CN204652253U - 一种共阳极可控硅半控整流电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种共阳极可控硅半控整流电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路。触发电路包括三个二极管、一个PNP三极管，三个二极管并联且它们的正极均与PNP三极管的集电极端相连。可控硅半控整流电路包括三个可控硅和三个二极管。三个可控硅的阳极端均与PNP三极管的发射极端相连且接地。三个可控硅的控制极端均分别与三个二极管的负极连接。三个可控硅的阴极端分别与三个二极管的正极连接。稳压电路与PNP三极管的基极端相连。本实用新型结构简单，设计合理，将可控硅半控整流电路接成共阳极结构，由于功率可控硅的阳极是和外壳相连，保证了可控硅的外壳均连接并接地。可控硅与散热片连接时，可以不采取绝缘措施，提高了散热效果。
Description
技术领域
本实用新型属于电子电路技术领域，具体涉及一种共阳极可控硅半控整流电路。
背景技术
现有技术中的逆变发电机控制电路中，三相半控整流都是共阴极结构。如图2所示，这种共阴极的触发电路较为简单，缺点是需要一个比高压输出端(V+)还要高的电源(V+15)为触发电路供电。而且因为功率可控硅的阳极都是和外壳相连，这种连接方法共阴极的接法在可控硅与散热片连接时，需要采取绝缘措施，散热效果不好。不符合社会发展的需要。
实用新型内容
实用新型目的：本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种能提高可控硅的散热效果且不需要高端电源的共阳极可控硅半控整流电路。
技术方案：本实用新型所述的一种共阳极可控硅半控整流电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路；
所述触发电路包括二极管D4、二极管D5、二极管D6、PNP三极管Q4，所述二极管D4、二极管D5、二极管D6并联且它们的正极均与PNP三极管Q4的集电极C端相连；
所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阳极A端均与PNP三极管Q4的发射极E端相连且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端均分别与二极管D4、二极管D5、二极管D6的负极连接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端分别与二极管D1、二极管D2、二极管D3的正极连接；
所述稳压电路与PNP三极管Q4的基极B端相连。
进一步的，所述稳压电路还设有输入控制电源端、接地端和高压输出端V+，所述高压输出端V+与二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极连接。
进一步优选的，所述输入控制电源端包括正电源VCC和负电源—VCC。
进一步的，所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端与阴极K端之间还分别连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。
进一步的，所述可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端均还连接有交流电源。
有益效果：本实用新型结构简单，设计合理，将可控硅半控整流电路接成共阳极结构，并为此专门设计了本实用新型中的触发电路。本实用新型工作时，无需高端电源为触发电路供电，稳压电路给PNP三极管Q4提供负触发电流Ib，PNP三极管Q4导通后输出电流Ic，电流Ic流过二极管D4、二极管D5、二极管D6，去触发可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3。由于功率可控硅的阳极都是和外壳相连，这种连接方法保证了可控硅的外壳都接在了一起，并接地。这样在可控硅与散热片连接时，可以不采取绝缘措施，提高了可控硅的散热效果。
附图说明
图1为本实用新型电路结构原理图。
图2为现有的可控硅半控整流电路结构原理图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明：
如图1所示的一种共阳极可控硅半控整流电路，包括触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路。
触发电路包括二极管D4、二极管D5、二极管D6、PNP三极管Q4，二极管D4、二极管D5、二极管D6并联且它们的正极均与PNP三极管Q4的集电极C端相连。
可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阳极A端均与PNP三极管Q4的发射极E端相连且接地。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端均分别与二极管D4、二极管D5、二极管D6的负极连接。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端分别与二极管D1、二极管D2、二极管D3的正极连接。
稳压电路与PNP三极管Q4的基极B端相连。
作为对本实用新型的进一步优化，稳压电路还设有输入控制电源端、接地端和高压输出端V+，高压输出端V+与二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极连接。输入控制电源端包括正电源VCC和负电源—VCC。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端与阴极K端之间还分别连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端均还连接有交流电源
本实用新型的电路工作时，无需高端电源为触发电路供电，稳压电路给PNP三极管Q4提供负触发电流Ib，PNP三极管Q4导通后输出电流Ic，电流Ic流过二极管D4、二极管D5、二极管D6，去触发可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3。
本实用新型结构简单，设计合理，将可控硅半控整流电路接成共阳极结构，并为此专门设计了本实用新型中的触发电路。由于功率可控硅的阳极都是和外壳相连，这种连接方法保证了可控硅的外壳都接在了一起，并接地。这样在可控硅与散热片连接时，可以不采取绝缘措施，提高了可控硅的散热效果。
Claims (5)
1.一种共阳极可控硅半控整流电路，其特征在于：包括触发电路、可控硅半控整流电路、稳压电路；
所述触发电路包括二极管D4、二极管D5、二极管D6、PNP三极管Q4，所述二极管D4、二极管D5、二极管D6并联且它们的正极均与PNP三极管Q4的集电极C端相连；
所述可控硅半控整流电路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二极管D1、二极管D2、二极管D3；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阳极A端均与PNP三极管Q4的发射极E端相连且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端均分别与二极管D4、二极管D5、二极管D6的负极连接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端分别与二极管D1、二极管D2、二极管D3的正极连接；
所述稳压电路与PNP三极管Q4的基极B端相连。
2.根据权利要求1所述的一种共阳极可控硅半控整流电路，其特征在于：所述稳压电路还设有输入控制电源端、接地端和高压输出端V+，所述高压输出端V+与二极管D1、二极管D2、二极管D3的负极连接。
3.根据权利要求2所述的一种共阳极可控硅半控整流电路，其特征在于：所述输入控制电源端包括正电源VCC和负电源—VCC。
4.根据权利要求1所述的一种共阳极可控硅半控整流电路，其特征在于：所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制极G端与阴极K端之间还分别连接有电阻R1、电阻R2、电阻R3。
5.根据权利要求1所述的一种共阳极可控硅半控整流电路，其特征在于：所述可控硅半控整流电路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的阴极K端均还连接有交流电源。
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