CN203787541U - 一种低pim步进调谐交叉耦合介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，包括壳体（6），所述壳体（6）内均布设置交叉耦合金属谐振腔（2），所述交叉耦合金属谐振腔（2）内设有磁耦合或电容交叉耦合；其特征在于：所述交叉耦合金属谐振腔（2）内设置可调性步进调谐杆（1），所述可调性步进调谐杆（1）外增加设置副交叉耦合金属谐振腔（21），所述可调性步进调谐杆（1）底端设置定位装置（7），所述定位装置（7）两端设置电容导片（4），所述电容导片（4）与定位装置（7）为一体式连接。本实用新型的优点在于提供了一种结构简单，同时具有步进可调电容，对信道隔离效果好的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器。

Description

一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器

技术领域

本实用新型涉及微波通信领域，尤指一种滤波器，具体涉及一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器。

背景技术

滤波器是一种对信号有处理作用的器件或电路。随着电子市场的不断发展上海上恒电子公司滤波器也越来越被广泛生产和使用，是国内著名的电源滤波器制造商, 公司是集设计、生产、销售于一体的实业公司滤波器（filter）是指减少或消除谐波对电力系统影响的电气部件。上恒电子滤波器是一种用来消除干扰杂讯的器件，将输入或输出经过滤波而得到纯净的电源。滤波器主要分为有源滤波器和无源滤波器。主要作用是让有用信号尽可能无衰减的通过，对无用信号尽可能大的反射。滤波器一般有两个端口，一个输入信号、一个输出信号，利用这个特性可以选通通过滤波器的一个方波群或复合噪波，而得到一个特定频率的正弦波。滤波器的功能就是允许某一部分频率的信号顺利的通过，而另外一部分频率的信号则受到较大的抑制，它实质上是一个选频电路。 滤波器中，把信号能够通过的频率范围，称为通频带或通带；反之，信号受到很大衰减或完全被抑制的频率范围称为阻带；通带和阻带之间的分界频率称为截止频率；滤波器是由电感器和电容器构成的网路，可使混合的交直流电流分开。

然而，随着4G通信技术逐渐完善，同时2G、3G多网同时共存，多制式通信对滤波器信道抗干扰能力以及互调特性提出了更高要求。目前滤波器交叉耦合电容采用分体式结构焊接，在组装调试焊接安装后过程中不能进行微调，如果电容值达不到需重新制作，效率低下并且会造成接触不充分造成互调不好或者不稳定。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型提供了一种结构简单，同时具有步进可调电容，对信道隔离效果好的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，包括壳体，所述壳体内均布设置交叉耦合金属谐振腔，所述交叉耦合金属谐振腔内设有磁耦合或电容交叉耦合；所述交叉耦合金属谐振腔内设置可调性步进调谐杆，所述可调性步进调谐杆外增加设置副交叉耦合金属谐振腔，所述可调性步进调谐杆底端设置定位装置，所述定位装置两端设置电容导片，所述电容导片与定位装置为一体式连接。

进一步优选，所述可调性步进调谐杆外缘设置外螺纹，所述副交叉耦合金属谐振腔内缘设置内螺纹，所述可调性步进调谐杆与副交叉耦合金属谐振腔采用螺纹耦合连接。

进一步优选，所述副交叉耦合金属谐振腔上设置抗干扰层，所述抗干扰层为镀银、镀铜、镀铝或镀镍层。

进一步优选，所述交叉耦合金属谐振腔截面为内凹形圆弧面。

进一步优选，所述壳体上方设置盖板，所述盖板与壳体扣合。

进一步优选，所述可调性步进调谐杆顶端设置凹槽，所述可调性步进调谐杆凹槽相对位置处设置调节螺杆。

本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果：

①、本实用新型利用独特弧面力学结构设计，具有步进可调电容，电容耦合值可调范围在0.0001～0.09；

②、本实用新型电容导片采用QBe2铍青铜整体一体冲压设计，可降低PIM值-5dBm～10 dBm；具有最大0.2电容耦合特性，对信道隔离要求高滤波器具有很好作用；

③、本实用新型结构设计合理，安全可靠，具有步进可调电容，对信道隔离效果好，因此便于推广普及使用。

附图说明

    为了更清楚地说明本实用新型实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型A-A向剖视图；

图3为本实用新型之上盖结构示意图；

图中1-可调性步进调谐杆、2-交叉耦合金属谐振腔、21-交叉耦合金属谐振腔、3-谐振杆、4-电容导片、5-耦合杆、6-壳体。

具体实施方式

    下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。

实施例1

如图1、图2以及图3所示的一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，包括壳体6，所述壳体6内均布设置交叉耦合金属谐振腔2，所述交叉耦合金属谐振腔2内设有磁耦合或电容交叉耦合；所述交叉耦合金属谐振腔2内设置可调性步进调谐杆1，所述可调性步进调谐杆1外增加设置副交叉耦合金属谐振腔21，所述可调性步进调谐杆1底端设置定位装置7，所述定位装置7两端设置电容导片4，所述电容导片4与定位装置7为一体式连接。所述可调性步进调谐杆1外缘设置外螺纹，所述副交叉耦合金属谐振腔21内缘设置内螺纹，所述可调性步进调谐杆1与副交叉耦合金属谐振腔21采用螺纹耦合连接。所述副交叉耦合金属谐振腔21上设置抗干扰层，所述抗干扰层为镀银、镀铜、镀铝或镀镍层。所述交叉耦合金属谐振腔2截面为内凹形圆弧面。所述壳体6上方设置盖板8，所述盖板8与壳体6扣合。所述可调性步进调谐杆1顶端设置凹槽，所述可调性步进调谐杆1凹槽相对位置处设置调节螺杆9。

在以上的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是以上描述仅是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，因此本实用新型不受上面公开的具体实施的限制。同时任何熟悉本领域技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，包括壳体（6），所述壳体（6）内均布设置交叉耦合金属谐振腔（2），所述交叉耦合金属谐振腔（2）内设有磁耦合或电容交叉耦合；其特征在于：所述交叉耦合金属谐振腔（2）内设置可调性步进调谐杆（1），所述可调性步进调谐杆（1）外增加设置副交叉耦合金属谐振腔（21），所述可调性步进调谐杆（1）底端设置定位装置（7），所述定位装置（7）两端设置电容导片（4），所述电容导片（4）与定位装置（7）为一体式连接。

2.根据权利要求1所述的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，其特征在于：所述可调性步进调谐杆（1）外缘设置外螺纹，所述副交叉耦合金属谐振腔（21）内缘设置内螺纹，所述可调性步进调谐杆（1）与副交叉耦合金属谐振腔（21）采用螺纹耦合连接。

3.根据权利要求1所述的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，其特征在于：所述副交叉耦合金属谐振腔（21）上设置抗干扰层，所述抗干扰层为镀银、镀铜、镀铝或镀镍层。

4.根据权利要求1所述的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，其特征在于：所述交叉耦合金属谐振腔（2）截面为内凹形圆弧面。

5.根据权利要求1所述的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，其特征在于：所述壳体（6）上方设置盖板（8），所述盖板（8）与壳体（6）扣合。

6.根据权利要求1所述的低PIM步进调谐交叉耦合介质滤波器，其特征在于：所述可调性步进调谐杆（1）顶端设置凹槽，所述可调性步进调谐杆（1）凹槽相对位置处设置调节螺杆（9）。