CN203595493U - 一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其包括平行于水平面的底座，底座中设置有厚度测量装置；所述厚度测量装置由垂直于水平面的测量杆件，以及安装在测量杆件上的数显装置构成；所述测量杆件中设置有可沿测量杆件轴向运动，且与晶片之间产生直接接触的量测装置，所述量测装置与数显装置相互间电性连接；采用上述技术方案的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其可在晶片处于水平状态下进行贴蜡抛光工作时，通过与晶片直接接触对其进行实时的厚度测量，避免传统测量方式需将晶片垂直于水平面放置方能进行测量的限定，从而可以精确控制晶片在加工过程中的精度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种测量仪表，尤其是一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具。
背景技术
晶片在陶瓷盘上进行磨削加工时，通常需要采用贴蜡处理，使其固定在陶瓷盘上。常用的接触或非接触式的晶片厚度测量装置均需同时对晶片两面进行测量，方可得到晶片厚度。对于贴蜡处理状态下的晶片而言，其在加工过程中无法将其取下，同时晶片下表面固定于陶瓷盘上，采用普通测量装置则无法测量其厚度，亦无法判断其是否已满足加工要求，从而造成加工精度的不稳定。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种晶片厚度测量量具，其可以在晶片在处于水平状态下进行贴蜡抛光工作时对其进行厚度测量，以便实时测定晶片加工厚度。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其包括平行于水平面的底座，底座中设置有厚度测量装置；所述厚度测量装置由垂直于水平面的测量杆件，以及安装在测量杆件上的数显装置构成；所述测量杆件中设置有可沿测量杆件轴向运动，且与晶片之间产生直接接触的量测装置，所述量测装置与数显装置相互间电性连接。
作为本实用新型的一种改进，所述测量杆件包括由底座上端面延伸至下端面，且采用空心结构的量杆；所述量测装置为，设置在量杆内部，且与量杆同轴的量测杆；所述量测杆直径略小于量杆，其与量杆之间采用间接连接方式。
作为本实用新型的一种改进，所述量测杆包含有延伸至量杆延伸至底座下端面部分外侧的测量端，以及设置在量杆内部的输出端；所述数显装置内设置有包含变阻端的滑动变阻器，所述量测杆的输出端与滑动变阻器的变阻端之间通过垂直于水平面的横杆连接；所述横杆位于数显装置内部分连接有弹簧，弹簧另一端连接至数显装置内壁；所述量杆在横杆的相应位置开有滑槽，横杆可在滑槽内上下移动。
作为本实用新型的一种改进，所述底座中设置有至少一根垂直于水平面，且由底座上端面向下端面方向延伸的支架；所述支架延伸至底座下端面的端部与数显装置内部弹簧无形变状态下量测杆的测量端处于同一平面内。
采用上述设计，所述可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其可通过量测杆与晶片接触后的位移长度得到晶片厚度。由于量测杆与支架的端面处于同一平面，当量测杆与晶片接触时，量测杆向量杆内部收缩，直至支架与晶片抛光平台相接触，此时量测杆的收缩量为量测杆与支架端面的高度差，即为晶片上表面与晶片抛光平台的高度差，即是晶片与其底部贴蜡的厚度。由于贴蜡的厚度一定，故取得上述高度差即可得到晶片的厚度。量测杆在量杆内部的位移长度通过与其相连的横杆带动滑动变阻器的变阻端发生位移，从而引起电阻变化，导致数显装置内发生电信号的变化，从而实现对晶片厚度的测定。测量结束后，将量具移开，横杆在弹簧作用下带动滑动变阻器与量测杆复位，从而使得量测杆回归初始高度，数显装置显示数值亦归零。
作为本实用新型的另一种改进，所述底座采用具有三个顶端的类三角结构；所述厚度测量装置设置在底座中一个顶端部，底座中其余两个顶端，以及底座中部各设置有一个支架；所述支架均通过螺栓与底座连接。采用上述设计，可以通过三个支架构成的三角结构确保量具的在测量过程中的稳定性，避免量具不稳造成的测量误差。
作为本实用新型的另一种改进，所述量测杆的测量端设置有柔性包层，其可以在量测杆的测量端与晶体接触时避免对晶体造成损伤。
作为本实用新型的另一种改进，所述数显装置采用千分表，其可精确显示晶体的厚度，以提高测量精度。
作为本实用新型的另一种改进，所述底座中心位置设置有由底座上端面向上延伸的圆柱型握杆，所述圆柱型握杆表面设有摩擦面，所述摩擦面的粗糙程度大于握杆其余部分的粗糙程度，其可方便工作人员携带与使用量具，握杆表面的摩擦面则可使得工作人员在使用量具进行测量中避免量具脱落或下滑，而损坏量具或晶体。
采用上述技术方案的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其可在晶片处于水平状态下进行贴蜡抛光工作时，通过与晶片直接接触对其进行实时的厚度测量，避免传统测量方式需将晶片垂直于水平面放置方能进行测量的限定，从而可以精确控制晶片在加工过程中的精度。
附图说明
图1为本实用新型示意图；
图2为本实用新型中量具底部示意图；
图3为本实用新型中量杆内部示意图；
附图标记说明：
1—底座、2—量杆、3—量测杆、4—数显装置、5—测量端、6—输出端、7—滑动变阻器、8—横杆、9—弹簧、10—支架、11—握杆。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本实用新型，应理解下述具体实施方式仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。
实施例1
如图1所示的一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其包括平行于水平面的底座 1，底座1中设置有厚度测量装置；所述厚度测量装置包括垂直于水平面，且由底座1上端面延伸至下端面，且采用空心结构的量杆2，量杆2内部设置有与量杆2同轴的量测杆3，量杆2延伸至底座上端面部分上安装有数显装置4。
作为本实用新型的一种改进，所述量测杆3直径略小于量杆2，量测杆3包含有延伸至量杆2延伸至底座下端面部分外侧的测量端5，以及设置于量杆内部的输出端6；所述数显装置4内设置有包含变阻端的滑动变阻器7，其与数显装置4间电性连接；所述量测杆3的输出端6与滑动变阻器7的变阻端之间通过垂直于水平面的横杆8连接；所述横杆8位于数显装置内部分连接有弹簧9，弹簧9另一端连接至数显装置4的内壁；所述量杆2在横杆8的相应位置开有滑槽，横杆8可在滑槽内沿量杆2上下移动。
作为本实用新型的一种改进，所述底座1采用具有三个顶端的类三角结构，其如图1与图2所示；所述厚度测量装置设置在底座1中一个顶端部，底座1中其余两个顶端，以及底座1中部各设置有一个支架10。所述支架10垂直于水平面，且由底座上端面向下端面方向延伸；所述支架10延伸至底座下端面的端部与量杆2内部弹簧无形变状态下量测杆3的测量端5处于同一平面内。所述支架10均通过螺栓与底座1连接。采用上述设计，可以通过三个支架构成的三角结构确保量具的在测量过程中的稳定性，避免量具不稳造成的测量误差。
采用上述设计，所述可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其可通过量测杆与晶片接触后的位移长度得到晶片厚度。由于量测杆与支架的端面处于同一平面，当量测杆与晶片接触时，量测杆向量杆内部收缩，直至支架与晶片抛光平台相接触，此时量测杆的收缩量为量测杆与支架端面的高度差，即为晶片上表面与晶片抛光平台的高度差，即是晶片与其底部贴蜡的厚度。由于贴蜡的厚度一定，故取得上述高度差即可得到晶片的厚度。量测杆在量杆内部的位移长度通过与其相连的横杆带动滑动变阻器的变阻端发生位移，从而引起电阻变化，导致数显装置内发生电信号的变化，从而实现对晶片厚度的测定。测量结束后，将量具移开，横杆在弹簧作用下带动滑动变阻器与量测杆复位，从而使得量测杆回归初始高度，数显装置显示数值亦归零。
采用上述技术方案的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其可在晶片处于水平状态下进行贴蜡抛光工作时，通过与晶片直接接触对其进行实时的厚度测量，避免传统测量方式需将晶片垂直于水平面放置方能进行测量的限定，从而可以精确控制晶片在加工过程中的精度。
实施例2
作为本实用新型的另一种改进，所述量测杆3的测量端5设置有柔性包层，其可以在量测杆的测量端与晶体接触时避免对晶体造成损伤。本实施例其余特征与优点同实施例1相同。
实施例3
作为本实用新型的另一种改进，所述数显装置4采用千分表，其可精确显示晶体的厚度，以提高测量精度。本实施例其余特征与优点同实施例1相同。
实施例4
作为本实用新型的另一种改进，所述底座1的中心位置设置有由底座上端面向上延伸的圆柱型握杆11，所述圆柱型握杆11表面设有摩擦面，所述摩擦面的粗糙程度大于握杆11其余部分的粗糙程度，其可方便工作人员携带与使用量具，握杆表面的摩擦面则可使得工作人员在使用量具进行测量中避免量具脱落或下滑，而损坏量具或晶体。本实施例其余特征与优点同实施例1相同。
本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。
Claims (8)
1.一种可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具包括平行于水平面的底座，底座中设置有厚度测量装置；所述厚度测量装置由垂直于水平面的测量杆件，以及安装在测量杆件上的数显装置构成；所述测量杆件中设置有可沿测量杆件轴向运动，且与晶片之间产生直接接触的量测装置，所述量测装置与数显装置相互间电性连接。
2.按照权利要求1所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述测量杆件包括由底座上端面延伸至下端面，且采用空心结构的量杆；所述量测装置为，设置在量杆内部，且与量杆同轴的量测杆；所述量测杆直径略小于量杆，其与量杆之间采用间接连接方式。
3.按照权利要求1或2所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述量测杆包含有延伸至量杆延伸至底座下端面部分外侧的测量端，以及设置在量杆内部的输出端；所述数显装置内设置有包含变阻端的滑动变阻器，所述量测杆的输出端与滑动变阻器的变阻端之间通过垂直于水平面的横杆连接；所述横杆位于数显装置内部分连接有弹簧，弹簧另一端连接至数显装置内壁。
4.按照权利要求3所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述底座中设置有至少一根垂直于水平面，且由底座上端面向下端面方向延伸的支架；所述支架延伸至底座下端面的端部与数显装置内部弹簧无形变状态下量测杆的测量端处于同一平面内。
5.按照权利要求4所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述底座采用具有三个顶端的类三角结构；所述厚度测量装置设置在底座中一个顶端部，底座中其余两个顶端，以及底座中部各设置有一个支架；所述支架均通过螺栓与底座连接。
6.按照权利要求5所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述量测杆的测量端设置有柔性包层。
7.按照权利要求1所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述数显装置采用千分表。
8.按照权利要求1、2、7任意一项所述的可在晶片贴蜡抛光状态下对其测量的晶片厚度量具，其特征在于，所述底座中心位置设置有由底座上端面向上延伸的圆柱型握杆，所述圆柱型握杆表面设有摩擦面，所述摩擦面的粗糙程度大于握杆其余部分的粗糙程度。
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