CN204481801U - 一种抗干扰能力强的晶振调频发射机 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1。通过在本实用新型中采用的晶振振荡电路，能够很好地解决直接调频发射机的频率漂移现象，而且没有采用芯片元件设计，具有频率稳定性好、调频精确度高好抗干扰能力强的优点。

Description

一种抗干扰能力强的晶振调频发射机

技术领域

本实用新型涉及一种调频发射机，具体是一种抗干扰能力强的晶振调频发射机。

背景技术

频率调制又称调频，它是使高频振荡信号的频率按调制信号的规律变化，而振幅保持恒定的一种调制方式，调频方式很多，主要分为两大类：直接调频和间接调频方法，早期使用电抗调频，现在则主要是使用变容二极管调频法，目前已发展为利用锁相环调频法并进而成包含调频锁相环的数字式频率合成器，直接调频法就是将调制信号直接对载频进行调频的方法，这种方法的优点是可以在宽频带内进行调频，可以进行频偏位几兆赫的调频，因此倍频次数可以很少，它的缺点是由于使用自激振荡器，以及变容二极管参数的限制，频率的稳定性不好，容易出现频率漂移现象，现在有部分使用晶振调频法，但是在电路的设计上大多采用集成芯片设计，导致信号抗干扰能力低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1，所述电容C1接地，电容C1另一端分别连接电容C12、电容C11、电阻R5、三极管VT1集电极、电容C7、电感L2、电容C9、电感L3和电源VCC，电容C12另一端分别连接输入信号端Vi、电容C2、电阻R2和电阻R3，电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、二极管D1正极、电阻R1、电容C5、电阻R6、三极管VT2发射极和三极管VT3发射极，所述电阻R3另一端分别连接电容C11另一端、二极管D1负极和晶振Y，晶振Y另一端分别连接电阻R4和电感L1，电感L1另一端分别连接电阻R1另一端、电阻R4另一端和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4和三极管VT1基极，电容C4另一端分别连接电容C5另一端、电阻R6另一端、电容C6和三极管VT1发射极，电容C6另一端分别连接电阻R7和三极管VT2基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R7另一端、电容C7另一端、电感L2另一端和电容C8，电容C8另一端分别连接电阻R8和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端、电容C9另一端、电感L3另一端和电容C10，电容C10另一端连接天线。

作为本实用新型再进一步的方案：所述三极管VT1为29～36MHz晶体振荡三极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在本实用新型中采用的晶振振荡电路，能够很好地解决直接调频发射机的频率漂移现象，而且没有采用芯片元件设计，具有频率稳定性好、调频精确度高好抗干扰能力强的优点。

附图说明

图1为抗干扰能力强的晶振调频发射机的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1，电容C1接地，电容C1另一端分别连接电容C12、电容C11、电阻R5、三极管VT1集电极、电容C7、电感L2、电容C9、电感L3和电源VCC，电容C12另一端分别连接输入信号端Vi、电容C2、电阻R2和电阻R3，电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、二极管D1正极、电阻R1、电容C5、电阻R6、三极管VT2发射极和三极管VT3发射极，电阻R3另一端分别连接电容C11另一端、二极管D1负极和晶振Y，晶振Y另一端分别连接电阻R4和电感L1，电感L1另一端分别连接电阻R1另一端、电阻R4另一端和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4和三极管VT1基极，电容C4另一端分别连接电容C5另一端、电阻R6另一端、电容C6和三极管VT1发射极，电容C6另一端分别连接电阻R7和三极管VT2基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R7另一端、电容C7另一端、电感L2另一端和电容C8，电容C8另一端分别连接电阻R8和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端、电容C9另一端、电感L3另一端和电容C10，电容C10另一端连接天线。

三极管VT1为29～36MHz晶体振荡三极管。

本实用新型的工作原理是：请参阅图1，电路中晶振Y、二极管D1、电感L1、电容C3、电容C4、电容C5和三极管VT1组成晶体振荡电路。三极管VT1为29～36MHz晶体振荡三极管，发射极输出含有丰富的谐波成分，经三极管VT2放大后，在集电极由电容C7和电感L2构成谐振于88～108MHz的网络选出3倍频信号，再经三极管VT3放大，电感L3、电容C9选频后得到理想的调频频段信号，电容C1、电容C11和电容C12用于滤除杂波，提高电路的稳定性和抗干扰能力。

Claims (2)

1.一种抗干扰能力强的晶振调频发射机，包括电容C1、电阻R1、晶振Y、三极管VT1、电感L1和二极管D1，其特征在于，所述电容C1接地，电容C1另一端分别连接电容C12、电容C11、电阻R5、三极管VT1集电极、电容C7、电感L2、电容C9、电感L3和电源VCC，电容C12另一端分别连接输入信号端Vi、电容C2、电阻R2和电阻R3，电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、二极管D1正极、电阻R1、电容C5、电阻R6、三极管VT2发射极和三极管VT3发射极，所述电阻R3另一端分别连接电容C11另一端、二极管D1负极和晶振Y，晶振Y另一端分别连接电阻R4和电感L1，电感L1另一端分别连接电阻R1另一端、电阻R4另一端和电容C3，电容C3另一端分别连接电阻R5另一端、电容C4和三极管VT1基极，电容C4另一端分别连接电容C5另一端、电阻R6另一端、电容C6和三极管VT1发射极，电容C6另一端分别连接电阻R7和三极管VT2基极，三极管VT2集电极分别连接电阻R7另一端、电容C7另一端、电感L2另一端和电容C8，电容C8另一端分别连接电阻R8和三极管VT3基极，三极管VT3集电极分别连接电阻R8另一端、电容C9另一端、电感L3另一端和电容C10，电容C10另一端连接天线。

2.根据权利要求1所述的抗干扰能力强的晶振调频发射机，其特征在于，所述三极管VT1为29～36MHz晶体振荡三极管。