CN204289398U - 半导体芯片分向测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体分向测试装置，包括：底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。所述被检测芯片有选择性的摇出所述半导体芯片分向测试装置，分向速度快，准确度高，对所述被检测芯片的损伤小。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体晶圆制造领域，特别是涉及一种半导体芯片分向测试装置。
背景技术
随着半导体晶圆工艺的发展，为了满足晶圆切割后的芯片的电特性筛选的需求，往往要用到芯片分选设备。然而半导体芯片的P面(这里假设P面为有玻璃的台面)相对N面的焊接面积小的多，芯片分选时如果P面朝下，则芯片被转移至测试座上的时候易导致芯片滑落、倾斜等现象，此时测试针接触芯片时易对倾斜的芯片造成机械压伤，并且对测试针也造成一定程度的损伤。如果要降低此类现象的出现，则需要手工将待测试的晶粒全部P面朝上摆正，但是这样会浪费大量的时间，降低了生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种半导体芯片分向测试装置，使被检测芯片有选择性的摇出所述半导体芯片分向测试装置，分向速度快，准确度高，对所述被检测芯片的损伤小，甚至不会对所述被检测芯片造成损伤。
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体分向测试装置，包括：
底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；
真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。
优选的，所述放置槽的深度范围是150um-200um。
优选的，所述放置槽的水平截面的形状是正多边形或圆形。
优选的，所述第二通孔位于所述底座的侧壁或所述底座的下表面。
优选的，所述底座为空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的侧壁包围组成的。
优选的，当所述底座的侧壁高于所述底座的上表面时，所述底座的侧壁还具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被测芯片滑出。
优选的，所述底座的上表面的形状是正多边形或圆形。
优选的，所述放置槽的剖面为梯形。
优选的，所述底座的上表面为矩形时，所述矩形的长边的长度范围是50cm-60cm，宽边的长度范围是20cm-30cm。
本实用新型所提供的半导体芯片分向测试装置与现有技术相比，具有以下优点：
本实用新型所提供的半导体分向测试装置，包括：底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，所述放置槽的深度不大于被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。
使用所述半导体芯片分向测试装置时，将需要分选的被检测的芯片铺盖在所述底座的上表面，摇动所述底座，使所述被检测芯片尽可能地落入其附近的位置槽中，开启真空泵，降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压，摇动所述底座，尽可能的使所述底座的上表面与水平面平行，使得被检测芯片尽可能的被其附近的所述放置槽吸附，然后倾斜所述底座，倒出未被吸附的被检测芯片。由于被所述放置槽吸附的被检测芯片的朝向不同，被检测芯片的P面相对N面的焊接面积小。当所述放置槽中的真空度相同时，所述放置槽对所述P面朝下和N面朝下的被检测芯片的吸附力不同，同时所述P面朝上的被检测芯片的重心更低，因此，所述P面朝上的被检测芯片更容易被吸附到其附近的所述放置槽。倾斜所述底座时，由于所述P面朝下的被检测芯片，相比所述N面朝下的被检测芯片受到的吸附力更低，其重心更高，很容易脱离其先前所处的所述放置槽，进入所述空心底座的上表面，在重力的作用下，滑出所述底座的上表面，从而达到分向的目的。
综上所述，可知本实用新型所提供半导体分向测试装置，不增加新的部件，利用较浅的放置槽对在其附近的被测芯片的不同面的吸力的不同，留下P面朝上的芯片，筛选掉P朝下的被测芯片，从而达到了分向的目的。由于筛选时，只需将被检测芯片放置到所述底座的上表面，以及摇动所述底座，不用人工分选，因此所述半导体分向测试装置操作简单，分向速度快，准确度高，因为所述被检测芯片的重量较轻，只要不受外力的机械压迫，一般不会受到明显的损伤，甚至不会对所述被测芯片造成损伤。
附图说明
图1为本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置的一种具体实施方式的示意图；
图2为本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置的一种具体实施方式具有第三通孔的示意图。
具体实施方式
基于背景技术部分所述，现有技术中，芯片分选时如果P面朝下，则被检测芯片被转移至测试座上的时候易导致芯片滑落、倾斜等现象，此时测试针接触所述被检测芯片时易对倾斜的被检测芯片造成机械压伤，并且对测试针也造成一定程度的损伤。如果要降低此类现象的出现，则需要手工将待测试的晶粒全部P面朝上摆正，浪费大量的时间，降低了生产效率。
本实用新型实施例是提供一种半导体分向测试装置，包括：
底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；
真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。
本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置及，在分选被检测芯片的过程中，所述底座的上表面的放置槽与所述位置槽中的被检测芯片一一对应，且所述放置槽的深度不大于芯片的厚度，以保证不管是N面朝下还是P面朝下的被检测芯片，均可以落入所述放置槽中，由于所述N面朝下的被检测芯片与所述放置槽的接触面为平面，从而使得其与所述放置槽的接触面积较大，当其落入放置槽内时，可以与第一通孔、第二通孔和真空泵构成密闭空间，然后用所述真空泵将所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和被检测芯片构成的密闭空间内的气压，即可将N面朝向的被检测芯片吸附在所述放置槽的底部。而P面朝下的被检测芯片，当其落入放置槽内时，难以与第一通孔、第二通孔和真空泵构成密闭空间，然后用所述真空泵将所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和被检测芯片构成的密闭空间内的气压时，施加到所述P面朝下的被检测芯片的吸附力较小，同时其重心较高，再摇动所述底座，即可使所述P面朝下的被检测芯片与所述放置槽底部脱离，实现芯片的分向。
