CN204115671U - 接触式硅片测厚仪 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种接触式硅片测厚仪，包括用于测量硅片厚度的测厚机构(1)，所述测厚机构(1)包括壳体(1.1)、撞针(1.2)和光电传感器(1.3)，所述撞针(1.2)安装在壳体(1.1)上，所述光电传感器(1.3)安装在壳体(1.1)内，其特征在于：所述壳体(1.1)内还设有用于使撞针(1.2)无法急速下落的阻挡机构(2)。

Description

接触式硅片测厚仪

技术领域

本实用新型涉及微电子工艺生产技术领域，具体是指一种接触式硅片测厚仪。

背景技术

目前现有技术的硅片测厚仪分为接触式和非接触式两大类。

非接触类硅片测厚仪包括激光测厚仪或白光衍射测厚仪等设备；非接触仪器具有测量精度高、测量方便、自动化集成度高的特点；但由于采用激光测厚和白光衍射测厚需要光束的同轴性较高，环境的变量波动对测厚结果的稳定性也有影响；且设备成本较高，存在一定的弊端。

接触类硅片测厚仪的结构包括机架、底座和测厚机构，所述测厚机构安装在机架上，待测厚硅片放置于底座上；所述测厚机构包括撞针、用于测量行程的光电传感器、所述撞针由于重力的作用通过测厚机构与底座正中相抵，光电传感器用于记录撞针行程并送入处理器，处理器经过分析得出硅片厚度。

但由于在具体操作过程中，都是先将硅片放置于底座上，后使撞针落下；这样的操作使得本身质量较重的撞针在下降过程中会硅片造成冲击，对于较厚硅片则并无太大影响，但对于较薄硅片则会直接使硅片撞裂。

但接触式硅片测厚仪有非接触类硅片测厚仪无法取代的优点，即受环境变量影响极小；同时价格较低，适用性较强。

综上所述，在不可避免使用接触式硅片测厚仪时，接触式硅片测厚仪易对硅片造成损坏。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型提供一种可以在保证接触式硅片测厚仪使用效果的同时防止硅片损坏的接触式硅片测厚仪。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是：一种接触式硅片测厚仪，包括用于测量硅片厚度的测厚机构，所述测厚机构包括壳体、撞针和光电传感器，所述撞针安装在壳体上，所述光电传感器安装在壳体内，所述壳体内还设有用于使撞针无法急速下落的阻挡机构。

根据上述方案可以看出本实用具有如下优点：

由于壳体内增设了使撞针无法急速下落的阻挡机构，避免了撞针在下降的过程中由于撞针本身较重，惯性较大，最终使得撞针对硅片产生冲击力而出现硅片损坏的情况。

同时由于接触式硅片的撞针下降更加缓和，使得可测硅片厚度可以更薄且不易破碎，进一步增加了接触式硅片的适用性。

作为优选，所述阻挡机构包括阻挡部件、动力装置、第二光电传感器和控制器，所述动力装置的动力输出端与阻挡部件相连接，所述动力装置和第二光电传感器都与控制器电连接，所述撞针上还设有与阻挡装置相配合的凸起。

采用通过类似电动马达和皮带轮带动阻挡部件进行位置调正可以使当撞针在下降到指定高度且并为与硅片接触时进行阻挡，抵消撞针冲击力，之后再打开阻挡部件，使撞针下落，进一步防止硅片破碎。

作为优选，所述阻挡部件设在壳体底部；可以进一步提高阻挡部件的稳定性。

作为优选，所述阻挡部件为由柔性材料制成的卡扣；进一步对撞针进行缓冲。

作为优选，所述的阻挡机构为弹簧；结构简单也较为使用。

作为优选，所述的撞针穿过弹簧，且所述撞针上设有与弹簧上端相连接的凸起，所述弹簧弹力小于撞针的重量；采用类似自动笔的结构来进一步对撞针进行缓冲，从而提高撞针的惯性。

附图说明

附图1为本实用新型的接触式硅片测厚仪的结构示意图。

附图2为本实用新型的接触式硅片测厚仪的阻挡机构的结构示意图。

附图3为本实用新型的接触式硅片测厚仪的阻挡机构的结构示意图。

如图所示：1、测厚机构，1.1、壳体，1.2、撞针，1.3、光电传感器，2、阻挡机构，2.1、阻挡部件，2.2、动力装置，2.3、第二光电传感器，2.4、控制器。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行进一步说明。

实施例一：

一种接触式硅片测厚仪，包括用于测量硅片厚度的测厚机构1，所述测厚机构1包括壳体1.1、撞针1.2和光电传感器1.3，所述撞针1.2安装在壳体1.1上，所述光电传感器1.3安装在壳体1.1内，所述壳体1.1内还设有用于使撞针1.2无法急速下落的阻挡机构2；所述阻挡机构2包括阻挡部件2.1、动力装置2.2、第二光电传感器2.3和控制器2.4，所述动力装置2.2的动力输出端与阻挡部件2.1相连接，所述动力装置2.2和第二光电传感器2.3都与控制器2.4电连接，所述撞针1.2上还设有与阻挡装置2.1相配合的凸起，所述阻挡部件2.1设在壳体1.1底部且为由柔性材料制成的卡扣。

实施例二：

一种接触式硅片测厚仪，包括用于测量硅片厚度的测厚机构1，所述测厚机构1包括壳体1.1、撞针1.2和光电传感器1.3，所述撞针1.2安装在壳体1.1上，所述光电传感器1.3安装在壳体1.1内，其特征在于：所述壳体1.1内还设有用于使撞针1.2无法急速下落的阻挡机构2。所述的阻挡机构2为弹簧；所述的撞针1.2穿过弹簧，且所述撞针1.2上设有与弹簧上端相连接的凸起，所述弹簧弹力小于撞针1.2的重量。

可以理解的是，以上关于本实用新型的具体描述，仅用于说明本实用新型而并非受限于本实用新型实施例所描述的技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种接触式硅片测厚仪，包括用于测量硅片厚度的测厚机构(1)，所述测厚机构(1)包括壳体(1.1)、撞针(1.2)和光电传感器(1.3)，所述撞针(1.2)安装在壳体(1.1)上，所述光电传感器(1.3)安装在壳体(1.1)内，其特征在于：所述壳体(1.1)内还设有用于使撞针(1.2)无法急速下落的阻挡机构(2)。

2.根据权利要求1所述的接触式硅片测厚仪，其特征在于：所述阻挡机构(2)包括阻挡部件(2.1)、动力装置(2.2)、第二光电传感器(2.3)和控制器(2.4)，所述动力装置(2.2)的动力输出端与阻挡部件(2.1)相连接，所述动力装置(2.2)和第二光电传感器(2.3)都与控制器(2.4)电连接，所述撞针(1.2)上还设有与阻挡装置(2.1)相配合的凸起。

3.根据权利要求2所述的接触式硅片测厚仪，其特征在于：所述阻挡部件(2.1)设在壳体(1.1)底部。

4.根据权利要求2所述的接触式硅片测厚仪，其特征在于：所述阻挡部件(2.1)为由柔性材料制成的卡扣。

5.根据权利要求1所述的接触式硅片测厚仪，其特征在于：所述的阻挡机构(2)为弹簧。

6.根据权利要求5所述的接触式硅片测厚仪，其特征在于：所述的撞针(1.2)穿过弹簧，且所述撞针(1.2)上设有与弹簧上端相连接的凸起，所述弹簧弹力小于撞针(1.2)的重量。