CN204303665U - 真空灭弧室中的聚磁环结构 - Google Patents
真空灭弧室中的聚磁环结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开的真空灭弧室中的聚磁环结构，包括聚磁环，聚磁环上设置有凹槽，凹槽包括一个完全切断的断槽以及多个等距离间隔设置的上凹槽和下凹槽。本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构解决了现有的聚磁环由于涡流造成了磁场滞后并且对真空开关的开端会造成不良影响的缺点。本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构增强了磁场强度，特别是对增强电极边缘磁场强度具有非常重要的作用，同时使磁场分布得更加均匀，还大大减小聚磁环上的涡流，这样可以降低磁场滞后，保证真空开关的顺利开断。
Description
技术领域
本实用新型属于真空灭弧室技术领域，具体涉及一种真空灭弧室中的聚磁环结构。
背景技术
真空灭弧室普遍采用杯状纵向磁场电极结构，纵向磁场可以使集聚型电弧扩散开来，这样可以防止触头表面的局部严重烧蚀，从而保证开断顺利进行。但是，杯状电极产生的纵向磁场大小能否使电弧扩散，与电极产生的纵向磁场强度的大小有很大的关系，杯状电极结构中的聚磁环，其作用就是提高磁场强度，同时还使磁场分布更加均匀，确保集聚型电弧扩散开来，成为扩散型电弧。而现有的聚磁环虽然起到了增强磁场强度和使磁场分布均匀的作用，但是由于结构所限会形成较大的涡流以及磁场滞后，导致磁场不能及时发挥作用，也就不能及时使集聚型电弧转化为扩散型电弧，这对真空灭弧室的开断是非常不利的，同时涡流还会在聚磁环中产生铁磁损耗，对真空灭弧室也是不利的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种真空灭弧室中的聚磁环结构，解决了现有的聚磁环由于涡流造成了磁场滞后并且对真空开关的开断会造成不良影响的缺点。
本实用新型所采用的技术方案是：真空灭弧室中的聚磁环结构，包括聚磁环，聚磁环上设置有凹槽。
本实用新型的特点还在于，凹槽包括多个等距离间隔设置的上凹槽和下凹槽，凹槽还包括一个完全切断的断槽。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构解决了现有的聚磁环由于涡流造成了磁场滞后并且对真空开关的开断会造成不良影响的缺点。本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构增强了磁场强度，特别是对增强电极边缘磁场强度具有非常重要的作用，同时使磁场分布得更加均匀，还大大减小聚磁环上的涡流，这样可以降低磁场滞后，保证真空开关的顺利开断。
附图说明
图1是本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构的结构示意图；
图2是图1的A-A向剖视图。
图中，1.聚磁环，2.凹槽，21.上凹槽，22.下凹槽，23.断槽。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
本实用新型提供的真空灭弧室中的聚磁环结构如图1及图2所示，包括聚磁环1，聚磁环1上设置有凹槽2。
凹槽2包括多个等距离间隔设置的上凹槽21和下凹槽22，凹槽2还包括一个完全切断的断槽23。
真空灭弧室中，聚磁环的作用是提高磁场强度，同时还使电极部分的磁场分布更加均匀，目的是在足够大、且均匀的磁场强度下，确保集聚型电弧扩散开来，成为扩散型电弧，防止因电弧集聚引起的局部触头严重烧蚀，从而保证开断顺利进行。但是现有的聚磁环结构，由于没有设置凹槽2，在其表面会形成较大的涡流及磁场滞后，导致磁场不能及时发挥作用，也就不能使集聚型电弧转化为扩散型电弧，这对真空灭弧室的开断是非常不利的，同时涡流还会在聚磁环中产生铁磁损耗，对开关也是非常不利的。基于此，在聚磁环上开了足够数量的凹槽2，通过聚磁环1上设置的多个上凹槽21、下凹槽22还有断槽23将聚磁环分成足够数量的各小部分，并且各部分的连接交替分布在两端，仅有很小的部分连接在一起，这样可以在保证聚磁环1整体结构的前提下尽可能地制造电流路径上的障碍，这样做大大阻止了涡流的形成，减小了铁磁损耗以及磁场滞后时间，保证真空开关的顺利开断。
通过上述方式，本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构解决了现有的聚磁环由于涡流造成的磁场滞后以及铁磁损耗，防止了其对真空开关的开断造成不良影响的缺点。本实用新型的真空灭弧室中的聚磁环结构增强了磁场强度，特别是对增强电极边缘磁场强度具有非常重要的作用，同时使磁场分布得更加均匀，还大大减小聚磁环上的涡流，这样可以降低铁磁损耗以及磁场滞后时间，保证真空开关的顺利开断。
Claims (2)
1.真空灭弧室中的聚磁环结构，其特征在于，包括聚磁环(1)，聚磁环(1)上设置有凹槽(2)。
2.如权利要求1所述的真空灭弧室中的聚磁环结构，其特征在于，所述凹槽(2)包括多个等距离间隔设置的上凹槽(21)和下凹槽(22)，所述凹槽(2)还包括一个完全切断的断槽(23)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420771645.0U CN204303665U (zh) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 真空灭弧室中的聚磁环结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420771645.0U CN204303665U (zh) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 真空灭弧室中的聚磁环结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204303665U true CN204303665U (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=53109187
Family Applications (1)
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| CN201420771645.0U Active CN204303665U (zh) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 真空灭弧室中的聚磁环结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204303665U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195504A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-22 | 正泰电气股份有限公司 | 一种断路器的一次导电回路 |
| CN112582205A (zh) * | 2020-12-27 | 2021-03-30 | 中国振华电子集团宇光电工有限公司（国营第七七一厂） | 一种可增强开断磁场的加强筋 |
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2014
- 2014-12-09 CN CN201420771645.0U patent/CN204303665U/zh active Active
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| CN112582205A (zh) * | 2020-12-27 | 2021-03-30 | 中国振华电子集团宇光电工有限公司（国营第七七一厂） | 一种可增强开断磁场的加强筋 |
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