CN204559102U - 一种电源输出短路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子电路领域,具体是一种电源输出短路保护电路,它包括前端输入电压DC_IN,电阻R5、电容C5、PNP型三极管Q3、电阻R8、电阻R9、P沟MOS管、电阻R6、电阻R7、电阻R12、NPN型三极管Q6、电阻R10、电阻R11、高电平SC、和外负载LOAD;本实用新型的目的是提供一种电源输出短路保护电路,提高电源短路保护的可靠性和反应速度,更好更快的保护短路时的电源。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,具体是一种电源输出短路保护电路。
背景技术
在常用的电子产品中,很多都有电压输出的接口,输出一定的电压供外接负载使用,例如手机充电器以及一些电子工程师常用的如编程器、开发板之类的,由于此类产品的负载经常需要插拨或更换,如果由于连接线或者负载本身的原因,造成产品的输出“电源”与“地”之间短路,将会导致产品输出回路元器件烧坏,产品无法继续正常工作,影响了用户产品使用体验,增加了产品的维修售后服务等成本。
因此电源短路保护显得尤为重要,目前大家常用的做法就是在产品的输出回路中串联阻值较小电阻,通过采样此电阻上的电流送至AD采样,通过判断电流的突变通过单片机MCU来控制输出回路关断进行短路保护,也有较简单的就是在输出回路中串联保险电阻,当电流大于一定值时保险电阻开路来实现保护。采用上述方式对电源进行短路保护存在一些问题,可靠性不高,同时反应速度不快,需要一定的反应时间,还是会对电源产生一定的伤害。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种电源输出短路保护电路,提高电源短路保护的可靠性和反应速度,更好更快的保护短路时的电源。
为了实现以上目的,本实用新型采用的技术方案为:一种电源输出短路保护电路,它包括前端输入电压DC_IN,所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极;所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极;所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极;所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6,所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12,所述的电阻R7的另一端接地,所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极;所述的NPN型三极管Q6的发射极接地,集电极连接有电阻R10、电阻R11和高电平SC;所述的电阻R10的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极,所述的电阻R11的另一端接地;所述的NPN型三极管Q4的发射极接地,集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极;所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD;所述的外负载LOAD的另一端接地。
进一步的,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有电阻R3,且P沟MOS管Q5的漏极和外负载LOAD之间还串联有P沟MOS管Q2和保险丝FUSE1;所述的P沟MOS管Q2的栅极连接有电阻R3的另一端和NPN型三极管Q1的集电极,漏极与保险丝FUSE1连接,源极与P沟MOS管Q5的漏极连接;所述的外负载LOAD与地之间还串联有电阻R4与电容C3的并联电路;所述的NPN型三极管Q1的发射极接地,基极连接有电阻R1,所述电阻R1的另一端连接有输出电平OUT-EN与电阻R2,所述的电阻R2接地;所述的电平OUT-EN与高电平SC均与单片机MCU相连。
进一步的,所述的P沟MOS管Q5的漏极还连接有电解电容C4的正极,所述的电解电容C4的负极接地。
进一步的,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有降压IC的输入极,所述的降压IC的接地极接地,输出极连接有电容C1、电解电容C2、电阻R3和P沟MOS管Q2的源极;所述的电容C1和电解电容C2另一端接地。
进一步的,所述的电阻R5的阻值为3.3欧,电容C5为22微法;所述的电容C1和C3为10微法,所述的电解电容C2为22微法16伏,所述的电解电容C4为220微法16伏,所述的保险丝FUSE1限流2安,所述的电阻R1与R2为10千欧,所述的电阻R3为100千欧,所述的电阻R4为0.05欧。
本实用新型的有益效果为:
1、采用了硬件的方式实现了电压短路保护,大大提高了保护的可靠性,且硬件的反应速度快,同时减少了保护的反应时间,可以更快的实现电压短路保护。
2、同时还包含有软件保护模块,可以实现硬件软件双重保护,使保护更彻底。
3、设置有电解电容,可以对输入电源进行滤波。