由此可见，本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置，在分选被检测芯片时，不需要手工一一将所述被检测芯片放入所述位置槽中，只要将所述被检测芯片放入所述半导体分向测试装置中，摇动所述底座，抽真空，就可以轻易的对所述被检测芯片进行分选，使得所有留在所述底座的被检测芯片均是N面朝下的被检测芯片，分选速度快，效率高，同时便于后期对芯片进行检测时，对被检测芯片的损伤小，甚至不会对被测芯片造成损伤。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
请参考图1，图1为本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置的一种具体实施方式的示意图。
在一种具体实施方式中，本实用新型所述的半导体分向测试装置，包括：
底座100，所述底座100水平放置，所述底座100的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽101，且所述放置槽101的深度不大于被检测芯片的厚度，所述放置槽101的底部具有至少一个第一通孔，所述底座100具有第二通孔102，所述第二通孔102与所述放置槽101的第一通孔相连通；
真空泵110，所述真空泵110与所述底座的第二通孔102密封连接，用于降低所述底座100、所述第一通孔、所述第二通孔102和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。
优选的，所述放置槽101的深度范围是150um-200um。所述被检测芯片的厚度一般在275um左右，所述放置槽101的深度范围是150um-200um时，掉入所述放置槽101的P面朝下被检测芯片更容易被摇出，如果所述放置槽101的深度更小，则N面朝下的被检测芯片不容易被吸附，所述放置槽101的深度更大时，P面朝下的被检测芯片不容易被摇出。必须要说明的是，这个深度范围与所述被检测芯片的厚度相关的，不是一成不变的。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述放置槽101的水平截面的形状是正多边形或圆形。所述放置槽101的水平截面的形状是规则图形时，所述放置槽101的制造工艺可以变得更简单，制作完成的放置槽101也更美观，同时对被检测芯片在进出所述放置槽101时，造成的损伤更小。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述第二通孔102位于所述底座100的侧壁或所述底座100的下表面。由于所述真空泵110与所述第二通孔102密封连接，所述第二通孔102位于所述底座100的侧壁或所述底座100的下表面时，摇动所述底座100更加方便，尤其是所述第二通孔102位于所述底座的下表面时，摇动所述底座100需要的能量更少。
需要说明的是，所述第二通孔102也可以位于所述底座100的第一通孔，只是在摇动所述底座100时，非常的不方便，不容易保持均匀摇动的状态。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述底座100为空心底座，所述底座100是由所述底座100的上表面、所述底座100的下表面和所述底座100的侧壁包围组成的。所述底座100为空心底座时，摇动所述底座100需要的能量更少，制作所述底座100的工艺变得非常简单，可以降低制造成本。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，当所述底座100的侧壁高于所述底座的上表面时，所述底座100的侧壁还具有第三通孔103，所述第三通孔用于未被吸附的被测芯片滑出，如图2所示。当所述底座100的侧壁高于所述底座100的上表面时，即相当于所述底座100的上表面周围有围墙，那么在摇动所述底座后，位于所述底座100的上表面以及未被吸附的被检测芯片，需要从所述底座100的上表面滑出，所述围墙会使这些芯片在其附近聚集，所述第三通孔103就是这些芯片的出口。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述底座100的上表面的形状是正多边形或圆形。所述底座100的上表面的形状是正多边形或圆形，会使的所述底座100的中心集中到所述底座的中心，摇动时需要的提供的能量均匀，同时，所述底座100也可以批量制作，降低成本。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述放置槽101的剖面为梯形。所述放置槽101的剖面为梯形，那么所述被检测的芯片，不管是N面朝下的被检测芯片，还是P面朝下的被检测芯片，只要进入所述放置槽101，那么很容易被所述放置槽吸附。
需要说明的是，所述放置槽101的剖面也可以是其他形状，只是被检测芯片进入所述放置槽101后，不会被马上吸附，造成分选的效率的降低。
在上述实施例的基础上，在本实用新型实施例的一种具体实施方式中，所述底座100的上表面为矩形时，所述矩形的长边的长度范围是50cm-60cm，宽边的长度范围是20cm-30cm。需要说明的是，所述底座的上表面的参数是根据实际需求设定的，上述具体参数只是一个特例。
综上所述，本实用新型实施例所提供的半导体分向测试装置，只需要人工摇动或者机器摇动所述底座，即可完成对被检测芯片的分选，不需要手工一一将所述被检测芯片放入所述放置槽中，所有留在所述底座的被检测芯片均是N面朝下的被检测芯片，分选速度快，效率高，同时便于后期对芯片进行检测时，对被检测芯片的损伤小，甚至不会对被测芯片造成损伤。
以上对本实用新型所提供的半导体分向测试装置进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
