CN204156915U - 三合一手机通卡 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种三合一手机通卡，包括有卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡；通过在卡架上设置有第一容置通槽和第二容置通槽，在标准SIM卡主体上设置有第三容置通槽，利用该标准SIM卡主体嵌于该第一容置通槽，Micro-SIM卡主体通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡可在同一卡片上成型，取代了传统之在两个不同卡片上成型的方式，产品制作过程中无需人工参与组装，便利实现全机械化批量快速生产，给制作带来方便，从而有效提高产品的生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及手机卡领域技术，尤其是指一种三合一手机通卡。
背景技术
目前，大多数手机使用的通讯卡叫做标准SIM卡，该种标准SIM卡尺寸为 25mm×15mm （比普通邮票还小，大概手指甲大小）。随着科学技术的不断发展，手机的功能也日新月异，因而使用在手机上的通讯卡也发生了变化，目前的出现有Micro-SIM卡和Nano-SIM卡：Micro-SIM卡，也叫做3FF SIM卡即第三类规格SIM，其尺寸为12x15mm，比我们目前在手机中使用的第二类SIM卡规格25x15mm小了52%，现在苹果公司生产的产品（IPhone 4S、IPhone4。）（IPad、IPad2. 3G版本）都是使用Micro-SIM卡；Nano-SIM卡是4FF标准的SIM卡，由苹果公司最早提出，这种Nano-SIM卡比Micro-SIM卡小三分之一，比起普通SIM卡则小了60%，而且厚度也减少了15%，现在苹果公司生产的IPhone5手机使用Nano-SIM卡。
然而，通常情况下，目前从市面上购买回去的手机通卡取下来通常只有一张标准SIM卡，该张标准SIM卡仅能应用在普通手机中，若用户想将该卡使用到IPhone 4S、IPhone4或者IPhone5时，用户需要采用专门的剪卡器将标准SIM卡裁剪成Micro-SIM卡或者Nano-SIM卡，然而，当用户再次想使用普通手机时，则该Micro-SIM卡或者Nano-SIM卡无法使用，用户必须重新办卡，如此，目前的手机通卡不能满足不同的用户，给手机通卡的销售带来不便，并且也不能满足每位用户在使用过程中的不同要求，从而给用户的使用带来诸多不便。针对于此，目前市面上出现有三合一手机通卡，该种三合一手机通常包括卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡，如此可根据需要组配得到标准SIM卡和Micro-SIM卡，从而给使用带来便利，然而，该种三合一手机通卡在制作过程中，该卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体是在同一塑胶卡片上成型，而Nano-SIM卡则在另一塑胶卡片上成型，Nano-SIM卡制作完成后需要人工组装到Micro-SIM卡主体的凹位中，如此，给制作带来不便，难以实现全机械化批量快速生产。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种三合一手机通卡，其能有效解决现有之三合一手机通卡难以实现全机械化批量快速生产的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
一种三合一手机通卡，包括有卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡；该卡架上设置有第一容置通槽和第二容置通槽；该标准SIM卡主体嵌于该第一容置通槽中并通过多个连接带与卡架一体成型连接；该标准SIM卡主体上设置有与Micro-SIM卡主体相适配的第三容置通槽，该第三容置通槽的深度与Micro-SIM卡主体的厚度相同，该Micro-SIM卡主体通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽中，Micro-SIM卡主体的表面与标准SIM卡主体的表面平齐，且该Micro-SIM卡主体的表面上凹设有一与Nano-SIM卡相适配的凹位，该凹位的深度与Nano-SIM卡的厚度相同；该Nano-SIM卡通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽中；当Nano-SIM卡从第二容置通槽中取出并嵌入凹位中时，由Nano-SIM卡与Micro-SIM卡主体组合形成Micro-SIM卡，由Nano-SIM卡、Micro-SIM卡主体和标准SIM卡主体共同组合形成标准SIM卡。
作为一种优选方案，所述卡架的厚度与标准SIM卡主体的厚度相同，且该卡架的表面与标准SIM卡主体的表面平齐。
作为一种优选方案，所述卡架为平板状塑胶体，该标准SIM卡主体和连接带通过冲切的方式成型在该平板状塑胶体上。
作为一种优选方案，所述卡架为标准卡尺寸，其横向尺寸为85.47mm～85.72mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm。
作为一种优选方案，所述卡架为半卡尺寸，其横向尺寸为42.735mm～42.86mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm。
作为一种优选方案，所述Nano-SIM卡的厚度为0.60mm～0.70mm。
作为一种优选方案，所述标准SIM卡主体和Micro-SIM卡主体的厚度均为0.68mm～0.84mm。
一种前述三合一手机通卡的制作方法，包括有以下步骤：
（1）洗薄：取一与卡架外形相同的塑胶卡片，在塑胶卡片的一个位置上进行洗薄作业形成前述凹位，在塑胶卡片的另一位置上进行洗薄作业形成一凹槽，凹槽的外形与Nano-SIM卡的外形相同；
（2）芯片封装：将芯片通过热熔的方式压合封装在凹槽的内底面上；
（3）冲切：在凹位的外围进行无缝冲切形成Micro-SIM卡主体，并在Micro-SIM卡主体的外围冲切形成标准SIM卡主体，以及，对凹槽的周缘进行无缝或有缝冲切形成Nano-SIM卡；
（4）打码：在Micro-SIM卡主体和Nano-SIM卡的背面同时打上激光码。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过在卡架上设置有第一容置通槽和第二容置通槽，在标准SIM卡主体上设置有第三容置通槽，利用该标准SIM卡主体嵌于该第一容置通槽，Micro-SIM卡主体通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡可在同一卡片上成型，取代了传统之在两个不同卡片上成型的方式，产品制作过程中无需人工参与组装，便利实现全机械化批量快速生产，给制作带来方便，从而有效提高产品的生产效率。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型之第一较佳实施例的正面示意图；
图2是本实用新型之第一较佳实施例的背面示意图；
图3是本实用新型之第一较佳实施例中卡架和标准SIM卡主体的正面示意图；
图4是本实用新型之第一较佳实施例中Micro-SIM卡主体的放大示意图；
图5是本实用新型之第一较佳实施例中Nano-SIM卡的放大示意图；
图6是图1中A-A方向的截面图；
图7是本实用新型之第二较佳实施例的正面示意图；
图8是本实用新型之第二较佳实施例的背面示意图；
图9是本实用新型之第三较佳实施例的正面示意图；
图10是本实用新型之第三较佳实施例的背面示意图；
图11是本实用新型之第四较佳实施例的正面示意图；
图12是本实用新型之第四较佳实施例的背面示意图。
附图标识说明：
10、卡架 11、第一容置通槽
12、第二容置通槽 13、连接带
14、凹槽 15、连接带
20、标准SIM卡主体 21、第三容置通槽
30、Micro-SIM卡主体 31、凹位
32、卡块 40、Nano-SIM卡
41、芯片。
具体实施方式
请参照图1和图6所示，其显示出了本实用新型之第一较佳实施例的具体结构，包括有卡架10、标准SIM卡主体20、Micro-SIM卡主体30以及Nano-SIM卡40。
其中，该卡架10上设置有第一容置通槽11和第二容置通槽12，该标准SIM卡主体20嵌于该第一容置通槽11中并通过多个连接带13与卡架10一体成型连接，该卡架10呈方形，并为平板状塑胶体，该标准SIM卡主体20和连接带13通过冲切的方式成型在该平板状塑胶体上，在本实施例中，该卡架10为标准卡尺寸，其横向尺寸为85.47mm～85.72mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm，该第二容置通槽12远离第一容置通槽11；以及，该卡架10的厚度与标准SIM卡主体20的厚度相同，且该卡架10的表面与标准SIM卡主体20的表面平齐。
该标准SIM卡主体20上设置有与Micro-SIM卡主体30相适配的第三容置通槽21，该第三容置通槽21的深度与Micro-SIM卡主体30的厚度相同，该标准SIM卡主体20和Micro-SIM卡主体30的厚度均为0.68mm～0.84mm，该Micro-SIM卡主体30通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽21中，Micro-SIM卡主体30的表面与标准SIM卡主体20的表面平齐，且该Micro-SIM卡主体30的表面上凹设有一与Nano-SIM卡40相适配的凹位31，该凹位31的深度与Nano-SIM卡40的厚度相同。
