CN204206119U - 一种跨导运算放大器 - Google Patents
一种跨导运算放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204206119U CN204206119U CN201420720493.1U CN201420720493U CN204206119U CN 204206119 U CN204206119 U CN 204206119U CN 201420720493 U CN201420720493 U CN 201420720493U CN 204206119 U CN204206119 U CN 204206119U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide
- semiconductor
- type metal
- type mos
- mos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 29
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型在于提供一种跨导运算放大器,包括5个P型MOS管,4个N型MOS管,本实用新型通过将5个P型MOS管,4个N型MOS管有机组合起来实现了跨导运算放大器的功能,因为只有MOS管(虽然有两种型号,但是对应的安装工具是一样的,操作也相似)作为电子元件,故在实际生产中能有效提高安装效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及微电子技术领域,尤其涉及一种跨导运算放大器。
背景技术
跨导运算放大器将电压转换为电流的放大器,另外还有其它几个名称。其中一个同义词是OTA,或称为运算跨导放大器,从运算放大器和跨导放大器派生而来。
杭州士兰微电子股份有限公司公开了一种跨导放大器及LED恒流驱动电路,申请号:201320568197.X,申请日:2013-09-12,该跨导放大器包括 :差分输入级电路;电流传递电路,对差分输入级电路输出的电流进行传递 ;输入开关网络,对输入的正输入信号和负输入信号进行切换,使二者交替输入至第一电压转电流电路和第二电压转电流电路的输入端 ;电流传递开关网络,对电流传递电路的电流传递路径进行切换,使跨导放大器的输出信号与正输入信号保持正极性且与负输入信号保持反极性 ;时钟信号发生器;其中,该电流传递电路包括 :第一镜像管和第二镜像管 ;该电流传递开关网络包括第一开关至第四开关。
杭州士兰微电子股份有限公司还公开了另一种跨导放大器及LED恒流驱动电路,申请号:201320567663.2,申请日:2013-09-12跨导放大器包括 :差分输入级电路,包括第一电压转电流电路和第二电压转电流电路 ;电流传递电路,对差分输入级电路输出的电流进行传递 ;输入开关网络,对输入的正输入信号和负输入信号进行切换,使其交替输入至第一电压转电流电路和第二电压转电流电路的输入端 ;电流传递开关网络,对电流传递电路的电流传递路径进行切换,使跨导放大器的输出信号与正输入信号保持正极性,且与负输入信号保持反极性 ;时钟信号发生器,产生周期性非交叠的第一至第四时钟信号,第一和第二时钟信号反相,第三和第四时钟信号反相。
上述两种技术方案通过两种完全不同的方法实现了跨导运算放大,但是上述两种方案以及现有技术中均存在电子元件种类繁多,电路安装繁琐等缺点,在实际生产中并不利于生产效率的提高。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型在于提供一种主要由MOS管连接组成的跨导运算放大器。
为实现上述目的,本实用新型通过下述技术方案予以实现 :
一种跨导运算放大器,包括5个P型MOS管,4个N型MOS管,其特征为:
第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;第二P型MOS管MP2的漏极与第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极连接;第三P型MOS管MP3的漏极与第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极连接;第四P型MOS管MP4的栅极、第四P型MOS管MP4的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接;第五P型MOS管MP5的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该跨导运算放大器的输出端口Vout连接;第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb连接;第二P型MOS管MP2的栅极与该跨导运算放大器的同向输入端口VP连接;第三P型MOS管MP3的栅极与该跨导运算放大器的反向输入端口VN连接;
第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接;
第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极与地线GND连接,其作用是实现了MN4的漏极电流钳位。
本实用新型的有益效果为:本实用新型通过将5个P型MOS管,4个N型MOS管有机组合起来实现了跨导运算放大器的功能,因为只有MOS管(虽然有两种型号,但是对应的安装工具是一样的,操作也相似)作为电子元件,故在实际生产中能有效提高安装效率,另外由于MOS管代替了其他电子元件,有效降低了功耗。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细地描述。
如图1所示,一种跨导运算放大器,包括5个P型MOS管,4个N型MOS管,其特征为:
第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极与第三P型MOS管MP3的源极连接;第二P型MOS管MP2的漏极与第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极连接;第三P型MOS管MP3的漏极与第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极连接;第四P型MOS管MP4的栅极、第四P型MOS管MP4的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接;第五P型MOS管MP5的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极与该跨导运算放大器的输出端口Vout连接;第一P型MOS管MP1的栅极与偏置电压Vpb连接;第二P型MOS管MP2的栅极与该跨导运算放大器的同向输入端口VP连接;第三P型MOS管MP3的栅极与该跨导运算放大器的反向输入端口VN连接;
第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极与电源VDD连接;
第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极、第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极与地GND连接。
上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理和最佳实施例,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
Claims (1)
1.一种跨导运算放大器,包括5个P型MOS管,4个N型MOS管,其特征为:
第一P型MOS管(MP1)的漏极、第二P型MOS管(MP2)的源极与第三P型MOS管(MP3)的源极连接;第二P型MOS管(MP2)的漏极与第一N型MOS管(MN1)的漏极、第一N型MOS管(MN1)的栅极、第三N型MOS管(MN3)的栅极连接;第三P型MOS管(MP3)的漏极与第二N型MOS管(MN2)的漏极、第二N型MOS管(MN2)的栅极、第四N型MOS管(MN4)的栅极连接;第四P型MOS管(MP4)的栅极、第四P型MOS管(MP4)的漏极、第五P型MOS管(MP5)的栅极与第三N型MOS管(MN3)的漏极连接;第五P型MOS管(MP5)的漏极、第四N型MOS管(MN4)的漏极与该跨导运算放大器的输出端口(Vout)连接;第一P型MOS管(MP1)的栅极与偏置电压(Vpb)连接;第二P型MOS管(MP2)的栅极与该跨导运算放大器的同向输入端口(VP)连接;第三P型MOS管(MP3)的栅极与该跨导运算放大器的反向输入端口(VN)连接;
第一P型MOS管(MP1)的源极、第四P型MOS管(MP4)的源极、第五P型MOS管(MP5)的源极与电源(VDD)连接;
第一N型MOS管(MN1)的源极、第二N型MOS管(MN2)的源极、第三N型MOS管(MN3)的源极、第四N型MOS管(MN4)的源极与地线(GND)连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420720493.1U CN204206119U (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种跨导运算放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420720493.1U CN204206119U (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种跨导运算放大器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204206119U true CN204206119U (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=52664030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420720493.1U Expired - Lifetime CN204206119U (zh) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | 一种跨导运算放大器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204206119U (zh) |
-
2014
- 2014-11-27 CN CN201420720493.1U patent/CN204206119U/zh not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103412595A (zh) | 一种基于ptat电流的低电源依赖性带隙基准电压电路设计 | |
CN102096436B (zh) | 采用mos器件实现的低压低功耗带隙基准电压源 | |
CN103166627A (zh) | 一种带有共模反馈的低电压差分信号驱动器 | |
TWI517557B (zh) | 三級電晶體串疊之功率放大器 | |
CN100530965C (zh) | 低输入电压的高效能电压电位转换电路 | |
CN204206119U (zh) | 一种跨导运算放大器 | |
CN103647519B (zh) | 一种运算放大器的输入级 | |
CN103457554B (zh) | 轨到轨运算放大器 | |
TWI484752B (zh) | 具增強迴轉率的單增益緩衝器 | |
CN108449082B (zh) | 一种cml电平转cmos电平的电路结构 | |
TW201443606A (zh) | 電流電壓轉換器及其電子裝置 | |
CN102289244B (zh) | 电流求差型复合补偿基准电流源 | |
CN201813350U (zh) | 低压轨至轨运算放大电路 | |
CN204536968U (zh) | 一种无外置电容的大功率ldo电路 | |
CN104935272A (zh) | 基于cmos器件实现的跨导增强型低压跨导放大器 | |
CN204206570U (zh) | 一种led照明驱动用比较器 | |
RU2008109765A (ru) | Высокочастотный дифференциальный усилитель | |
CN204810237U (zh) | 场效应开关管反相器振荡型d类放大器 | |
CN102176660A (zh) | 采用mos器件实现的宽带低功耗轨到轨放大器 | |
CN103475323A (zh) | 功率放大器 | |
CN206759413U (zh) | 电流型模拟量输入接口电路 | |
CN208691218U (zh) | 一种cml电平转cmos电平的电路结构 | |
CN206595978U (zh) | 用反相器与三极管构建的plc晶体管输出端口隔离电路 | |
CN204304938U (zh) | 轨到轨运放电路及构成的减法器 | |
CN207150543U (zh) | 一种快速导通mosfet放大电路及功率放大器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 510663 C2, building 182, science Road, Science Town, Guangzhou hi tech Industrial Development Zone, Guangdong 1003, China Patentee after: GUANGZHOU REACH MICRO-ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 3 international business incubator G 510663 area in Guangdong city of Guangzhou province Luogang District Science City Moon road 209 Patentee before: GUANGZHOU REACH MICRO-ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20150311 |