Claims (9)
1.一种半导体分向测试装置，其特征在于，包括：
底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多个容纳被检测芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被检测芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一个第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔与所述放置槽的第一通孔相连通；
真空泵，所述真空泵与所述底座的第二通孔密封连接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被检测芯片构成的密闭空间内的气压。
2.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的深度范围是150um-200um。
3.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的水平截面的形状是正多边形或圆形。
4.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述第二通孔位于所述底座的侧壁或所述底座的下表面。
5.如权利要求1或2所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座为空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的侧壁包围组成的。
6.如权利要求5所述的半导体分向测试装置，其特征在于，当所述底座的侧壁高于所述底座的上表面时，所述底座的侧壁还具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被测芯片滑出。
7.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座的上表面的形状是正多边形或圆形。
8.如权利要求1所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述放置槽的剖面为梯形。
9.如权利要求1或7所述的半导体分向测试装置，其特征在于，所述底座的上表面为矩形时，所述矩形的长边的长度范围是50cm-60cm，宽边的长度范围是20cm-30cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420692931.8U CN204289398U (zh) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 半导体芯片分向测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN (1) | CN204289398U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020057584A1 (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 南方科技大学 | 微型芯片的批量转移装置以及方法 |
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2014
- 2014-11-18 CN CN201420692931.8U patent/CN204289398U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
| WO2020057584A1 (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 南方科技大学 | 微型芯片的批量转移装置以及方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: Semiconductor chip direction division test device Effective date of registration: 20160415 Granted publication date: 20150422 Pledgee: Jiuhua Hengchang Chizhou Industrial Investment Co. Pledgor: ANHUI ANXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. Registration number: 2016340000017 |
|
| PLDC | Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 247100 Anhui Province, Chizhou City Economic Development Zone Fu'an Electronic Information Industrial Park No. 10 Patentee after: Anhui Anxin electronic Polytron Technologies Inc Address before: 247100 Anhui Province, Chizhou City Economic Development Zone Fu'an Electronic Information Industrial Park No. 10 Patentee before: ANHUI ANXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20170612 Granted publication date: 20150422 Pledgee: Jiuhua Hengchang Chizhou Industrial Investment Co. Pledgor: ANHUI ANXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. Registration number: 2016340000017 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |