CN203850820U - 过温检测电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种过温检测电路，所述过温检测电路包括阈值生成电路、过温比较电路和过温检测信号输出电路。阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值；过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号；过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过温检测信号；其中，过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对过温信号滤波，过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。本实用新型解决了现有技术中由于脉冲群干扰引起的异常停机的问题，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度。

Description

过温检测电路

技术领域

本实用新型涉及电路领域，具体涉及一种过温检测电路。

背景技术

过温检测电路常用于对电路工作温度进行检测，在电路工作温度达到预定值以后输出控制信号，完成关断电路、关断电源等功能，起到保护电路的作用。

现有技术中，通过过温检测电路PN结导通电压的变化检测电路工作温度，例如，在PN结导通电压为负温度系数时，将过温检测阈值与PN结导通电压进行比较，其中，过温检测阈值对应预定温度，当温度低于预定温度时，PN结导通电压高于过温检测阈值，过温检测电路保持正常输出状态；当温度高于预定温度时，由于PN结导通电压随温度的升高而下降到低于过温检测阈值，过温检测电路的输出状态跳变触发过温保护。

当供电电压存在脉冲群干扰时，过温检测阈值信号也会出现脉冲群干扰，脉冲群干扰的峰值大约十几伏到几十伏，由于过温检测电路的过温检测阈值会随着脉冲峰值显著升高，导致PN结导通电压低于过温检测阈值，触发过温保护。同时，由于用于生成PN结导通电压的电子器件存在寄生电容，使得脉冲群结束后过温检测电路存在一段恢复时间，在恢复时间内会引起后级锁存电路输出过温保护信号，导致整机异常停机。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提出一种过温检测电路，以提高过温检测电路脉冲群抗扰度。

根据本实用新型的一方面，提供一种过温检测电路，包括阈值生成电路、过温比较电路和过温检测信号输出电路。所述阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值；所述过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号，所述PN结导通电压与温度成比例；所述过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过温检测信号。其中，所述过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对所述过温信号滤波，所述过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。

优选地，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、第一电阻、滤波电路、第二电阻和第二输出晶体管。

所述第一输出晶体管连接在参考电压输入端和中间端之间，所述第一输出晶体管的控制端输入所述过温信号。所述第一电阻连接在所述中间端和接地端之间。所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间，所述滤波电容连接在所述第二输出晶体管的控制端和接地端之间。所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。

优选地，所述第一输出晶体管为PNP型双极性晶体管。

优选地，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、滤波电路、第一电阻、第二输出晶体管和第二电阻。

所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在参考电压输入端和中间端之间，所述滤波电容连接在所述中间端和接地端之间。所述第一输出晶体管连接在所述中间端和接地端之间，所述第一输出晶体管的控制端输入所述过温信号。所述第一电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间。所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。

优选地，所述第一输出晶体管为NPN型双极性晶体管。

优选地，所述过温比较电路包括过温比较晶体管；所述过温比较晶体管的控制端输入所述过温检测阈值，所述过温比较电路基于所述过温比较晶体管的导通和关断控制输出过温信号。

优选地，所述过温比较电路还包括第三电阻和第四电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管。

所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻和第四电阻串联连接在参考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间。从所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点输出所述过温信号。

优选地，所述过温比较电路还包括第三电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管。

所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻连接在参考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间。从所述过温比较晶体管与所述第三电阻的连接节点输出所述过温信号。

优选地，所述阈值生成电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻和开关电路。所述第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻串联连接在参考电压输入端和接地端之间，所述开关电路与所述第三分压电阻并联，在未过温状态导通，在过温状态关断。

优选地，所述滤波电路的时间常数大于过温检测恢复时间，所述过温检测恢复时间是所述过温比较电路在遇到干扰脉冲后恢复到正常状态的时间。

通过在过温检测电路的过温检测信号输出电路中加入滤波电路，对由电子器件寄生电容导致的延迟波形进行滤波，避免了延迟波形导致的恢复时间对过温检测电路的影响，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度；同时，增加了系统在抗扰度上的设计余量，节省了系统针对抗扰度的设计成本。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1为根据本实用新型第一实施例的过温保护系统的系统示意图；

图2为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的示意图；

图3为根据对本实用新型实施例进行电快速瞬变脉冲群抗扰实验所施加的电快速瞬变脉冲群的波形示意图；

图4为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的工作波形图；

图5为根据本实用新型第三实施例的过温检测电路的示意图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

图1为根据本实用新型第一实施例的过温保护系统的系统示意图。过温保护系统1包括参考电压产生电路10、过温检测电路20和锁存电路30。

其中，参考电压产生电路10在供电电压Vcc驱动下生成不随温度变化的参考电压V_ref。参考电压产生电路10可以为带隙基准电压源。

过温检测电路20用于进行过温检测输出过温检测信号OT₁。

锁存电路30用于对过温检测信号OT₁进行锁存，向后级电路输出过温保护启动信号FO以在电路过温时启动过温保护。

过温检测电路20包括阈值生成电路21、过温比较电路22和过温检测信号输出电路23。

阈值生成电路21用于根据参考电压V_ref生成过温检测阈值V_A。

过温比较电路22用于根据PN结导通电压V_B和过温检测阈值V_A输出过温信号OT。

过温检测信号输出电路23用于根据所述过温信号OT按预设电平输出过温检测信号OT₁。

其中，PN结导通电压与温度成反比例，也即，PN结导通电压为负温度系数参数。

优选地，预设电平为：当过温检测电路保持正常状态时输出高电平，当过温检测电路处于过温保护状态时输出低电平。当然，本领域技术人员容易理解预设电平可以根据实际需要设置成其它状态。

阈值生成电路21根据参考电压V_ref生成过温检测阈值V_A，过温检测阈值V_A对应预定温度T_H。

优选地，阈值生成电路21可以为电阻分压网络，通过对参考电压V_ref分压获得对应的过温检测阈值V_A。

过温比较电路22通过将过温检测阈值V_A与PN结导通电压V_B进行比较检测电路是否过温。在PN结导通电压V_B与温度成反比例时，如果温度低于预定温度T_H时，则PN结导通电压V_B高于过温检测阈值V_A，过温比较电路22保持正常状态，输出的过温信号OT为高电平；当温度高于预定温度T_H时，PN结导通电压V_B下降到低于过温检测阈值V_A，过温比较电路22输出过温信号OT为低电平。

过温检测信号输出电路23根据过温信号OT输出过温检测信号OT₁。

其中，过温检测信号输出电路23包括滤波电路231。滤波电路231对所述过温信号OT进行滤波，滤除高频脉冲干扰信号以及高频脉冲干扰信号结束后由于寄生电容导致的延迟信号。

过温检测电路输出的过温检测信号OT₁可以提供给后级锁存电路30。优选地，当过温检测信号OT₁为低电平时，锁存电路30输出保护信号FO，正常情况下保护信号FO触发后，保护状态将持续一定时间(典型20us以上)，以使过温保护系统控制的部分保护停机。

由于过温检测电路20需要利用PN结导通电压来检测温度，而PN结器件通常带有寄生电容，导致高频脉冲干扰信号结束后电路不能立刻恢复正常，使得寄生电容的延迟效应具有一个恢复时间。在该恢复时间内，过温检测电路20输出过温检测信号OT₁仍不能恢复正常。而同时，由于供电电压V_cc中的高频脉冲干扰已经结束，锁存电路30恢复正常，锁存电路30会默认接收的过温检测信号OT₁是在过温检测电路20正常工作状态下输出的，由此会导致对于过温状态的错误检测。

在过温检测信号输出电路23中加入滤波电路231后，不但由于高频脉冲干扰信号导致的过温信号OT中的错误脉冲被滤除，由于寄生电容的延迟效应导致的延迟信号(对应于上述的恢复时间)也被滤除。而由于温度变化的低频特性，也即，电路的工作温度相对高频脉冲以及上述的恢复时间是缓慢变化的，滤波电路不会对于由于电路工作温度上升导致的过温信号变化产生影响，所以，本实施例的过温检测电路可以较好解决由于脉冲群干扰而引起的系统异常停机的问题，提高过温检测电路的脉冲群抗扰度；另一方面，还可以增加了整机系统在抗扰度上的设计余量，节省了整机系统针对抗扰度的设计成本。

图2为根据本实用新型第二实施例的过温检测电路的示意图。过温检测电路20’包括阈值生成电路21’、过温比较电路22’和过温检测信号输出电路23’。

阈值生成电路21’用于根据参考电压V_ref生成过温检测阈值V_A。

优选地，阈值生成电路21’为电阻分压网络。

优选地，阈值生成电路21’用于在未过温状态根据参考电压生成过温检测阈值V_A，在过温状态根据参考电压生成过温恢复阈值V_L，过温恢复阈值V_L低于过温检测阈值V_A。阈值生成电路21’包括第一分压电阻R_f1、第二分压电阻R_f2、第三分压电阻R_f3和开关电路211。其中第一分压电阻R_f1、第二分压电阻R_f2和第三分压电阻R_f3串联连接在参考电压输入端和接地端之间，开关电路211与第三分压电阻R_f3并联。

在图2中，开关电路211在未过温状态关断，由此，使得阈值生成电路21’生成过温检测阈值V_A：

$V_A=\frac{R_{f2}+R_{f3}}{R_{f1}+R_{f2}+R_{f3}}\·V_{\mathrm{ref}}$

在过温状态导通，使得第三分压电阻R_f3被短路，由此，阈值生成电路21’生成一个较低的过温恢复阈值V_L：

$V_L=\frac{R_{f2}}{R_{f1}+R_{f2}}\·V_{\mathrm{ref}}$

开关电路211可以包括开关晶体管Q₂、反馈电阻R_f和反馈晶体管Q₃，反馈电阻R_f和反馈晶体管Q₃连接在参考电压输入端和接地端之间，反馈晶体管Q₃的控制端通过一电阻R₇输入与过温信号OT或与过温信号OT相关的信号或过温检测信号OT₁，从而根据检测状态导通或关断。通过反馈晶体管Q₃的通断控制反馈电阻R_f和反馈晶体管Q₃的连接节点的电压，进而控制开关晶体管Q₂的导通和关断，实现在不同的状态输出不同的阈值。

过温比较电路22’用于根据PN结导通电压V_B和过温检测阈值V_A输出过温信号OT。

过温比较电路22’包括过温比较晶体管Q₁。过温比较晶体管Q₁的控制端输入过温检测阈值V_A，过温比较电路22’基于过温比较晶体管Q₁的导通和关断控制输出过温信号OT。

在本实施例中，过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管，其控制端为基极，其基极-发射极导通电压V_BE作为PN结导通电压。过温比较电路22’还包括第三电阻R₃和第四电阻R₄。过温比较晶体管Q₁的发射极与接地端连接，第三电阻R₃和第四电阻R₄串联连接在参考电压输入端和过温比较晶体管的集电极之间。

从第三电阻R₃和第四电阻R₄的连接节点输出过温信号OT。

过温比较晶体管Q₁的输入特性曲线随温度升高向左移，温度每升高1℃，过温比较晶体管Q₁的正向导通电压V_BE减小2-2.5mV。

过温检测信号输出电路23’用于根据所述过温信号OT按预设电平输出过温检测信号OT₁。过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管Q_o1、第一电阻R₁、滤波电路231、第二电阻R₂和第二输出晶体管Q_o2。

其中，第一输出晶体管Q_O1连接在参考电压输入端和中间端V₂之间，第一输出晶体管Q_O1的控制端输入过温信号OT；第一电阻R₁连接在中间端V₂和接地端之间。

滤波电路231包括滤波电阻R_F1和滤波电容C_F1，滤波电阻R_F1连接在中间端V₂和第二输出晶体管Q_o2的控制端之间，所述滤波电容C_F1连接在第二输出晶体管Q_o2的控制端和接地端之间。

第二电阻R₂和第二输出晶体管Q_o2串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从第二电阻R₂和第二输出晶体管Q_o2的连接节点输出过温检测信号OT₁。

优选地，第一输出晶体管Q_o1可以为PNP型双极性晶体管。

其中，第一输出晶体管Q_o1的基极接收过温信号OT。当OT为高电平时，第一输出晶体管Q_o1关断，中间端V₂的电压为低电平，使得第二输出晶体管Q_o2也关断，过温检测信号输出电路23’输出的过温检测信号OT₁为高电平。

当OT为低电平时，第一输出晶体管Q_o1导通，滤波电容C_F1开始通过滤波电阻R_F1充电，滤波电容C_F1持续充电直到过温检测恢复(即第一输出晶体管Q_o1关断)。

为了测试系统的抗扰性能，通常需要进行电快速瞬变脉冲群抗扰度试验，在进行该实验时，向交流电源施加如图3所示的电快速瞬变脉冲群，电快速瞬变脉冲群的出现会引起集成电路芯片供电电压上同步的脉冲群干扰，该脉冲群干扰的脉宽同样很小(几十纳秒)，峰值幅度则因系统设计的差异而不同，从几十伏到上百伏。

图4是本实施例的过温检测电路的工作波形图。如图4所示，交流电源上出现的脉冲群导致供电电压V_cc出现脉冲群干扰。

供电电压V_CC输入的脉冲群干扰会导致在参考电压生成电路输出的参考电压V_ref上也出现脉冲群干扰，峰值大约十几伏到几十伏。过温检测阈值V_A会随着参考电压V_ref的脉冲峰值一起显著升高，从而使过温比较晶体管Q₁导通，触发过温信号。此时，后级锁存电路由于供电电压V_CC也有脉冲群干扰，输出会出现保护脉冲(与脉冲群同步)，此保护脉冲没有恢复时间，待脉冲群结束后立即恢复正常工作。

但是，由于过温比较晶体管的集电极和发射极之间存在寄生电容C_p，在脉冲群干扰结束后，过温比较晶体管关断，而其输出的过温信号OT不会立即变化为高电平，参考电压输入端通过第三电阻R₃和第四电阻R₄对寄生电容C_p充电，使得过温信号OT缓慢上升，进而使得第一输出晶体管Q_o1保持导通，由此，会使得OT具有一个恢复时间tr。

与此同时，当第一输出晶体管Q_o1因V_ref干扰脉冲打开时，滤波电容C_F1开始通过滤波电阻R_F1充电，在滤波电容C_F1充电过程中，一旦滤波电容C_F1上的电压达到第二输出晶体管Q_o2的导通阈值V_Q(通常0.7V)，过温检测信号OT₁会跳变为低电平误触发保护。充电时间如果大于恢复时间tr，则可以避免错误地触发保护。

由此，可以通过设置滤波电阻R_F1和滤波电容C_F1的值，来区分高频脉冲干扰信号和低频过温信号。

脉冲干扰信号脉宽极小，引起滤波电容C_F1电压变化极小可忽略，所以C_F1充电方程如下

$V_Q=V_{\mathrm{ref}}(1-e^{-\frac{\mathrm{tc}}{R_{F1}{C}_{F1}}})$

使V_Q＝0.7V，考虑V_ref＝2.5V，可计算滤波电路时间常数tc满足：

tc＝0.33R_F1C_F1

因此，只要增大滤波电阻R_F1和滤波电容C_F1的值，使滤波时间常数tc大于过温检测恢复时间tr并有足够余量，那么第二输出晶体管Q_o2在脉冲群干扰过程中以及其后的恢复时间中就不会导通，则过温检测信号OT₁不会出现错误保护信号。

通过在过温检测电路的过温检测信号输出电路中加入滤波电路，对由电子器件寄生电容导致的延迟波形进行滤波，避免了延迟波形导致的恢复时间对过温检测电路的影响，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度；同时，增加了系统在抗扰度上的设计余量，节省了系统针对抗扰度的设计成本。

图5为根据本实用新型第三实施例的过温检测电路的示意图。本实施例中，过温检测电路20”包括阈值产生电路21’、过温比较电路22”和过温检测信号输出电路23”。其中，阈值产生电路21’与第二实施例的对应电路结构相同。

过温比较电路22”包括过温比较晶体管Q₁。过温比较晶体管Q₁的控制端输入过温检测阈值V_A，过温比较电路22”基于过温比较晶体管Q₁的导通和关断控制输出过温信号OT。

在本实施例中，过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管，其控制端为基极，其基极-发射极导通电压V_BE作为PN结导通电压。过温比较电路22”还包括第三电阻R₃。过温比较晶体管Q₁的发射极与接地端连接，第三电阻R₃连接在参考电压输入端和过温比较晶体管Q₁的集电极之间。

从过温比较晶体管Q₁与第三电阻R₃的连接节点输出所述过温信号。

过温检测信号输出电路23”包括第一输出晶体管Q_o1’、第一电阻R₁、滤波电路231”、第二电阻R₂、第二输出晶体管Q_o2。

其中，滤波电路231’包括滤波电阻R_F2和滤波电容C_F2，滤波电阻R_F2连接在参考电压输入端和中间端V₂之间，滤波电容C_F2连接在所述中间端和接地端之间。

第一输出晶体管Q_o1’连接在中间端V₂和接地端之间，第一输出晶体管Q_o1’的控制端输入过温信号OT；第一电阻R₁连接在中间端V₂和第二输出晶体管Q_o2的控制端之间；第二电阻R₂和第二输出晶体管Q_o2串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从第二电阻R2和第二输出晶体管Q_o2的连接节点输出所述过温检测信号OT₁。

优选地，第一输出晶体管Q_o1’可以为NPN型双极性晶体管。

第一输出晶体管Q_o1’接收过温信号OT。当OT为高电平时，第一输出晶体管Q_o1’导通，中间端电压为低电平，第二输出晶体管Q_o2关断，过温检测信号输出电路输出过温检测信号OT₁为高电平。

当OT为低电平时，第一输出晶体管Q_o1’关断，滤波电容C_F2开始通过滤波电阻R_F2充电，电容C_F2持续充电直到过温检测恢复(即第一输出晶体管Q₂导通)。充电时间为tc。

在滤波电容C_F2充电过程中，一旦滤波电容C_F2上的电压达到第二输出晶体管Q_o2导通阈值V_Q(通常0.7V)，过温检测信号OT₁跳变为低电平误触发保护。

优选地，通过设置滤波电阻R_F2和滤波电容C_F2的值，来区分高频脉冲干扰信号和低频过温信号。

脉冲干扰信号脉宽极小，引起滤波电容C_F1电压变化极小可忽略，所以C_F1充电方程如下

$V_Q=V_{\mathrm{ref}}(1-e^{-\frac{\mathrm{tc}}{R_{F2}{C}_{F2}}})$

使V_Q＝0.7V，考虑V_ref＝2.5V，可计算滤波时间常数

tc＝0.33R_F2C_F2

因此，只要增大滤波电阻R_F2和滤波电容C_F2的值，使滤波时间常数tc大于过温检测恢复时间tr并有足够余量，那么第二输出晶体管Q_o2在脉冲群干扰过程中就不会导通，则输出OT₁不会出现错误保护信号。

通过在过温检测电路的过温检测信号输出电路中加入滤波电路，对由电子器件寄生电容导致的延迟波形进行滤波，避免了延迟波形导致的恢复时间对过温检测电路的影响，提高了过温检测电路的脉冲群抗扰度；同时，增加了系统在抗扰度上的设计余量，节省了系统针对抗扰度的设计成本。

依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种过温检测电路，包括阈值生成电路、过温比较电路和过温检测信号输出电路；

所述阈值生成电路用于根据参考电压生成过温检测阈值；

所述过温比较电路用于根据PN结导通电压和过温检测阈值输出过温信号，所述PN结导通电压与温度成比例；

所述过温检测信号输出电路用于根据所述过温信号按预设电平输出过温检测信号；

其中，所述过温检测信号输出电路包括滤波电路，所述滤波电路用于对所述过温信号滤波，所述过温检测信号输出电路根据滤波后的信号输出过温检测信号。

2.根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、第一电阻、滤波电路、第二电阻和第二输出晶体管；

所述第一输出晶体管连接在参考电压输入端和中间端之间，所述第一输出晶体管的控制端输入所述过温信号；

所述第一电阻连接在所述中间端和接地端之间；

所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间，所述滤波电容连接在所述第二输出晶体管的控制端和接地端之间；

所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。

3.根据权利要求2所述的过温检测电路，其特征在于，所述第一输出晶体管为PNP型双极性晶体管。

4.根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温检测信号输出电路包括第一输出晶体管、滤波电路、第一电阻、第二输出晶体管和第二电阻；

所述滤波电路包括滤波电阻和滤波电容，所述滤波电阻连接在参考电压输入端和中间端之间，所述滤波电容连接在所述中间端和接地端之间；

所述第一输出晶体管连接在所述中间端和接地端之间，所述第一输出晶体管的控制端输入所述过温信号；

所述第一电阻连接在所述中间端和所述第二输出晶体管的控制端之间；

所述第二电阻和所述第二输出晶体管串联连接在参考电压输入端和接地端之间，从所述第二电阻和所述第二输出晶体管的连接节点输出所述过温检测信号。

5.根据权利要求4所述的过温检测电路，其特征在于，所述第一输出晶体管为NPN型双极性晶体管。

6.根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路包括过温比较晶体管；所述过温比较晶体管的控制端输入所述过温检测阈值，所述过温比较电路基于所述过温比较晶体管的导通和关断控制输出过温信号。

7.根据权利要求6所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路还包括第三电阻和第四电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管；

所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻和第四电阻串联连接在参考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间；

从所述第三电阻和所述第四电阻的连接节点输出所述过温信号。

8.根据权利要求6所述的过温检测电路，其特征在于，所述过温比较电路还包括第三电阻；所述过温比较晶体管为NPN型双极性晶体管；

所述过温比较晶体管的发射极与接地端连接，所述第三电阻连接在参考电压输入端和所述过温比较晶体管的集电极之间；

从所述过温比较晶体管与所述第三电阻的连接节点输出所述过温信号。

9.根据权利要求1所述的过温检测电路，其特征在于，所述阈值生成电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻和开关电路；

所述第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻串联连接在参考电压输入端和接地端之间，所述开关电路与所述第三分压电阻并联，在未过温状态导通，在过温状态关断。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的过温检测电路，其特征在于，所述滤波电路的时间常数大于过温检测恢复时间，所述过温检测恢复时间是所述过温比较电路在遇到干扰脉冲后恢复到正常状态的时间。