CN204721206U - 抗干扰型变频器驱动控制电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种抗干扰型变频器驱动控制电路，包括：用于滤除控制信号中的噪声电压的前级滤波输入电路、IGBT模块，以及设置于前级滤波输入电路与IGBT模块之间的、根据控制信号控制IGBT模块导通或关断的光耦驱动电路。这样，前级滤波输入电路可对噪声电压进行滤除，保证了控制信号的准确，而使后级的光耦驱动电路不会出现误动作，保证了IGBT模块的正常运转，保护了设备安全。

Description

抗干扰型变频器驱动控制电路

技术领域

本申请涉及变频器技术领域，尤其涉及一种抗干扰型变频器驱动控制电路。

背景技术

现代变频器应用领域非常广泛，其应用的稳定性至关重要，尤其当其使用在高频设备、工业场合时，其周边环境对变频器性能影响越来越复杂，对变频器性能要求越来越高。在某些应用场合，干扰源干扰能力非常强，变频器会受到意外干扰，而导致非正常的故障保护，甚至使光耦驱动电路误动作，IGBT模块接收到错误信号出现上下桥臂直通现象，瞬间短路损坏，给设备造成严重损害。

发明内容

本申请旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一。

本申请提供一种抗干扰型变频器驱动控制电路，包括：用于滤除控制信号中的噪声电压的前级滤波输入电路、IGBT模块，以及设置于所述前级滤波输入电路与所述IGBT模块之间的、根据所述控制信号控制所述IGBT模块导通或关断的光耦驱动电路。

进一步地，所述前级滤波输入电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一滤波电容、第一稳压二极管、第二稳压二极管、PNP型三极管，以及NPN型三极管，

工作电压连接到所述PNP型三极管的发射极，控制端依次通过所述第三电阻及所述第一稳压二极管连接到所述PNP型三极管的基极，所述第一电阻两端分别连到所述PNP型三极管的发射极及基极，所述第三电阻上并联有所述第一滤波电容，所述PNP型三极管的集电极分别连接到所述光耦驱动电路的正输入端以及所述NPN型三极管的集电极，所述NPN型三极管的基极通过所述第二稳压二极管连接到所述第一稳压二极管的正向，所述第二电阻两端分别连接到所述NPN型三极管的基极及发射极，所述第四电阻两端分别连接到所述NPN型三极管的集电极及发射极，所述NPN型三极管的发射机接地。

进一步地，所述光耦驱动电路的正输入端与负输入端之间设置有第二滤波电容。

本申请的有益效果是：

通过提供一种抗干扰型变频器驱动控制电路，包括：用于滤除控制信号中的噪声电压的前级滤波输入电路、IGBT模块，以及设置于前级滤波输入电路与IGBT模块之间的、根据控制信号控制IGBT模块导通或关断的光耦驱动电路。这样，前级滤波输入电路可对噪声电压进行滤除，保证了控制信号的准确，而使后级的光耦驱动电路不会出现误动作，保证了IGBT模块的正常运转，保护了设备安全。

附图说明

图1为本申请实施例的抗干扰型变频器驱动控制电路的结构示意图。

图2为本申请实施例中前级滤波输入电路的电路结构图。

图3为本申请实施例中光耦驱动电路的电路结构图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面通过具体实施方式结合附图对本申请作进一步详细说明。

请参考图1-3，本实施例提供了一种抗干扰型变频器驱动控制电路，包括：用于滤除控制信号中的噪声电压的前级滤波输入电路1、IGBT模块2，以及设置于前级滤波输入电路1与IGBT模块2之间的、根据控制信号控制IGBT模块2导通或关断的光耦驱动电路3。

具体地，前级滤波输入电路1包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一滤波电容C1、第一稳压二极管Z1、第二稳压二极管Z2、PNP型三极管Q1，以及NPN型三极管Q2。上述元件连接关系如下：工作电压VCC连接到PNP型三极管Q1的发射极，控制端a依次通过第三电阻R3及第一稳压二极管Z1连接到PNP型三极管的基极，第一电阻R1两端分别连到PNP型三极管Q1的发射极及基极，第三电阻R3上并联有第一滤波电容C1，PNP型三极管Q1的集电极分别连接到光耦驱动电路3的正输入端b以及NPN型三极管Q2的集电极，NPN型三极管Q2的基极通过第二稳压二极管Z2连接到第一稳压二极管Z1的正向，第二电阻R2两端分别连接到NPN型三极管Q2的基极及发射极，第四电阻R4两端分别连接到NPN型三极管Q2的集电极及发射极，NPN型三极管Q2的发射机接地。

光耦驱动电路3的正输入端b与负输入端c之间设置有第二滤波电容C2。

上述驱动IGBT光电耦合器输入电路技术，其采用了驱动光耦输入电路连接光耦隔离放大后驱动IGBT，光耦输入电路实现了控制驱动光耦工作的功能，驱动光耦实现了驱动IGBT工作的功能，其共同工作原理大致为：

当变频器开始运行，控制信号a点低电平，R3电阻限流，C1电容滤掉噪声电压，经过Z1，Q1三极管导通，Q2三极管截止，（b点）PC1光耦1脚为高电平，光耦工作驱动IGBT导通。当变频器停止或报故障时控制性号a点为高电平，R3电阻限流，C1电容滤掉噪声电压，经过Z2，Q2三极管导通，Q1三极管截止，（b点）PC1光耦1脚为低电平，光耦停止工作，IGBT关断。

这样，就实现了抗干扰的主要目的，同时改善了图中b点电源稳定性，输出能力可控。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上内容是结合具体的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。

Claims (3)

1.一种抗干扰型变频器驱动控制电路，其特征在于，包括：用于滤除控制信号中的噪声电压的前级滤波输入电路、IGBT模块，以及设置于所述前级滤波输入电路与所述IGBT模块之间的、根据所述控制信号控制所述IGBT模块导通或关断的光耦驱动电路。

2.如权利要求1所述的抗干扰型变频器驱动控制电路，其特征在于，所述前级滤波输入电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一滤波电容、第一稳压二极管、第二稳压二极管、PNP型三极管，以及NPN型三极管，

工作电压连接到所述PNP型三极管的发射极，控制端依次通过所述第三电阻及所述第一稳压二极管连接到所述PNP型三极管的基极，所述第一电阻两端分别连到所述PNP型三极管的发射极及基极，所述第三电阻上并联有所述第一滤波电容，所述PNP型三极管的集电极分别连接到所述光耦驱动电路的正输入端以及所述NPN型三极管的集电极，所述NPN型三极管的基极通过所述第二稳压二极管连接到所述第一稳压二极管的正向，所述第二电阻两端分别连接到所述NPN型三极管的基极及发射极，所述第四电阻两端分别连接到所述NPN型三极管的集电极及发射极，所述NPN型三极管的发射机接地。

3.如权利要求1所述的抗干扰型变频器驱动控制电路，其特征在于，所述光耦驱动电路的正输入端与负输入端之间设置有第二滤波电容。