CN204204916U - 一种铜柱型高散热led基板 - Google Patents

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黄琦
黄强
刘晓
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Abstract

本实用新型属于LED基板技术领域,提供了一种铜柱型高散热LED基板,其特征是所述LED基板包括有机树脂基板,有机树脂基板上电镀有多个贯穿其厚度方向的直径0.10-4.00mm的实心铜柱。实心铜柱散热效果好,在实际应用过程中,由于上层铜箔与电子元件连接,电子元件发热,通过上层铜箔和内层的铜柱把热量传递给下层铜箔,加快了电子元件的散热,使电子元件的环境温度维持在一个较低的环境下,保证了电子元件的性能。

Description

一种铜柱型高散热LED基板
技术领域
本实用新型涉及一种铜柱型高散热LED基板,属于LED技术领域。
背景技术
LED 是一种新型半导体固体光源,具有安全可靠性强、耗电量少、发光效率高、适用性强、稳定性好、响应时间短、颜色可变化、有利于环保等优点,其性能正不断完善,广泛应用于照明,显示等领域。
LED 虽然拥有众多优点,但是要使 LED 在市场上能够得到广泛的应用仍然存在诸多问题,其中 LED 散热便是其中问题之一。LED芯片在使用过程当中同样会产生大量的热量,尤其是 LED 为点状发光光源,所产生的热量集中在极小的区域内,若产生的热量无法及时有效的散发出去,会导致 PN 结的结温升高,从而加速芯片和封装树脂的老化,还可能导致焊点融化,使芯片失效,进而直接影响 LED 的使用寿命与发光效率,特别是大功率 LED,在使用过程中所产生的热量更大,对散热技术要求更高,可以说 LED 散热问题直接关系到其发展前景,因此要提升 LED 产品的散热能力,关键还是在于寻找到一种可以加快 LED 散热的方法。
为了解决 LED 散热问题,目前已有不少技术方案,但是其基本原理基本差别不大。LED芯片的所产生的热量,主要通过三种路径传递出去,这三种路径包括,向上辐射,向下传导和侧向传导。为了保证 LED 芯片向上的出光效率,一般选用硅胶来封装 LED 芯片,但其热阻很大,因此热量向上辐射的很少,所以,只有考虑另外两个路径来传导 LED 所产生的热量。相关理论及实验表明,LED 芯片所产生的热量在导热基板内主要是向下传导,而热量的横向传导有限。
发明内容
本实用新型的目的是克服目前 LED 散热基板散热不好的缺点,提供一种铜柱型高散热LED基板。
为实现上述目的,本实用新型采用了下述技术方案:一种铜柱型高散热LED基板,其特征是所述LED基板包括有机树脂基板,有机树脂基板上电镀有多个贯穿其厚度方向的直径0.10-4.00mm的实心铜柱。
所述有机树脂基板的上、下表面分别设有上层铜箔、下层铜箔,铜柱连接上层铜箔和下层铜箔。
所述上层铜箔和下层铜箔上制作线路。
所述下层铜箔的表面印刷油墨进行阻焊处理及标示处理。
所述上层铜箔和下层铜箔的表面镀有镍层。
所述镍层外镀有金层。
作为优选,所述有机树脂基板的玻璃态转化温度为140 -270℃。
本实用新型的技术效果:通过在有机树脂基板上设置贯穿其厚度方向的铜柱,来提高有机树脂基板本身的散热性能,铜柱连接上层铜箔和下层铜箔来提高上层铜箔与下层铜箔之间的散热性能,从而保证LED基板作为电子元件的载板在实际的应用中能够满足高散热技术的使用要求。在实际应用过程中,由于上层铜箔与电子元件连接,电子元件发热,通过上层铜箔和内层的铜柱把热量传递给下层铜箔,加快了电子元件的散热,使电子元件的环境温度维持在一个较低的环境下,保证了电子元件的性能。对于没有上、下层铜箔的LED基板,通过铜柱的良导热性把铜柱上的LED芯片的热量传导到LED基板而提高散热效率。
附图说明
图1为实施例1-6的结构示意图。
图2为实施例7-10的结构示意图。
图中  1. 有机树脂基板;2.上层铜箔;3.下层铜箔;4.铜柱;5.油墨;6.镍层;7.金层。
具体实施方式
为了便于理解,下面结合优选实施例进一步阐明本实用新型。
实施例1
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为140℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有9个贯穿其厚度方向的直径为0.1mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。
实施例2
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为270℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有4个贯穿其厚度方向的直径为0.2mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。
实施例3
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为200℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有7个贯穿其厚度方向的直径为0.1mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。
实施例4
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为200℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有3个贯穿其厚度方向的直径为0.3mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有银层,银层外镀有金层7。
实施例5
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为180℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有1个贯穿其厚度方向的直径为0.4mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有银层。
实施例6
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为220℃的有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上填孔电镀有5个贯穿其厚度方向的直径为0.15mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有银层及金层7。
实施例7
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图2所示,所述LED基板包括有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上电镀有4个贯穿其厚度方向的直径为0.15mm的铜柱4。
实施例8
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图2所示,所述LED基板包括有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上电镀有4个贯穿其厚度方向的直径为0.2mm的铜柱4。
实施例9
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图2所示,所述LED基板包括有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上电镀有9个贯穿其厚度方向的直径为0.10mm的铜柱4。
实施例10
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图2所示,所述LED基板包括有机树脂基板1,每平方毫米有机树脂基板1上电镀有1个贯穿其厚度方向的直径为0.40mm的铜柱4。
实施例11
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为200℃的有机树脂基板1,根据需要,有机树脂基板1上填孔电镀有多个贯穿其厚度方向的直径为1.0mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。
实施例12
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为200℃的有机树脂基板1,根据需要,有机树脂基板1上填孔电镀有多个贯穿其厚度方向的直径为2.0mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。
实施例13
一种铜柱型高散热LED基板,其结构如图1所示,所述LED基板包括中心的玻璃态转化温度为200℃的有机树脂基板1,根据需要,有机树脂基板1上填孔电镀有多个贯穿其厚度方向的直径为4.0mm的铜柱4,有机树脂基板1的上、下表面分别设有上层铜箔2、下层铜箔3;所述上层铜箔2和下层铜箔2上制作线路;所述下层铜箔3的表面印刷油墨5进行阻焊处理及标示处理;所述上层铜箔2和下层铜箔3的表面镀有镍层6,镍层6外镀有金层7。

Claims (7)

1.一种铜柱型高散热LED基板,其特征是所述LED基板包括有机树脂基板,所述有机树脂基板上填孔电镀有多个贯穿其厚度方向的直径0.10-4.00mm的实心铜柱。
2.根据权利要求1所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述有机树脂基板的上、下表面分别设有上层铜箔、下层铜箔,铜柱连接上层铜箔和下层铜箔。
3.根据权利要求1所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述有机树脂基板的玻璃态转化温度为140 -270℃。
4.根据权利要求2所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述上层铜箔和下层铜箔上制作线路。
5.根据权利要求4所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述下层铜箔的表面印刷油墨进行阻焊处理及标示处理。
6.根据权利要求5所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述上层铜箔和下层铜箔的表面镀有镍层。
7.根据权利要求6所述的铜柱型高散热LED基板,其特征是所述镍层外镀有金层。
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