CN203883452U - 一种漏电保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种漏电保护电路。本实用新型采用如下技术：一种漏电保护电路，其特征在于：所述电源电路单元D1是半波整流电路，电源电路单元D1的输出端与可控硅D3的阳极相连，所述压敏电阻MYR1设置在脱扣线圈Trip的前端，压敏电阻MYR1一端连接在电源电路单元D1与脱扣线圈Trip连线之间，压敏电阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的阳极与阴极之间通过设置C5作为吸收电路单元。通过采用上述方案，本实用新型克服现有技术存在的问题，提供一种电源部分采用半波整流的方式，同时具有提高开关元件反向耐压的功能，提高了电路的抗干扰能力的新型的漏电保护电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种漏电保护电路。
背景技术
现有与此本专利相似的漏电保护电路，如图1所示，电源部分D1~D4采用全波整流； 线圈TriP置于压敏电阻MYR1后端，压敏电阻在长时间工作后容易损坏。造成产品可靠性降低，在传统电路中，阻容吸收电路为R1+C5。
发明内容
本实用新型克服现有技术存在的问题，提供一种电源部分采用半波整流的方式，同时具有提高开关元件反向耐压的功能，提高了电路的抗干扰能力的新型的漏电保护电路。
实现上述目的，本实用新型采用如下技术：一种漏电保护电路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D3、降压控制电路单元、电源电路单元D1、压敏电阻MYR1和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的两根线连接到降压控制电路单元后与可控硅D3的门极连接，其特征在于：所述电源电路单元D1是半波整流电路，电源电路单元D1的输出端与可控硅D3的阳极相连，所述压敏电阻MYR1设置在脱扣线圈Trip的前端，压敏电阻MYR1一端连接在电源电路单元D1与脱扣线圈Trip连线之间，压敏电阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的阳极与阴极之间通过设置C5作为吸收电路单元。
通过采用上述方案，本专利在电源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高开关元件反向耐压的功能，另外脱扣线圈TriP放置于压敏电阻MYR1前面，保护了压敏电阻MYR1与可控硅D3，提高了电路的抗干扰能力，吸收电路只选用C5，大大简化电路的连线。
本实用新型的进一步设置是：所述降压控制电路单元由电阻R2和电容C4组成，其中电阻R2和电容C4共同的端点连接到可控硅D3的门极上，R2的另一端连接在零序互感器ZCT的一根导线上，电容C4的另一端连接在零序互感器ZCT的另一根接地的导线上。
通过采用上述方案，使上述电路使用效果更好，运行更加稳定。
下面结合附图和实施方式对本实用新型做进一步描述。
附图说明
图1为背景技术电路图；
图2为本实用新型实施例的电路图。
具体实施例
如图2所示，一种漏电保护电路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D3、降压控制电路单元6、电源电路单元D1、压敏电阻MYR1和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的两根线连接到降压控制电路单元后与可控硅D3的门极连接，在本实用新型实施例中，所述电源电路单元D1是半波整流电路，电源电路单元D1的输出端与可控硅D3的阳极相连，所述压敏电阻MYR1设置在脱扣线圈Trip的前端，压敏电阻MYR1一端连接在电源电路单元D1与脱扣线圈Trip连线之间，压敏电阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的阳极与阴极之间通过设置C5作为吸收电路单元。通过采用上述方案，本专利在电源部分D1采用的是半波整流的方式，具有提高开关元件反向耐压的功能，另外脱扣线圈TriP放置于压敏电阻MYR1前面，保护了压敏电阻MYR1与可控硅D3，提高了电路的抗干扰能力，吸收电路只选用C5，大大简化电路的连线。
在本实用新型实施例中，所述降压控制电路单元6由电阻R2和电容C4组成，其中电阻R2和电容C4共同的端点连接到可控硅D3的门极上，R2的另一端连接在零序互感器ZCT的一根导线上，电容C4的另一端连接在零序互感器ZCT的另一根接地的导线上，在本实施例中的降压控制电路单元6可以采用其他方案，在现有技术中达到降压和控制功能的电路单元6很多，在这里我们也可以采用。
本实用新型所揭示，乃较佳实施例的一种，举凡局部的变更或是修饰而源于本实用新型的技术思想而为熟习该技术的人所易于推知者，俱不脱本实用新型的专利范畴。
Claims (2)
1.一种漏电保护电路，包括有零序互感器ZCT、可控硅D3、降压控制电路单元、电源电路单元D1、压敏电阻MYR1和脱扣线圈Trip，其中零序互感器ZCT的两根线连接到降压控制电路单元后与可控硅D3的门极连接，其特征在于：所述电源电路单元D1是半波整流电路，电源电路单元D1的输出端与可控硅D3的阳极相连，所述压敏电阻MYR1设置在脱扣线圈Trip的前端，压敏电阻MYR1一端连接在电源电路单元D1与脱扣线圈Trip连线之间，压敏电阻MYR1的另一端接地，所述可控硅D3的阳极与阴极之间通过设置C5作为吸收电路单元。
2.根据权利要求1所述的漏电保护电路，其特征在于：所述降压控制电路单元由电阻R2和电容C4组成，其中电阻R2和电容C4共同的端点连接到可控硅D3的门极上，R2的另一端连接在零序互感器ZCT的一根导线上，电容C4的另一端连接在零序互感器ZCT的另一根接地的导线上。
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|---|---|---|---|
| CN201420313319.5U CN203883452U (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 一种漏电保护电路 |
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| CN104377647A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-25 | 德力西电气有限公司 | 漏电保护电路 |
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2014
- 2014-06-12 CN CN201420313319.5U patent/CN203883452U/zh active Active
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| CN104377647A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-02-25 | 德力西电气有限公司 | 漏电保护电路 |
| CN104377647B (zh) * | 2014-11-27 | 2018-02-27 | 德力西电气有限公司 | 漏电保护电路 |
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