CN204316810U - 一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，与非门IC4的输出端相连接的异或门电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3等组成。同时，本实用新型还设有逻辑保护放大电路。本实用新型的整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本实用新型完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。

Description

一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统

技术领域

本实用新型涉及一种逻辑控制电路，具体是指一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统。

背景技术

目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动电路来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。

逻辑控制电路是LED灯保护系统中的一个重要控制部分，其运行速度的快慢和性能稳定与否直接决定了LED灯保护系统的使用范围和性能好坏。但是，目前这些逻辑控制电路的结构都较为复杂，不仅其能耗较高，而且其运行速度较慢，不能很好的体现出逻辑控制的快速、低能耗的优势。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服目前LED灯保护系统用的逻辑控制电路结构复杂、能耗较高、运行速度较慢的缺陷，提供一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，与非门IC4的输出端相连接的异或门电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，所述场效应管MOS的源极则外接+12V电压。同时，在场效应管MOS的漏极与非门IC4的输入端之间串接有逻辑保护放大电路；该逻辑保护放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经电阻R13后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C6，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与功率放大器P2的负极输入端相连接的电阻R12，串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间的极性电容C7，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极顺次经稳压二极管D5和电阻R14后与功率放大器P1的输出端相连接的电容C8，P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极顺次经电阻R16和电阻R15后与稳压二极管D5和电阻R14的连接点相连接的二极管D6，以及N极与电容C8的负极相连接、P极与二极管D6和电阻R16的连接点相连接的稳压二极管D7组成；所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接；功率放大器P2的输出端与非门IC7的正极输入端相连接，其正极输入端则与功率放大器P1的输出端相连接；所述极性电容C6的正极则与场效应管MOS的漏极相连接，而电阻R16和电阻R15的连接点则与非门IC4的输入端相连接。

进一步地，所述滤波延时电路由电阻R7、二极管D3、电解电容C5及电阻R8组成，所述电阻R8串接在电解电容C5的正极和负极之间，电阻R7的一端与非门IC2的输出端相连接、其另一端经二极管D3后与电解电容C5的正极相连接。

所述一级滤波电路由P极与非门IC1的输入端相连接、N极经电阻R2和电容C1后与非门IC1的输入端相连接的二极管D1，以及与二极管D1相并联的电阻R1组成；所述电容C1的负极接地。

所述异或门电路由异或门IC5，N极与异或门IC5的第一输入端相连接、P极与二级滤波电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端外接+12V电压的电阻R6，以及正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的电容C4组成；所述异或门IC5的第二输入端与非门IC4的输出端相连接，且非门IC4的输出端还与二极管D3的N极相连接。

所述二级滤波电路由N极与非门IC3的输入端相连接、P极与二极管D4的P极相连接的二极管D2，与二极管D2相并联的电阻R4，以及正极与非门IC3的输入端相连接、负极接地的电容C2组成。

本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

（1）本实用新型的整体结构简单，其制作和使用非常方便。

（2）本实用新型完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。

（3）本实用新型采用源极跟随器来作为控制开关，因此其性能更加稳定，其动态范围更好。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型的逻辑保护放大电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本实用新型所述的基于源极跟随器的逻辑控制电路，主要由场效应管MOS、非门IC1、非门IC3、非门IC4、滤波延迟电路、一级滤波电路、二级滤波电路、异或门电路、电阻R3、电阻R5、电阻R9、电容C3及逻辑保护放大电路组成。

连接时，非门IC2的输入端要与非门IC1的输出端相连接，即非门IC1和非门IC2相串接。所述的滤波延时电路由电阻R7、二极管D3、电解电容C5及电阻R8组成，其中，电阻R8串接在电解电容C5的正极和负极之间，而电阻R7的一端与非门IC2的输出端相连接，其另一端经二极管D3后与电解电容C5的正极相连接。

所述的一级滤波电路要与非门IC1的输入端相连接，二级滤波电路则与非门IC3的输入端相连接，异或门电路与非门IC4的输出端相连接。

电阻R3的一端与场效应管MOS的栅极相连接，其另一端与非门IC1的输出端相连接；电阻R5的一端与场效应管MOS的栅极相连接，其另一端与异或门电路相连接；电容C3的正极与场效应管MOS的栅极相连接，其负极与非门IC3的输出端相连接；电阻R9的一端与场效应管MOS的漏极相连接，另一端接地。同时，该场效应管MOS的源极需要则外接+12V电压，以确保场效应管MOS能正常工作。

所述一级滤波电路由二极管D1、电阻R1、电阻R2及电容C1组成，其中，二极管D1的P极与非门IC1的输入端相连接，其N极经电阻R2和电容C1后与非门IC1的输入端相连接。电阻R1则与二极管D1相并联，而电容C1的负极接地。

所述异或门电路由异或门IC5，二极管D4、电阻R6和电容C4组成，连接时，二极管D4的N极与异或门IC5的第一输入端相连接，其P极与二级滤波电路相连接；电阻R6为分压电阻，其一端与二极管D4的P极相连接，其另一端外接+12V电压；电容C4的正极与二极管D4的P极相连接，其负极接地。

同时，异或门IC5的第二输入端要与非门IC4的输出端相连接，且非门IC4的输出端还与二极管D3的N极相连接。

所述二级滤波电路由二极管D2、电阻R4及电容C2组成，其中，二极管D2的N极与非门IC3的输入端相连接，其P极与二极管D4的P极相连接；电阻R4与二极管D2相并联，电容C2的正极与非门IC3的输入端相连接，其负极接地。

如图2所示，该逻辑保护放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经电阻R13后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C6，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与功率放大器P2的负极输入端相连接的电阻R12，串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间的极性电容C7，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极顺次经稳压二极管D5和电阻R14后与功率放大器P1的输出端相连接的电容C8，P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极顺次经电阻R16和电阻R15后与稳压二极管D5和电阻R14的连接点相连接的二极管D6，以及N极与电容C8的负极相连接、P极与二极管D6和电阻R16的连接点相连接的稳压二极管D7组成。

同时，所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接；功率放大器P2的输出端与非门IC7的正极输入端相连接，其正极输入端则与功率放大器P1的输出端相连接。所述极性电容C6的正极则与场效应管MOS的漏极相连接，而电阻R16和电阻R15的连接点则与非门IC4的输入端相连接。

本实用新型中一共形成有4个输出端，用于与外部的其他LED电路相连接。其中，第一个输出端CT1由二极管D1的N极引出形成，第二个输出端由二极管D2的P极引出形成，第三个输出端由非门IC4的输出端引出形成，第四个输出端则由异或门IC5的输出端引出形成。

如上所述，便可以很好的实现本实用新型。

Claims (5)

1.一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，与非门IC4的输出端相连接的异或门电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，所述场效应管MOS的源极则外接+12V电压，其特征在于，在场效应管MOS的漏极与非门IC4的输入端之间串接有逻辑保护放大电路；该逻辑保护放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经电阻R13后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C6，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与功率放大器P2的负极输入端相连接的电阻R12，串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间的极性电容C7，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极顺次经稳压二极管D5和电阻R14后与功率放大器P1的输出端相连接的电容C8，P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极顺次经电阻R16和电阻R15后与稳压二极管D5和电阻R14的连接点相连接的二极管D6，以及N极与电容C8的负极相连接、P极与二极管D6和电阻R16的连接点相连接的稳压二极管D7组成；所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接；功率放大器P2的输出端与非门IC7的正极输入端相连接，其正极输入端则与功率放大器P1的输出端相连接；所述极性电容C6的正极则与场效应管MOS的漏极相连接，而电阻R16和电阻R15的连接点则与非门IC4的输入端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，其特征在于，所述滤波延时电路由电阻R7、二极管D3、电解电容C5及电阻R8组成，所述电阻R8串接在电解电容C5的正极和负极之间，电阻R7的一端与非门IC2的输出端相连接、其另一端经二极管D3后与电解电容C5的正极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，其特征在于，所述一级滤波电路由P极与非门IC1的输入端相连接、N极经电阻R2和电容C1后与非门IC1的输入端相连接的二极管D1，以及与二极管D1相并联的电阻R1组成；所述电容C1的负极接地。

4.根据权利要求3所述的一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，其特征在于，所述异或门电路由异或门IC5，N极与异或门IC5的第一输入端相连接、P极与二级滤波电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端外接+12V电压的电阻R6，以及正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的电容C4组成；所述异或门IC5的第二输入端与非门IC4的输出端相连接，且非门IC4的输出端还与二极管D3的N极相连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于源极跟随器的新型逻辑控制系统，其特征在于，所述二级滤波电路由N极与非门IC3的输入端相连接、P极与二极管D4的P极相连接的二极管D2，与二极管D2相并联的电阻R4，以及正极与非门IC3的输入端相连接、负极接地的电容C2组成。