CN204422094U - 测温电路及电磁炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种测温电路，所述测温电路包括微处理器、热敏电阻、电容、参考电阻以及充电电路，所述微处理器的第一接口顺序串联所述热敏电阻和所述电容组成第一放电回路，所述微处理器的第二接口顺序串联所述参考电阻和所述电容组成第二放电回路，所述微处理器的第三接口顺序串联所述充电电路和所述电容组成充电回路。本实用新型还公开了一种电磁炉。本实用新型提供的测温电路和电磁炉，不仅不需要使用A/D模数转换器，而且利用所述参考电阻和充电回路，可以提高测温电路的温度检测精度。
Description
技术领域
本实用新型涉及测温技术领域，尤其涉及一种测温电路及电磁炉。
背景技术
目前测温技术领域，仅通过热敏检测元件采集温度信号，再通过A/D模数转换器将采集到的温度信号转换成数字信号，以供微处理芯片读取温度，这种方式，不仅检测精度较低，而且电路成本相对较高。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种测温电路及电磁炉，旨在解决现有测温电路温度检测精度较低且成本较高的技术问题。
为实现上述目的，本实用新型提供一种测温电路,所述测温电路包括微处理器、热敏电阻、电容、参考电阻以及充电电路，所述微处理器的第一接口顺序串联所述热敏电阻和所述电容组成第一放电回路，所述微处理器的第二接口顺序串联所述参考电阻和所述电容组成第二放电回路，所述微处理器的第三接口顺序串联所述充电电路和所述电容组成充电回路。
优选地，所述电容的一端分别连接所述热敏电阻、参考电阻以及充电电路，另一端接电源。
优选地，所述充电电路是充电电阻。
优选地，所述充电电阻的阻值为50～500欧姆。
优选地，所述热敏电阻的阻值为100千欧姆。
优选地，所述参考电阻的阻值为100千欧姆。
为实现上述目的，本实用新型还提供一种电磁炉，所述电磁炉包括如上所述的测温电路。
本实用新型通过设置由微处理器的第一接口顺序串联所述热敏电阻和所述电容组成的第一放电回路，所述微处理器的第二接口顺序串联所述参考电阻和所述电容组成的第二放电回路，以及所述微处理器的第三接口顺序串联所述充电电路和所述电容组成的充电回路，不仅不需要使用A/D模数转换器，而且利用所述参考电阻和充电回路，可以提高测温电路的温度检测精度。
附图说明
图1为本实用新型测温电路的电路示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型提供一种测温电路及应用所述测温电路的电磁炉，参照图1，在一实施例中，所述电磁炉包括所述测温电路，所述测温电路包括微处理器MCU、热敏电阻RT、电容C、参考电阻R1以及充电电路R2。所述微处理器MCU的第一接口PA顺序串联所述热敏电阻RT和所述电容C组成第一放电回路，所述微处理器MCU的第二接口PB顺序串联所述参考电阻R1和所述电容C组成第二放电回路，所述微处理器MCU的第三接口PC顺序串联所述充电电路R2和所述电容C组成充电回路。其中，所述电容C的一端分别连接所述热敏电阻RT、参考电阻R1以及充电电路R2，另一端接电源VCC。本优选实施例中，所述充电电路R2是充电电阻，其阻值大小范围为50～500欧姆。所述热敏电阻RT的阻值为100千欧姆，所述参考电阻R1的阻值为100千欧姆。可以理解的是，在其他实施例中，所述热敏电阻RT、参考电阻R1以及充电电阻的阻值可以根据实际需要合理设置。
本实用新型通过设置由微处理器的第一接口顺序串联所述热敏电阻和所述电容组成的第一放电回路，所述微处理器的第二接口顺序串联所述参考电阻和所述电容组成的第二放电回路，以及所述微处理器的第三接口顺序串联所述充电电路和所述电容组成的充电回路，不仅不需要使用A/D模数转换器，而且利用所述参考电阻和充电回路，可以提高测温电路的温度检测精度。
本实施例中，所述测温电路的测温原理如下：PA、PB、PC为普通I/O接口，可根据需要设置为高阻态、输入口或输出口。参照图1，所述RT为热敏电阻RT，其阻值可以根据温度变化而变化；R1为参考电阻；R2为充电电阻。
本实施例中，可以根据公式：T/RT＝T1/R1计算出热敏电阻RT的阻值。其中，T为热敏电阻RT的放电时间，T1为参考电阻R1的放电时间。本实用新型提供的测温电路的工作流程如下：
1、微处理器MCU先使PA、PB、PC输出低电平，电源VC给电容C充电至高电平；
2、微处理器MCU设置PB接口为高阻态，并使PA接口输出高电平，同时开启定时器检测PC接口的高电平或低电平状态；
3、当微处理器MCU在所述PC接口读取到高电平状态时，控制定时器停止计时，并保存计时值即T；
4、微处理器MCU控制PA、PB、PC输出低电平，电源VC给电容C充电至高电平；
5、微处理器MCU设置PA接口为高阻态，并使PB接口输出高电平，同时开启定时器检测PC接口的高电平或低电平状态；
6、在微处理器MCU在所述PC接口读取到高电平状态时，控制定时器停止计时，并保存计时值即T1；
7、根据公式RT＝(R1*T)T1，计算出当前热敏电阻RT的阻值；
8、所述微处理器MCU重复1～7步骤采集多个所述热敏电阻RT的阻值，并计算平均值，然后根据热敏电阻RT的规格书查询对应的阻值温度，从而完成测温。
其中，微处理器MCU可采用单片机实现，公式RT＝(R1*T)T1预先设置在微处理器MCU中，当微处理器MCU的端口PA、PB、PC采集到对应的热敏电阻RT的放电时间T和参考电阻R1的放电时间T1后，即可计算出热敏电阻RT的阻值，再根据热敏电阻RT的阻值从规格书得到对应该阻值的温度，从而完成测温。
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种测温电路，其特征在于，所述测温电路包括微处理器、热敏电阻、电容、参考电阻以及充电电路，所述微处理器的第一接口顺序串联所述热敏电阻和所述电容组成第一放电回路，所述微处理器的第二接口顺序串联所述参考电阻和所述电容组成第二放电回路，所述微处理器的第三接口顺序串联所述充电电路和所述电容组成充电回路。
2.如权利要求1所述的测温电路，其特征在于，所述电容的一端分别连接所述热敏电阻、参考电阻以及充电电路，另一端接电源。
3.如权利要求1所述的测温电路，其特征在于，所述充电电路是充电电阻。
4.如权利要求3所述的测温电路，其特征在于，所述充电电阻的阻值为50～500欧姆。
5.如权利要求1所述的测温电路，其特征在于，所述热敏电阻的阻值为100千欧姆。
6.如权利要求1所述的测温电路，其特征在于，所述参考电阻的阻值为100千欧姆。
7.一种电磁炉，其特征在于，所述电磁炉包括如权利要求1至6中任一项所述的测温电路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520128854.8U CN204422094U (zh) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | 测温电路及电磁炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520128854.8U CN204422094U (zh) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | 测温电路及电磁炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204422094U true CN204422094U (zh) | 2015-06-24 |
Family
ID=53472451
Family Applications (1)
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| CN201520128854.8U Active CN204422094U (zh) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | 测温电路及电磁炉 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN204422094U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109374148A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-22 | 山东航天电子技术研究所 | 一种温度测量装置与测量方法 |
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2015
- 2015-03-05 CN CN201520128854.8U patent/CN204422094U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
| CN109374148A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-22 | 山东航天电子技术研究所 | 一种温度测量装置与测量方法 |
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