该Nano-SIM卡40通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽12中，在本实施例中，该Nano-SIM卡40通过无缝冲切成型并卡紧在第二容置通槽12中，该Nano-SIM卡40的厚度为0.60mm～0.70mm；当Nano-SIM卡40从第二容置通槽12中取出并嵌入凹位31中时，由Nano-SIM卡40与Micro-SIM卡主体30组合形成Micro-SIM卡，由Nano-SIM卡40、Micro-SIM卡主体30和标准SIM卡主体20共同组合形成标准SIM卡。
详述本实施例的制作方法如下：
包括有以下步骤：
（1）洗薄：取一与卡架10外形相同的塑胶卡片，在塑胶卡片的一个位置上进行洗薄作业形成前述凹位31，在塑胶卡片的另一位置上进行洗薄作业形成一凹槽14，凹槽14的外形与Nano-SIM卡40的外形相同。
（2）芯片封装：将芯片41通过热熔的方式压合封装在凹槽14的内底面上。
（3）冲切：在凹位31的外围进行无缝冲切形成Micro-SIM卡主体30，并在Micro-SIM卡主体30的外围冲切形成标准SIM卡主体20，以及，对凹槽14的周缘进行无缝或有缝冲切形成Nano-SIM卡40，在本实施例中选择无缝冲切的方式。
（4）打码：在Micro-SIM卡主体30和Nano-SIM卡40的背面同时打上激光码即可。
使用时，若用户的手机为普通手机时，用户只需将连接带13折断，然后将标准SIM卡主体20从第一容置通槽11取出，并将Nano-SIM卡40从第二容置通槽12中取出，接着，将Nano-SIM卡40嵌装在Micro-SIM卡主体30的凹位31中以连通标准SIM卡主体20组成标准SIM卡并装入手机中即可。若用户为IPhone 4S或IPhone4时，用户只需将Micro-SIM卡主体30从标准SIM卡主体20的第三容置通槽21取出，并将Nano-SIM卡40从第二容置通槽12中取出，接着将Nano-SIM卡40嵌装在Micro-SIM卡主体30的凹位31中以组成的Micro-SIM卡并装入手机即可；若用户的手机为IPhone5或IPhone5s时，用于只需将Nano-SIM卡40从第二容置通槽12中取出，并装入手机中即可。
请参照图7和图8所示，其显示出了本实用新型之第二较佳实施例的具体结构，本实施例的具体结构与前述第一较佳实施例的具体结构基本相同，其所不同的是：
在本实施例中，该Nano-SIM卡40通过有缝冲切成型在第二容置通槽12中，该Nano-SIM卡40通过多个连接带15与卡架10一体成型连接。
本实施例的制作方法与前述第一较佳实施例的制作方法相同，在此对本实施例的制作方法不作详细叙述。使用时，将连接带15折断取下Nano-SIM卡40，然后按照第一较佳实施例的使用方法进行组装使用即可。
请参照图9和图10所示，其显示出了本实用新型之第三较佳实施例的具体结构，本实施例的具体结构与前述第一较佳实施例的具体结构基本相同，其所不同的是：
在本实施例中，该卡架10为半卡尺寸，其横向尺寸为42.735mm～42.86mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm，该第二容置通槽12位于第一容置通槽11的侧旁，以充分利用卡架10的空间，结构更加紧凑，产品更加小巧。
本实施例的制作方法和使用方法均与前述第一较佳实施例的制作方法和使用方法相同，在此对本实施例的制作方法和使用方法不作详细叙述。
请参照图11和图12所示，其显示出了本实用新型之第四较佳实施例的具体结构，本实施例的具体结构与前述第三较佳实施例的具体结构基本相同，其所不同的是：
在本实施例中，该Nano-SIM卡40通过有缝冲切成型在第二容置通槽12中，该Nano-SIM卡40通过多个连接带15与卡架10一体成型连接。
本实施例的制作方法与前述第一较佳实施例的制作方法相同，在此对本实施例的制作方法不作详细叙述。使用时，将连接带15折断取下Nano-SIM卡40，然后按照第一较佳实施例的使用方法进行组装使用即可。
本实用新型的设计重点在于：通过在卡架上设置有第一容置通槽和第二容置通槽，在标准SIM卡主体上设置有第三容置通槽，利用该标准SIM卡主体嵌于该第一容置通槽，Micro-SIM卡主体通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽中，Nano-SIM卡通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽中，如此，卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡可在同一卡片上成型，取代了传统之在两个不同卡片上成型的方式，产品制作过程中无需人工参与组装，便利实现全机械化批量快速生产，给制作带来方便，从而有效提高产品的生产效率。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (7)
