CN203774361U - 一种能够回收再利用的衬底 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底和预置转换层，预置转换层能够将生长衬底转换为反射衬底。本实用新型的生长衬底可以重复利用，节省成本；同时生长衬底的As不会带入后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED领域，特别是指一种能够回收再利用的衬底。
背景技术
现有发光器件的外延结构的制备过程中，将生长衬底一次性使用，或者将其直接作为外延结构的衬底形成产品，或者将其磨薄后随外延结构形成产品。生长衬底大都作为外延结构产品的一部分。
目前常规使用的红黄光外延结构生长衬底是GaAs，使用这种生长衬底的外延结构产品则会含砷。在使用这种生长衬底的外延结构的制备过程中，如果应用了生长衬底减薄工艺，则工业废水中将含有GaAs颗粒，增加了工业废水的污染，同时提高了企业排污和废水处理的成本。
本实用新型中能够回收再利用的衬底使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。
实用新型内容
本实用新型提出一种能够回收再利用的衬底，解决了现有技术中生长衬底无法重复使用使得成本增加、造成环境污染的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底和预置转换层，预置转换层能够将生长衬底转换为反射衬底。
进一步地，生长衬底通过外延方式形成所述预置转换层，所述预置转换层通过外延方式形成功能层。
进一步地，功能层通过粘附方式形成粘合层，所述粘合层附接支撑衬底；或者所述功能层通过键合介质结合所述支撑衬底；所述支撑衬底具体为硅衬底、蓝宝石衬底或石英衬底。
进一步地，所述键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。
进一步地，键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质。
进一步地，预置转换层能够被腐蚀液选择性消除，所述腐蚀液具体为HF或BOE。
进一步地，生长衬底包括GaAs。
进一步地，所述预置转换层包括AlAs。
进一步地，所述功能层包括外延层N区、有源区和外延层P区；所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，所述介质层包括SiO2、ITO或Si3N4，所述铜衬底厚度范围为70μm～150μm。
本实用新型的有益效果为：
1）生长衬底可以重复利用，节省成本；
2）生长衬底的As不会带入发光器件外延结构的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；
3）反射衬底具有良好的散热性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术生长衬底的结构示意图；
图2为本实用新型的结构示意图；
图3为具有支撑衬底的本实用新型的结构示意图；
图4为具有反射衬底的本实用新型的结构示意图；
图中：
1、生长衬底；2-1、腐蚀停止层；2-2、预置转换层；3、外延层N区；4、有源区；5、外延层P区；6、键合介质；7、支撑衬底；8、介质层；9、银镜；10、铜衬底。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
如图2和图4所示，本实用新型一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底1和预置转换层2-2，预置转换层2-2能够将生长衬底1转换为反射衬底。生长衬底1通过外延方式形成预置转换层2-2，预置转换层2-2通过外延方式形成功能层。
预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除，腐蚀液具体为BOE。
其中，生长衬底1包括GaAs，预置转换层2-2包括AlAs。功能层包括外延层N区3、有源区4和外延层P区5；反射衬底包括介质层8、银镜9和铜衬底10，介质层8包括SiO2，铜衬底10厚度为120μm。
相对于图1所示的现有腐蚀停止层2-1情况，本实用新型中预置转换层2-2能够被BOE选择性地腐蚀消除预置转换层2-2，消除彻底充分，使得生长衬底1能够回收再利用，降低了其使用成本，进而避免了生长衬底1中的As对环境的污染。
实施例2
如图2～4所示，本实用新型一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底1和预置转换层2-2，预置转换层2-2能够将生长衬底1转换为反射衬底。生长衬底1通过外延方式形成预置转换层2-2，预置转换层2-2通过外延方式形成功能层。功能层通过粘附方式形成粘合层，粘合层附接支撑衬底7。支撑衬底7具体为蓝宝石衬底。
预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除，腐蚀液具体为HF。
其中，生长衬底1包括GaAs，预置转换层2-2包括AlAs。功能层包括外延层N区3、有源区4和外延层P区5；反射衬底包括介质层8、银镜9和铜衬底10，介质层8包括ITO，铜衬底10厚度为100μm。
相对于图1所示的现有腐蚀停止层2-1情况，本实用新型中预置转换层2-2能够被HF选择性地腐蚀消除预置转换层，消除彻底充分，使得生长衬底1能够回收再利用，降低了其使用成本，进而避免了生长衬底1中的As对环境的污染。
实施例3
如图2～4所示，本实用新型一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底1和预置转换层2-2，预置转换层2-2能够将生长衬底1转换为反射衬底。生长衬底1通过外延方式形成预置转换层2-2，预置转换层2-2通过外延方式形成功能层。功能层通过键合介质6结合支撑衬底7，支撑衬底7具体为石英衬底。
预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除，腐蚀液具体为HF。键合介质6能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。键合介质6为光阻剂，光阻剂具体为有机胶介质。
其中，生长衬底1包括GaAs，预置转换层2-2包括AlAs。功能层包括外延层N区3、有源区4和外延层P区5；反射衬底包括介质层8、银镜9和铜衬底10，介质层8包括Si3N4，铜衬底10厚度为70μm。
相对于图1所示的现有腐蚀停止层2-1情况，本实用新型中预置转换层2-2能够被HF选择性地腐蚀消除，消除彻底充分，使得生长衬底1能够回收再利用，降低了其使用成本，进而避免了生长衬底1中的As对环境的污染。
实施例4
如图2～4所示，本实用新型一种能够回收再利用的衬底，包括：生长衬底1和预置转换层2-2，预置转换层2-2能够将生长衬底1转换为反射衬底。生长衬底1通过外延方式形成预置转换层2-2，预置转换层2-2通过外延方式形成功能层。功能层通过键合介质6结合支撑衬底7，支撑衬底7具体为硅衬底。
预置转换层2-2能够被腐蚀液选择性消除，腐蚀液具体为BOE。键合介质6能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。键合介质6为光阻剂，光阻剂具体为有机胶介质。
其中，生长衬底1包括GaAs，预置转换层2-2包括AlAs。功能层包括外延层N区3、有源区4和外延层P区5；反射衬底包括介质层8、银镜9和铜衬底10，介质层8包括SiO2、ITO或Si3N4，铜衬底10厚度为150μm。
相对于图1所示的现有腐蚀停止层2-1情况，本实用新型中预置转换层2-2能够被BOE选择性地腐蚀消除，消除彻底充分，使得生长衬底1能够回收再利用，降低了其使用成本，进而避免了生长衬底1中的As对环境的污染。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，包括：
生长衬底；
预置转换层；
所述预置转换层能够将所述生长衬底转换为反射衬底。
2.根据权利要求1所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述生长衬底通过外延方式形成所述预置转换层，所述预置转换层通过外延方式形成功能层。
3.根据权利要求2所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述功能层通过粘附方式形成粘合层，所述粘合层附接支撑衬底；或者所述功能层通过键合介质结合所述支撑衬底；所述支撑衬底具体为硅衬底、蓝宝石衬底或石英衬底。
4.根据权利要求3所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。
5.根据权利要求4所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质。
6.根据权利要求1所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。
7.根据权利要求1～6任一项所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述生长衬底包括GaAs。
8.根据权利要求1～6任一项所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述预置转换层包括AlAs。
9.根据权利要求2～6任一项所述的一种能够回收再利用的衬底，其特征在于，所述功能层包括外延层N区、有源区和外延层P区；所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，所述介质层包括SiO2、ITO或Si3N4，所述铜衬底厚度范围为70μm～150μm。
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