4、各个电路元器件的规格都是经过严格计算设计的,可以保证达到保护目的的同时节省消耗。
附图说明
图1为一种电源输出短路保护电路图。
图2为一种优选方式的电源输出短路保护电路电路图。
图3为图2中A的局部放大图。
图4为图2中B的局部放大图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。
实施例1
如图2所示,本实用新型的具体结构为:一种电源输出短路保护电路,它包括前端输入电压DC_IN,所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极;所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极;所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极;所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6,所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12,所述的电阻R7的另一端接地,所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极;所述的NPN型三极管Q6的发射极接地,集电极连接有电阻R10、电阻R11和高电平SC;所述的电阻R10的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极,所述的电阻R11的另一端接地;所述的NPN型三极管Q4的发射极接地,集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极;所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD;所述的外负载LOAD的另一端接地。
具体使用时,电路的前端输入电压DC_IN接入12V直流电压,高电平SC使NPN型三极管Q4导通,进而使P沟MOS管Q5导通,负载LOAD两端电压正常。正常负载的情况下,流过电阻R5电流很小,在电阻R5两端产生电位差不足以使PNP型三极管Q3导通,因此电路正常输出。
当外部负载LOAD短路或内阻较小导致电流增大到一定程度时,这时会出现2种保护:因流经电阻R5的电流增大,其两端压降会增大,大于0.7V时,PNP型三极管Q3导通,电阻R6与R7直接通过PNP型三极管Q3的集电极与前端输入电压DC_IN相连,电阻R7上分压使NPN型三极管Q6导通,高电平SC被拉低成低电平,此时NPN型三极管Q4截止,P沟MOS管Q5关断,外负载无输出,达到保护的作用。
实施例2
如图2-4所示,本实用新型的具体结构为:一种电源输出短路保护电路,它包括前端输入电压DC_IN,所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极;所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极;所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极;所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6,所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12,所述的电阻R7的另一端接地,所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极;所述的NPN型三极管Q6的发射极接地,集电极连接有电阻R10、电阻R11和高电平SC;所述的电阻R10的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极,所述的电阻R11的另一端接地;所述的NPN型三极管Q4的发射极接地,集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极;所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD;所述的外负载LOAD的另一端接地。
优选的,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有电阻R3,且P沟MOS管Q5的漏极和外负载LOAD之间还串联有P沟MOS管Q2和保险丝FUSE1;所述的P沟MOS管Q2的栅极连接有电阻R3的另一端和NPN型三极管Q1的集电极,漏极与保险丝FUSE1连接,源极与P沟MOS管Q5的漏极连接;所述的外负载LOAD与地之间还串联有电阻R4与电容C3的并联电路;所述的NPN型三极管Q1的发射极接地,基极连接有电阻R1,所述电阻R1的另一端连接有输出电平OUT-EN与电阻R2,所述的电阻R2接地;所述的电平OUT-EN与高电平SC均与单片机MCU相连。
优选的,所述的P沟MOS管Q5的漏极还连接有电解电容C4的正极,所述的电解电容C4的负极接地。
优选的,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有降压IC的输入极,所述的降压IC的接地极接地,输出极连接有电容C1、电解电容C2、电阻R3和P沟MOS管Q2的源极;所述的电容C1和电解电容C2另一端接地。
优选的,所述的电阻R5的阻值为3.3欧,电容C5为22微法;所述的电容C1和C3为10微法,所述的电解电容C2为22微法16伏,所述的电解电容C4为220微法16伏,所述的保险丝FUSE1限流2安,所述的电阻R1与R2为10千欧,所述的电阻R3为100千欧,所述的电阻R4为0.05欧。
具体使用时,电路的前端输入电压DC_IN接入12V直流电压,高电平SC接至单片机MCU输入IO口,且上拉至单片机MCU的供电电源。NPN型三极管Q4导通,进而使P沟MOS管Q5导通,降压IC输出5V的电压,电平OUT-EN由单片机MCU控制输出高电平,此时,P沟MOS管Q2也处于导通状态,负载LOAD两端电压正常。正常负载的情况下,流过电阻R5电流很小,在电阻R5两端产生电位差不足以使PNP型三极管Q3导通,因此电路正常输出。
当外部负载LOAD短路或内阻较小导致电流增大到一定程度时,这时会出现2种保护:
硬件保护:因流经电阻R5的电流增大,其两端压降会增大,大于0.7V时,PNP型三极管Q3导通,电阻R6与R7直接通过PNP型三极管Q3的集电极与前端输入电压DC_IN相连,电阻R7上分压使NPN型三极管Q6导通,高电平SC被拉低成低电平,此时NPN型三极管Q4截止,P沟MOS管Q5关断,降压IC没有电压输入,使后级无输出,达到快速输出短路保护的目的。
软件保护,通过电阻R4采样将输出回路电流转换成电压后送至单片机MCU的I-ADC口进行AD采样,短路时采样的电压会大幅度增大,这时单片机MCU将控制电平OUT-EN输出低电平,使NPN型三极管Q1截止,P沟道MOS管Q2关断,断开后级负载电路,从而实现软件保护。
当外负载移除或者短路问题解决了,整个电路将恢复正常。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括哪些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,由于文字表达的有限性,而客观上存在无限的具体结构,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进、润饰或变化,也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合;这些改进润饰、变化或组合,或未经改进将实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均应视为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种电源输出短路保护电路,它包括前端输入电压DC_IN,其特征在于,所述的前端输入电压DC_IN连接到电阻R5、电容C5和PNP型三极管Q3的发射极;所述的电阻R5的另一端连接有电阻R8、电阻R9和P沟MOS管Q5的源极;所述的电阻R8的另一端连接有电容C5的另一端和PNP型三极管Q3的基极;所述的PNP型三极管Q3的集电极连接有电阻R6,所述的电阻R6的另一端连接有电阻R7和电阻R12,所述的电阻R7的另一端接地,所述的电阻R12的另一端连接有NPN型三极管Q6的基极;所述的NPN型三极管Q6的发射极接地,集电极连接有电阻R10、电阻R11和高电平SC;所述的电阻R10的另一端连接有NPN型三极管Q4的基极,所述的电阻R11的另一端接地;所述的NPN型三极管Q4的发射极接地,集电极连接有电阻R9的另一端和P沟MOS管Q5的栅极;所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有外负载LOAD;所述的外负载LOAD的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种电源输出短路保护电路,其特征在于,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有电阻R3,且P沟MOS管Q5的漏极和外负载LOAD之间还串联有P沟MOS管Q2和保险丝FUSE1;所述的P沟MOS管Q2的栅极连接有电阻R3的另一端和NPN型三极管Q1的集电极,漏极与保险丝FUSE1连接,源极与P沟MOS管Q5的漏极连接;所述的外负载LOAD与地之间还串联有电阻R4与电容C3的并联电路;所述的NPN型三极管Q1的发射极接地,基极连接有电阻R1,所述电阻R1的另一端连接有输出电平OUT-EN与电阻R2,所述的电阻R2接地;所述的电平OUT-EN与高电平SC均与单片机MCU相连。
3.根据权利要求2所述的一种电源输出短路保护电路,其特征在于,所述的P沟MOS管Q5的漏极还连接有电解电容C4的正极,所述的电解电容C4的负极接地。
4.根据权利要求2或3所述的一种电源输出短路保护电路,其特征在于,所述的P沟MOS管Q5的漏极连接有降压IC的输入极,所述的降压IC的接地极接地,输出极连接有电容C1、电解电容C2、电阻R3和P沟MOS管Q2的源极;所述的电容C1和电解电容C2另一端接地。
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