1.一种三合一手机通卡，包括有卡架、标准SIM卡主体、Micro-SIM卡主体以及Nano-SIM卡；其特征在于：该卡架上设置有第一容置通槽和第二容置通槽；该标准SIM卡主体嵌于该第一容置通槽中并通过多个连接带与卡架一体成型连接；该标准SIM卡主体上设置有与Micro-SIM卡主体相适配的第三容置通槽，该第三容置通槽的深度与Micro-SIM卡主体的厚度相同，该Micro-SIM卡主体通过无缝冲切成型并卡紧在第三容置通槽中，Micro-SIM卡主体的表面与标准SIM卡主体的表面平齐，且该Micro-SIM卡主体的表面上凹设有一与Nano-SIM卡相适配的凹位，该凹位的深度与Nano-SIM卡的厚度相同；该Nano-SIM卡通过无缝或有缝冲切成型在第二容置通槽中；当Nano-SIM卡从第二容置通槽中取出并嵌入凹位中时，由Nano-SIM卡与Micro-SIM卡主体组合形成Micro-SIM卡，由Nano-SIM卡、Micro-SIM卡主体和标准SIM卡主体共同组合形成标准SIM卡。
2.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述卡架的厚度与标准SIM卡主体的厚度相同，且该卡架的表面与标准SIM卡主体的表面平齐。
3.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述卡架为平板状塑胶体，该标准SIM卡主体和连接带通过冲切的方式成型在该平板状塑胶体上。
4.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述卡架为标准卡尺寸，其横向尺寸为85.47mm～85.72mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm。
5.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述卡架为半卡尺寸，其横向尺寸为42.735mm～42.86mm，其纵向尺寸为53.92mm～54.03mm。
6.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述Nano-SIM卡的厚度为0.60mm～0.70mm。
7.根据权利要求1所述的三合一手机通卡，其特征在于：所述标准SIM卡主体和Micro-SIM卡主体的厚度均为0.68mm～0.84mm。
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Legal Events
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Address after: 523000 Zhuweitian Yifa Industrial Zone, Fenggang Town, Dongguan City, Guangdong Province Chutianlong Smart Card Co., Ltd. Patentee after: Chu Tianlong Co., Ltd. Address before: 523000 Zhuweitian Yifa Industrial Zone, Fenggang Town, Dongguan City, Guangdong Province Chutianlong Smart Card Co., Ltd. Patentee before: Guangdong Chutian Dragon Smart Card Co., Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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Denomination of utility model: Three-in-one mobile phone card Effective date of registration: 20190507 Granted publication date: 20150211 Pledgee: China Co truction Bank Corp Dongguan branch Pledgor: Chu Tianlong Co., Ltd. Registration number: 2019440000173 |
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Date of cancellation: 20210322 Granted publication date: 20150211 Pledgee: China Co. truction Bank Corp Dongguan branch Pledgor: CHUTIAN DRAGON Co.,Ltd. Registration number: 2019440000173 |
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