集成电路坏。

B：用示波器的红表笔接第二变动码，黑表笔接地，在频率很慢时可观察，通电刚开始时，屏表示为高位反应，现象是Y轴光标亮线是高位反应，之后该光标为花状。

如不正常，首先测达林顿式转换电路的输出是否是高低两次转变，如果是，则可能是第二变码控制NPN三极管与第二变码控制PNP三极管三极管中的一个三极管损坏，或是集电极电阻过小第二基极电阻过大，如果第二变码控制电路的输出是好的，那么则是编码集成电路损坏。

（4）、检查数据输入端的唯一性。

用万用表的红表笔接第一变位端，黑表笔接地，在频率很慢时可观察，通电刚开始时，第一变位端是高位，之后成为低位，同样的方式测第二变位端，在通电刚开始时，第二变位端是低位，之后为高位。

（5）、用普通单码接收器作接收器，此时接收部分不能收到信号。如果用发明者设计的特定双码信号接收器，则双码接收器会收到信号。

Claims (6)

1.调容式达林顿型发射器，其特征是：由射频单元、电源电路、达林顿式转换电路、变码控制电路、三极管控制电路、编码集成电路共同组成；

其中：电源电路由电池与发射开关组成：电池的负极接调容式达林顿型发射器的地线，电池的正极接发射开关的一端，发射开关的另一端为调容式达林顿型发射器的电源；

达林顿式转换电路由积分电路、达林顿电路组成；

积分电路由放电二极管、积分电阻、积分电容组成；

达林顿电路由达林顿前管、达林顿后管、一个集电极对地电阻组成；

达林顿前管的发射极接达林顿后管的基极，达林顿后管的发射极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起，接集电极对地电阻到地线，积分电容的一端连接达林顿前管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极接在达林顿前管的基极，放电二极管的负极接电源，达林顿前管与后管的集电极接在一起成为达林顿式转换电路的输出；

变码控制电路由第一变码控制电路与第二变码控制电路组成：

第一变码控制电路由第一基极电阻、第一变码控制三极管组成：第一基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第一基极电阻的另一端连接第一变码控制三极管的基极，第一变码控制三极管的发射极接地线，第一变码控制三极管的集电极即是变码控制电路的第一输出；

第二变码控制电路由第二基极电阻、集电极电阻、第二变码控制NPN三极管、第二变码控制PNP三极管组成：第二基极电阻的一端连接微分互补型两次变换电路的输出，第二基极电阻的另一端连接第二变码控制NPN三极管的基极，第二变码控制NPN三极管的发射极接地线，集电极电阻接在电源与第二变码控制NPN三极管的集电极之间，第二变码控制NPN三极管的集电极连接第二变码控制PNP三极管的基极，第二变码控制PNP三极管的发射极接电源，第二变码控制PNP三极管的集电极即是变码控制电路的第二输出；

三极管控制电路由三极管、控制电阻、集电极电源电阻组成：控制电阻的一端连接达林顿式转换电路的输出，控制电阻的另一端接三极管的基极，三极管的发射极接地线，三极管的集电极与电源之间接一个集电极电源电阻，三极管的集电极即是三极管控制电路的输出；

编码集成电路的地址码中的两位地址码接为变动码，其余接为固定码；

编码集成电路的数据端中的两位数据端接为变位端；

两位变动码分别接变码控制电路的两位输出，与变码控制电路的第一输出相接的变动码即是第一变动码，与变码控制电路的第二输出相接的变动码即是第二变动码；两位变位端分别与达林顿式转换电路的输出、三极管控制电路的输出相接，与达林顿式转换电路的输出相接的变位端即是第一变位端，与三极管控制电路的输出相接的变位端即是第二变位端；

编码集成电路的输出接射频单元中调制电路中的调制电阻的一端；

射频单元由调制电路、射频电路、铜箔天线共同组成；

调制电路由调制电阻与调制三极管组成：编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻另一端接调制三极管的基极，调制三极管的发射极接地，集电极接高频发射管的发射极；

铜箔天线是∩形状，左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接，其尺寸是，铜箔宽度为2毫米，左右两条垂直的铜箔长度为30毫米，两条垂直铜箔的间距为20毫米，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米；

射频电路：晶振有三个端头，一个端头接铜箔天线的输入端，第二个端头接高频发射管的基极，第三个端头接高频发射管的发射极；

高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间，高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端；

铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容，调频电容并联一个固定电容；

旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间；

去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。

2.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：达林顿前管与达林顿后管都是PNP三极管。

3.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：放电二极管是面贴合型二极管。

4.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：达林顿式转换电路的另一形式是两个三极管中只取一个三极管即只有达林顿后管，由积分电容、积分电阻、放电二极管、达林顿后管与集电极对地电阻组成，连接方式达林顿后管的发射极接电源，积分电容的一端连接达林顿后管的基极，积分电容的另一端接积分电阻到地线，放电二极管的正极连接达林顿后管的基极，放电二极管的负极连接电源，达林顿后管的集电极与地线之间接集电极对地电阻。

5.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：第一变码控制三极管与三极管控制电路中的三极管是NPN三极管。

6.根据权利要求1所述的调容式达林顿型发射器，其特征是：调制三极管与控制电路中的三极管是同一类型的三极管。