CN204376395U - 一种电流抑制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示了一种电流抑制电路，包括第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流。所述第一级浪涌电流抑制电路设计基于高分子化合物的固有特性来实现；第二级浪涌电流抑制电路利用MOS管的特性，通过延时电路来控制MOS管G极电压，调整MOS管内部电阻，实现浪涌电流的抑制。本实用新型提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。

Description

一种电流抑制电路

技术领域

本实用新型属于微电子技术领域，涉及一种电流抑制电路，尤其涉及一种双重浪涌电流抑制电路。

背景技术

在电子产品设计中，产品上电瞬间会产生浪涌电流，过大的浪涌电流严重影响了整个系统的可靠性。严重情况将出现供电电源进入过流保护状态，电源反复开关等现象。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的浪涌电流抑制电路，以便克服现有电子产品中产生的浪涌电流。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种电流抑制电路，可对浪涌电流有调节作用。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接；

所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流；

所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1；

NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Q1的源极；第一 电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P-MOS管Q1的漏极连接负载，P-MOS管Q1的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。

一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接；

所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；

所述延时开关电路与第二级浪涌电流抑制电路连接，第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1。

作为本实用新型的一种优选方案，延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路。

作为本实用新型的一种优选方案，第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1；

NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Q1的源极；第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P-MOS管Q1的漏极连接负载。

作为本实用新型的一种优选方案，所述延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流 抑制电路包括P-MOS管Q1；

所述延时开关电路利用电容特性、RC电路充放电原理，MOS管的开启电压特性来实现；设备上电瞬间，利用第一电容C1、第二电容C2不能突变的特性，输入的电源电压加载在P-MOS管Q1的G级，让MOS管处于关闭状态；紧接着，第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2组成充电电路，P-MOS管Q1上G级的电压随着RC上充电电压值变化，当VGS电压由等效于电源输入电压，过渡到第一电阻R1与第二电阻R2分压后的电压；P-MOS管Q1内部等效导通电阻Rdson也由最大值慢慢减小，从而抑制浪涌电流的大小，对P-MOS管进行延时开启。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。

双重浪涌电流抑制，在特定的行业应用中具有很好的优势。比如在石油，煤炭，化工等行业，电源的带载能力相比民用的电源弱。所以，在上电过程中，对后端的浪涌抑制的要求更加严苛，以免导致电源进入保护状态。

目前在产品设计中采用的浪涌设计均有局限性，本设计在以下方便具有优势：1、解决了异常反复快速开关机浪涌设计失效；2、可配置，可通过调整RC的物料规格，来达到预期的效果；3、相比较其他浪涌设计，可使用较低规格的MOS管，降低成本。

附图说明

图1为本实用新型电流抑制电路的组成示意图。

图2为热敏电阻产生的热量与电阻阻值的示意图。

图3为MOS的内阻与VGS电压之间的特性示意图。

图4为本实用新型电流抑制电路的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。

实施例一

请参阅图1，本实用新型揭示了一种电流抑制电路，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路。第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接。

所述第一级浪涌电流抑制电路设计基于高分子化合物的固有特性来实现；第二级浪涌电流抑制电路利用MOS管的特性，通过延时电路来控制MOS管G极电压，调整MOS管内部电阻，实现浪涌电流的抑制。

所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；请参阅图2，所述第一级浪涌电流抑制电路利用NTC热敏电阻的特性；NTC热敏电阻具有电阻值随温度的升高而降低的特性；在电路设计中，将NTC热敏电阻串入电源输入回路中；设备刚上电瞬间，NTC热敏电阻的本身阻值能抑制浪涌电流，在抑制浪涌电流完成以后，持续的电流流过热敏电阻产生热量，从而热敏电阻电阻将变小，降低热敏电阻上的功耗。

请参阅图4，延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1。

具体地，NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Q1的源极；第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P-MOS管Q1的漏极连接负载，P-MOS管Q1的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。

所述延时开关电路利用电容特性、RC电路充放电原理，MOS管的开启电压特性来实现。设备上电瞬间，利用第一电容C1、第二电容C2不能突变的特性，输入的电源电压加载在P-MOS管Q1的G级，让MOS管处于关闭状态；紧接着，第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2组成充电电路，P-MOS管Q1上G级的电压随着RC上充电电压值变化，当VGS电压由等效于电源输入电压，过渡到第一电阻R1与第二电阻R2分压后的电压；P-MOS管Q1内部等效导通电阻Rdson也 由最大值慢慢减小，从而抑制浪涌电流的大小，对P-MOS管进行延时开启。

请参阅图3，所述第二级浪涌电流抑制电路通过延时开关电路，以及利用MOS的内阻与V_GS电压之间的特性来实现。

综上所述，本实用新型提出的电流抑制电路，对浪涌电流有调节作用，提高电子产品的可靠性。同时，考虑到目前环保趋势，对用电设备功耗要求更加严苛，该电路在效率上具有优势。

这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (6)

1.一种电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接；

所述第一级浪涌电流抑制电路用以抑制浪涌电流；第二级浪涌电流抑制电路在延时开关电路的辅助下，抑制浪涌电流；

所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1；

NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Q1的源极；第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P-MOS管Q1的漏极连接负载，P-MOS管Q1的漏极还连有第三电容C3的第一端，第三电容的第二端接地。

2.一种电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括：第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路、第二级浪涌电流抑制电路；第二级浪涌电流抑制电路分别与第一级浪涌电流抑制电路、延时开关电路连接，第一级浪涌电流抑制电路与延时开关电路连接。

3.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于：

所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1。

4.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于：

延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路。

5.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于：

第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1。

6.根据权利要求2所述的电流抑制电路，其特征在于：

所述第一级浪涌电流抑制电路包括NTC热敏电阻R1；延时开关电路包括并联的第一电容C1、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3，形成RC电路；第二级浪涌电流抑制电路包括P-MOS管Q1；

NTC热敏电阻R1的第一端连接电源，第二端连接P-MOS管Q1的源极；第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端、第二电阻R2的第一端连接P-MOS管Q1的源极，第一电容C1的第二端、第二电容C2的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端连接P-MOS管Q1的栅极，第三电阻的第二端接地；P-MOS管Q1的漏极连接负载。