CN204331501U - 一种茂福炉温度控制系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种茂福炉温度控制系统，主要内容为：包括茂福炉、温度传感器、温度检测电路、单片机、保护模块、键盘、液晶显示模块、报警模块、可控硅驱动器和可控硅，其特征在于，所述温度传感器安装在茂福炉上，温度传感器与温度检测电路连接，温度检测电路和键盘都与单片机连接，保护模块与单片机相连，液晶显示模块、报警模块和可控硅驱动器都与单片机连接，可控硅驱动器与可控硅连接，可控硅与茂福炉上的加热体连接，加热体为硅碳棒。本实用新型结构简单，成本低；温度控制精确，智能化，人性化；运行安全可靠，效率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及医疗器械技术领域，尤其涉及一种茂福炉温度控制系统。
背景技术
一体化程控高温炉又名一体化程控箱式电炉或一体化程序升温马弗炉，采用陶瓷纤维内胆，高温炉丝发热，能耗是普通高温炉的三分之一，升温快。外壳冷板喷塑，外形轻巧，重量仅为普通电炉的五分之一。但是目前很多茂福炉温度控制不精确，严重影响使用效果。
实用新型内容
根据以上不足，本实用新型提供一种温度控制精确、应用范围广且运行安全可靠的茂福炉温度控制系统。
为实现上述目的，本实用新型茂福炉温度控制系统，主要内容为：包括茂福炉、温度传感器、温度检测电路、单片机、保护模块、键盘、液晶显示模块、报警模块、可控硅驱动器和可控硅，其特征在于，所述温度传感器安装在茂福炉上，所述温度传感器与温度检测电路连接，所述温度检测电路和键盘都与单片机连接，所述保护模块与单片机相连，所述液晶显示模块、报警模块和可控硅驱动器都与单片机连接，所述可控硅驱动器与可控硅连接，所述可控硅与茂福炉上的加热体连接，所述加热体为硅碳棒。
作为优选，所述单片机为ARM9芯片且安装有嵌入式系统。
作为优选，所述可控硅驱动器采用MOC3041光电耦合可控硅驱动器。
作为优选，所述可控硅采用双向可控硅。
本实用新型有益效果是：结构简单，成本低；温度控制精确，智能化，人性化；运行安全可靠，效率高。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
附图标记说明：
1-茂福炉，2-温度传感器，3-温度检测电路，4-单片机，5-保护模块，6-键盘，7-液晶显示模块，8-报警模块，9-可控硅驱动器，10-可控硅。
具体实施方式
下面结合附图及实施例描述本实用新型具体实施方式：
实施例，见附图1，一种茂福炉温度控制系统，包括茂福炉1、温度传感器2、温度检测电路3、单片机4、保护模块5、键盘6、液晶显示模块7、报警模块8、可控硅驱动器9和可控硅10，其特征在于，所述温度传感器2安装在茂福炉1上，所述温度传感器2与温度检测电路3连接，所述温度检测电路3和键盘6都与单片机4连接，所述保护模块5与单片机4相连，所述液晶显示模块7、报警模块8和可控硅驱动器9都与单片机4连接，所述可控硅驱动器9与可控硅10连接，所述可控硅10与茂福炉1上的加热体连接，所述加热体为硅碳棒。
所述主控制器是单片机4，执行机构是可控硅10，检测机构是温度传感器2，加热体是硅碳棒；温度传感器2检测茂福炉1的温度并转换成微弱的电压信号，再通过温度检测电路3转换成数字量送入单片机4，单片机4经过处理后，一方面将茂福炉1的温度在液晶显示模块7显示出来；另一方面将预先设定好的温度值与该值进行对比，进而判断是否需要报警模块8做出反应；接着根据该温度值与设定好的温度值的偏差大小，采用模糊PID控制算法进行运算，最后通过控制可控硅10的通断，达到对茂福炉1温度进行控制的目的；如果测得的温度值超过了系统的安全极限值，硬件电路的保护模块5就会发挥作用，起到保护茂福炉1的功能。
上面结合附图对本实用新型优选实施方式作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化。
不脱离本实用新型的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本实用新型不限于特定的实施方式，本实用新型的范围由所附权利要求限定。
Claims (4)
1.一种茂福炉温度控制系统，包括茂福炉(1)、温度传感器(2)、温度检测电路(3)、单片机(4)、保护模块(5)、键盘(6)、液晶显示模块(7)、报警模块(8)、可控硅驱动器(9)和可控硅(10)，其特征在于，所述温度传感器(2)安装在茂福炉(1)上，所述温度传感器(2)与温度检测电路(3)连接，所述温度检测电路(3)和键盘(6)都与单片机(4)连接，所述保护模块(5)与单片机(4)相连，所述液晶显示模块(7)、报警模块(8)和可控硅驱动器(9)都与单片机(4)连接，所述可控硅驱动器(9)与可控硅(10)连接，所述可控硅(10)与茂福炉(1)上的加热体连接，所述加热体为硅碳棒。
2.如权利要求1所述的茂福炉温度控制系统，其特征在于：所述单片机(4)为ARM9芯片且安装有嵌入式系统。
3.如权利要求2所述的茂福炉温度控制系统，其特征在于：所述可控硅驱动器(9)采用MOC3041光电耦合可控硅驱动器。
4.如权利要求2所述的茂福炉温度控制系统，其特征在于：所述可控硅(10)采用双向可控硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520010338.5U CN204331501U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 一种茂福炉温度控制系统 |
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| CN201520010338.5U CN204331501U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 一种茂福炉温度控制系统 |
Publications (1)
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| CN204331501U true CN204331501U (zh) | 2015-05-13 |
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| CN201520010338.5U Expired - Fee Related CN204331501U (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 一种茂福炉温度控制系统 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN204331501U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106918222A (zh) * | 2015-12-25 | 2017-07-04 | 天津市维之丰科技有限公司 | 一种马弗炉 |
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2015
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Granted publication date: 20150513 Termination date: 20160107 |