CN204211647U - 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 - Google Patents
高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204211647U CN204211647U CN201420565737.3U CN201420565737U CN204211647U CN 204211647 U CN204211647 U CN 204211647U CN 201420565737 U CN201420565737 U CN 201420565737U CN 204211647 U CN204211647 U CN 204211647U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- coated
- forming unit
- mbar
- deck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制氧化钛介电层，氮化硅介电层，氧化锌介电层，镍铬金属合金层，银功能层，镍铬金属合金层，氧化锌锡介电层和氮化硅介电层。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃镀膜技术领域，尤其涉及一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置。
背景技术
目前，低辐射镀膜玻璃已经广泛应用在建筑领域，其具有传热系数低和反射红外线等特点。透过率的提高，一般采用介电层的增透作用和金属层厚度的降低来实现，但是金属层厚度过低会导致钢化时功能层的氧化，影响镀膜玻璃的光学性能，从而影响了镀膜玻璃的深加工性能。
实用新型内容
本实用新型旨在为了解决镀膜玻璃透过率和镀膜玻璃深加工存在的问题。
为了达成上述目的，本实用新型提供了一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化硅介电层。
一些实施例中，所述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制，沉积厚度在5～15nm之间，制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1：15～20之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在30～50kw之间。
一些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2.5～3之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
一些实施例中，所述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1～2：1之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
一些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在0.5～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
一些实施例中，所述银功能层形成单元采用纯银靶镀制，沉积厚度在5～13nm之间，制备银功能层的溅射气体为氩气，溅射气压在1x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在5～15kw之间。
一些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在1～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
一些实施例中，所述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制，沉积厚度在10～20nm之间，制备氧化锌锡介电层的氧气与氩气量之比在1.5～2.5：1之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在30～60kw之间。
一些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在10～40nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2～3.5之间，溅射气压在2.5x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在10～35kw之间。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是通过离线磁控溅射技术，在浮法玻璃基材表面制备多层膜结构，使其具有较高的透过率和选择系数，对红外区域有高反射的作用，同时能有效的降低玻璃的辐射率。
以下结合附图，通过示例说明本实用新型主旨的描述，以清楚本实用新型的其他方面和优点。
附图说明
结合附图，通过下文的详细说明，可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征和优点，其中：
图1为本实用新型的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置制备的镀膜玻璃示意图。
具体实施方式
参见本实用新型具体实施例的附图，下文将更详细地描述本实用新型。然而，本实用新型可以以许多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本技术领域的技术人员完全了解本实用新型的范围。
现参考附图，详细说明根据本实用新型实施例的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置制备。如图1所示，一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层。
现参考图2，详细描述根据本实用新型制备装置的操作。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化硅介电层。
如图2所示，所述装置在玻璃基板1上依次镀制一层氧化钛(TiO2)介电层2，一层氮化硅(Si3N4)介电层3，一层氧化锌(ZnO)介电层4，一层镍铬(NiCr)金属合金层51，一层银(Ag)功能层6，一层镍铬(NiCr)金属合金层52，一层氧化锌锡(ZnxSnyOx+y)介电层7和一层氮化硅(Si3N4)介电层8。再对所述镀膜玻璃进行钢化，最后对所述钢化后的镀膜玻璃进行检测。
具体地，上述氧化钛介电层2，沉积厚度在5～15nm之间，制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1：15～20之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在30～50kw之间。
具体地，上述氮化硅介电层3，沉积厚度在5～10nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2.5～3之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
具体地，上述氧化锌介电层4，沉积厚度在5～10nm之间，制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1～2：1之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
具体地，上述镍铬金属介电层51，沉积厚度在0.5～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
具体地，上述银功能层6，沉积厚度在5～13nm之间，制备银功能层的溅射气体为氩气，溅射气压在1x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在5～15kw之间。
具体地，上述镍铬金属介电层52，沉积厚度在1～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
具体地，上述氧化锌锡介电层6，沉积厚度在10～20nm之间，制备氧化锌锡介电层的氧气与氩气量之比在1.5～2.5：1之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在30～60kw之间。
具体地，上述氮化硅介电层7，沉积厚度在10～40nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2～3.5之间，溅射气压在2.5x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在10～35kw之间。
本实用新型的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，其生产出来的单银高透低辐射产品，可以进行高温钢化工艺处理，且钢化前后透过率和颜色值改变很小，对产品性能没有影响。采用复合电介质层对功能层银(Ag)层能起到保护作用，有效的避免银离子凝聚及银层被氧化等，最外层氮化硅在热处理中具有稳定的抗热冲击性能。
将本实用新型用于卧式连续式磁控溅射镀膜机，其中包括6个旋转阴极，3个平面阴极，共计9个阴极。使用其中5个旋转阴极和3个平面阴极进行生产，制造出高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃，工艺配置如下表1：
| 阴极序号 | 靶材材料 | 阴极类型 |
| 1# | TiO2 | 交流旋转 |
| 2# | SiAl(90：10) | 交流旋转 |
| 3# | ZnAl(98：2) | 交流旋转 |
