CN204414701U - 一种用于研磨及抛光的晶体半成品 - Google Patents

一种用于研磨及抛光的晶体半成品 Download PDF

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陈远帆
陈冠廷
彭志豪
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Abstract

本实用新型公开了一种用于研磨及抛光的晶体半成品,包括晶体、保护层以及粘结层,所述的保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,所述的粘结层分别设置在晶体与保护层之间,所述的保护层采用玻璃材料制成。通过上述方式,本实用新型提供的用于研磨及抛光的晶体半成品,保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,其中,保护层采用玻璃材料制成,除了晶体需要研磨及抛光的一面,剩余5面均贴合有保护玻璃,避免研磨及抛光时晶体四周发生崩边缺角的情况,提高加工的成品率,以降低生产成本。

Description

一种用于研磨及抛光的晶体半成品
技术领域
本实用新型涉及晶体加工的技术领域,具体涉及一种用于研磨及抛光的晶体半成品。
背景技术
电子学、光学等现代技术应用申所需要的单晶材料,大部分是用熔体生长法制备的。某些碱金属和碱土金属的卤族化合物等,许多晶体早已进入不同规模的工业化生产。目前,晶体在研磨及抛光时,容易造成晶体表面的损伤。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种用于研磨及抛光的晶体半成品,保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,其中,保护层采用玻璃材料制成,除了晶体需要研磨及抛光的一面,剩余5面均贴合有保护玻璃,避免研磨及抛光时晶体四周发生崩边缺角的情况,提高加工的成品率,以降低生产成本。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供了一种用于研磨及抛光的晶体半成品,包括晶体、保护层以及粘结层,所述的保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,所述的粘结层分别设置在晶体与保护层之间,所述的保护层采用玻璃材料制成。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述的晶体采用单个或多个晶体晶条组成。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述的保护层的厚度为0.2-2mm。
在本实用新型一个较佳实施例中,所述的粘结层采用热熔胶或AB胶。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的用于研磨及抛光的晶体半成品,保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,其中,保护层采用玻璃材料制成,除了晶体需要研磨及抛光的一面,剩余5面均贴合有保护玻璃,避免研磨及抛光时晶体四周发生崩边缺角的情况,提高加工的成品率,以降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1 是本实用新型用于研磨及抛光的晶体半成品的一较佳实施例的结构示意图;
附图标记如下:1、晶体,2、保护层,3、粘结层。
具体实施方式
下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,本实用新型实施例包括:
一种用于研磨及抛光的晶体半成品,包括晶体1、保护层2以及粘结层3,所述的保护层2分别贴合在晶体1的底端面以及四周面上,所述的粘结层3分别设置在晶体1与保护层2之间,所述的保护层2采用玻璃材料制成。其中,所述的保护层2的厚度为0.2-2mm。
上述中,所述的晶体1采用多个单个或多个晶体晶条组成。
进一步的,所述的粘结层3分别设置在晶体1与保护层2之间。其中,所述的粘结层3采用热熔胶或AB胶等。热熔胶(英文名:Hot Glue)是一种可塑性的粘合剂,在一定温度范围内其物理状态随温度改变而改变,而化学特性不变,其无毒无味,属环保型化学产品。AB胶是双组分胶粘剂的叫法,市售有丙烯酸、环氧、聚氨酯等成分的AB胶,AB胶的具有很高的粘接强度。
综上所述,本实用新型的用于研磨及抛光的晶体半成品,保护层2分别贴合在晶体1的底端面以及四周面上,其中,保护层2采用玻璃材料制成,除了晶体1需要研磨以及抛光的一面,剩余5面均贴合有保护玻璃,避免研磨及抛光时晶体四周发生崩边缺角的情况,提高加工的成品率,以降低生产成本。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种用于研磨及抛光的晶体半成品,其特征在于,包括晶体、保护层以及粘结层,所述的保护层分别贴合在晶体的底端面以及四周面上,所述的粘结层分别设置在晶体与保护层之间,所述的保护层采用玻璃材料制成。
2.根据权利要求1所述的用于研磨及抛光的晶体半成品,其特征在于,所述的晶体采用单个或多个晶体晶条组成。
3.根据权利要求1所述的用于研磨及抛光的晶体半成品,其特征在于,所述的保护层的厚度为0.2-2mm。
4.根据权利要求1所述的用于研磨及抛光的晶体半成品,其特征在于,所述的粘结层采用热熔胶或AB胶。
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