CN203859151U - Led芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77～83μm，LED芯片背面设置有白膜层。本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55％。

Description

LED芯片

技术领域

本实用新型涉及LED(发光二极光)领域，特别地，涉及一种LED芯片。

背景技术

LED生产中品质略差的芯片多被用作生产小尺寸的芯片，而且芯片尺寸越做越小。为便于后续裂片工艺中芯片按既定位置破裂，芯片厚度需要通过研磨降低。厚度降低后芯片容易出现破片问题。常用尺寸芯片，以保障紫外切割的良率为目的则芯片厚度一般为80μm。80μm厚的芯片破片率为6～8％。破片率居高不下，影响了LED芯片的切割和裂片效率。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中LED芯片破片率高的技术问题。

为实现上述目的，根据本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77～83μm，LED芯片背面设置有白膜层。

进一步地，白膜层厚度为70～80μm。

进一步地，芯片尺寸为7×8mil。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55％。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本实用新型优选实施例的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

本实用新型通过在经研磨后的LED芯片表面黏贴上白膜层，利用白膜层的粘性将芯片的原有形貌固定，从而降低芯片在后续工艺过程中的破片率。

本实用新型针对厚度为77～83μm的芯片2进行处理，在该厚度的LED芯片2背面黏贴设置有白膜层1。厚度为77～83μm的芯片2多通过研磨得到，经过研磨后芯片2的脆性增强，在后续工艺过程中，容易出现破片。通过在芯片2的背面黏贴白膜层1后，芯片2的整体保持力得到增强，在外力作用下不易出现破碎，从而降低了芯片2的破片率。通过设置白膜层1后，能将芯片2的破片率降低至2％。生产过程中，每次生产的芯片是以万为单位计量的，此改进防止了上百片芯片的破碎，节约了生产成本。

实施例

以下实施例中所用物料和设备均为市售。

实施例1

1.使用NTS研磨机将LED芯片2研磨至厚度为80μm。抛光该厚度的LED芯片2。

2.擦拭LED芯片2背面，以免影响白膜层1的粘性。

3.将芯片2的正面置于温度为90℃的陶瓷加热板3表面上，加热时间小于2分钟。

4.白膜层1贴在芯片2背表面，白膜层1与芯片2之间不能有气泡，得到表面设置白膜层1的LED芯片。

5.将LED芯片进行下蜡处理。

对比例

与实施例1的区别在于未设置白膜层1。

按实施例1中所列方法处理100片LED芯片作为制令1。同时按对比例中的方法处理另100片芯片作为制令2。结果列于表1中。

表1制令1和2破片率和外观良率结果

由表1可知，制令1的外观良率为98.45％。制令2的外观良率为95.05％。(1-外观良率)×100％＝破片率。故设置白膜层1后，LED芯片的破片率仅为1.55％。破片率得到极大的降低。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种LED芯片，所述LED芯片经研磨后厚度为77～83μm，其特征在于，所述LED芯片背面设置有白膜层；所述白膜层厚度为70～80μm。 

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述LED芯片尺寸为7×8mil。