| 4# | NiCr(80：20) | 直流平面 |
| 5# | Ag | 直流平面 |
| 6# | NiCr(80：20) | 直流平面 |
| 7# | ZnSn(50：50) | 交流旋转 |
| 8# | SiAl(90：10) | 交流旋转 |
按照上述工艺镀制的玻璃钢化后光学性能如下：
可见光透射比为82.6％；
可见光反射比为9.1％；
玻璃面a*为-0.8；
玻璃面b*为-12.37；
选择系数为1.23；
传热系数为1.4W/(m2.K)；
辐射率为0.08。
现有技术相比，本实用新型的有益效果是通过离线磁控溅射技术，在浮法玻璃基材表面制备多层膜结构，使其具有较高的透过率和选择系数，对红外区域有高反射的作用，同时能有效的降低玻璃的辐射率。
以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思做出诸多修改和变化。凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (9)
1.一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，其特征在于，包括：
氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层；
氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层；
氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；
镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；
银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；
镍铬金属合金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；
氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电层；及
氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层，
其中，所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化硅介电层。
2.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制，沉积厚度在5～15nm之间，制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1：15～20之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在30～50kw之间。
3.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2.5～3之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
4.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制，沉积厚度在5～10nm之间，制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1～2：1之间，溅射气压在2x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在20～40kw之间。
5.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在0.5～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
6.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述银功能层形成单元采用纯银靶镀制，沉积厚度在5～13nm之间，制备银功能层的溅射气体为氩气，溅射气压在1x10-3mbar至4x10-3mbar之间，沉积功率在5～15kw之间。
7.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在1～5nm之间，制备镍铬金属介电层的溅射气体为氩气，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在1～10kw之间。
8.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制，沉积厚度在10～20nm之间，制备氧化锌锡介电层的氧气与氩气量之比在1.5～2.5：1之间，溅射气压在3x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在30～60kw之间。
9.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在10～40nm之间，制备氮化硅介电层的氮气与氩气量之比在1：2～3.5之间，溅射气压在2.5x10-3mbar至5x10-3mbar之间，沉积功率在10～35kw之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420565737.3U CN204211647U (zh) | 2014-09-28 | 2014-09-28 | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420565737.3U CN204211647U (zh) | 2014-09-28 | 2014-09-28 | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204211647U true CN204211647U (zh) | 2015-03-18 |
Family
ID=52980337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420565737.3U Active CN204211647U (zh) | 2014-09-28 | 2014-09-28 | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204211647U (zh) |
-
2014
- 2014-09-28 CN CN201420565737.3U patent/CN204211647U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104230182A (zh) | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备方法 | |
| CN102350833B (zh) | 一种节能可钢化三银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN101531471A (zh) | 双银复合结构可钢化低辐射镀膜玻璃及其工艺 | |
| CN109305763A (zh) | 一种高透型单银低辐射镀膜玻璃 | |
| US10067274B2 (en) | Nickel-aluminum blocker film low-emissivity coatings | |
| CN111606578A (zh) | 一种可钢化低反双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法 | |
| CN105481267A (zh) | 可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺 | |
| CN111995258A (zh) | 一种中透低反可钢化双银low-e玻璃及制备方法 | |
| CN103396013B (zh) | 离线高透净色低辐射可钢镀膜玻璃及其制造方法 | |
| CN106966608A (zh) | 一种高透光率低辐射镀膜玻璃的制作方法 | |
| CN104310801A (zh) | 一种中性色三银low-e玻璃及制备方法 | |
| CN103288362A (zh) | 一种高透过率高性能低辐射玻璃的工艺 | |
| CN102898041B (zh) | 中性色的双银复合结构低辐射镀膜玻璃及工艺 | |
| CN212559995U (zh) | 一种中透低反可钢化双银low-e玻璃 | |
| CN102951855A (zh) | 一种利于钢化处理的高透单银低辐射玻璃 | |
| CN103614696B (zh) | 一种耐腐蚀薄膜的制备方法 | |
| CN102336529A (zh) | 高透可钢化低辐射玻璃及其制造方法 | |
| CN103771726A (zh) | 一种低辐射玻璃的制作方法 | |
| CN202344955U (zh) | 可钢化双银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN204211647U (zh) | 高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置 | |
| CN212559993U (zh) | 一种高透低反可钢三银低辐射玻璃 | |
| CN203864111U (zh) | 一种新型低辐射玻璃 | |
| CN210656698U (zh) | 一种高透浅蓝色可弯钢三银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN210030460U (zh) | 一种可后续加工含铜双银低辐射镀膜玻璃 | |
| CN108395118B (zh) | 一种可钢化三银lowe制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |