CN204538691U - 一种基于可控硅的放电电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅，第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联，所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻。
Description
技术领域
本实用新型属于一种放电电路，具体涉及一种基于可控硅的放电电路。
背景技术
充磁电源是一种特殊的高压电气设备，在其工作过程中，直流端一直保持高达3000V的直流电压，高电压的存在对充磁电源内部器件及人身安全都有一定的危害。为了避免发生人身安全事故，使充磁电源安全、稳定的工作，在电源内部加入了放电电路，提高系统的安全性能。
发明内容
本实用新型为解决现有技术存在的问题而提出，其目的是提供一种基于可控硅的放电电路。
本实用新型的技术方案是：一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，电阻R6另一端与第一可控硅模块中的Ⅰ号可控硅、Ⅱ号可控硅，第二可控硅模块中的Ⅲ号可控硅、Ⅳ号可控硅依次串联，所述的Ⅰ号可控硅两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅的K4、G4引脚均由驱动电路的脉冲信号驱动。
本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻立即放电，使充磁电源内部各器件都处于安全范围，避免了人身伤害。
附图说明
图1 是本实用新型的电原理图；
图2 是图1中驱动电路的连接结构示意图。
其中：
1 第一可控硅模块 2 第二可控硅模块
3 Ⅰ号可控硅 4 Ⅱ号可控硅
5 Ⅲ号可控硅 6 Ⅳ号可控硅
7 驱动电路 8 2W10整流桥
9 RY继电器 10 PT1脉冲变压器
11 PT2脉冲变压器 11 PT3脉冲变压器。
具体实施方式
以下，参照附图和实施例对本实用新型进行详细说明：
如图1所示，一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~6，电阻R6另一端与第一可控硅模块1中的Ⅰ号可控硅3、Ⅱ号可控硅4，第二可控硅模块2中的Ⅲ号可控硅5、Ⅳ号可控硅6依次串联，所述的Ⅰ号可控硅3两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅4与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅5与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅6与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅3的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅4的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅5的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅6的K4、G4引脚均由驱动电路7的脉冲信号驱动。
所述的电阻R1~R6阻值为25Ω、功率为500W，电阻R7~R10阻值为100kΩ，功率为200W。
如图2所示，接线端子CN1连接2W10整流桥8的交流端，2W10整流桥8的直流端连接RY继电器9的线圈，RY继电器9的线圈端并接二级管D1和电解电容C1，RY继电器9的线圈端负极与公共端之间连接电解电容C2，在RY继电器9的线圈端正极与继电器的常开触点之间连接二极管D2，在RY继电器9的线圈端负极与继电器的常闭触点之间连接电阻R11与电容C3，将PT1脉冲变压器10的初级并接于电容C3上，将二极管D3并接于PT1脉冲变压器10的初级，PT1脉冲变压器10的两组次级分别连接PT2脉冲变压器11和PT3脉冲变压器12的初级，将二级管D4和D5分别并接于PT2脉冲变压器11和PT3脉冲变压器12的初级，PT2脉冲变压器11的两组次级分别连接于接线端子CN2和CN3，PT3脉冲变压器12的两组次级分别连接于接线端子CN4和CN5，接线端子CN2两端并接电阻R21和电容C4，接线端子CN3两端并接电阻R31和电容C5，接线端子CN4两端并接电阻R41和电容C6，接线端子CN5两端并接电阻R51和电容C7。
本实用新型的工作过程：当充磁电源正常工作时，接线端子CN1有15V交流电压，通过2W10整流桥8将15V交流电压转换成10V直流电压，RY继电器9线圈有电，继电器常开触点闭合，通过RY继电器9给电解电容C2充电。当充磁电源发生异常情况时，接线端子CN1上交流电压消失，导致RY继电器9线圈失电，继电器常开触点断开，常闭触点闭合，电解电容C2上存储的电能通继电器常闭触点释放，通过PT1脉冲变压器10、PT2脉冲变压器11、PT3脉冲变压器12隔离后在接线端子CN2、CN3、CN4、CN5产生脉冲信号，该信号可驱动4组可控硅的导通。其中Ⅰ号可控硅3的K1、G1引脚接收接线端子CN2产生脉冲信号，Ⅱ号可控硅4的K2、G2引脚接收接线端子CN3产生脉冲信号，Ⅲ号可控硅5的K3、G3引脚接收接线端子CN4产生脉冲信号，Ⅳ号可控硅6的K4、G4引脚接收接线端子CN5产生脉冲信号。
本实用新型能够保证充磁电源安全性，充磁电源的封闭环境一旦遭到破坏，驱动电路发出脉冲驱动信号，驱动可控硅的导通，可控硅导通的同时充磁电源上的高压直流电通过放电电阻立即放电，使充磁电源内部各器件都处于安全范围，避免了人身伤害。
Claims (2)
1.一种基于可控硅的放电电路，包括直流高压正极端依次串联的电阻R1~R6，其特征在于：电阻R6另一端与第一可控硅模块（1）中的Ⅰ号可控硅（3）、Ⅱ号可控硅（4），第二可控硅模块（2）中的Ⅲ号可控硅（5）、Ⅳ号可控硅（6）依次串联，所述的Ⅰ号可控硅（3）两端与电阻R7并联，Ⅱ号可控硅（4）与电阻R8并联，Ⅲ号可控硅（5）与电阻R9并联，Ⅳ号可控硅（6）与电阻R10并联，Ⅰ号可控硅（3）的K1、G1引脚，Ⅱ号可控硅（4）的K2、G2引脚、Ⅲ号可控硅（5）的K3、G3引脚、Ⅳ号可控硅（6）的K4、G4引脚均由驱动电路（7）的脉冲信号驱动。
2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅的放电电路，其特征在于：所述的电阻R1~R6阻值为25Ω、功率为500W，电阻R7~R10阻值为100kΩ，功率为200W。
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