CN203590179U - 一种振荡器电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种振荡器电路。振荡器电路包括分压电路、偏置电路、充放电电路和电压比较电路：所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述比较电路的参考电压；所述偏置电路是提供给所述充放电电路的充放电电流；所述电容充放电电路是对充放电电容进行充放电；所述电压比较电路是对所述充放电电路的电容上的电压进行比较产生出振荡信号。利用本实用新型提供的振荡器电路能输出高精度的振荡信号。

Description

一种振荡器电路
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及到振荡器电路。
背景技术
在开关电源集成电路中，振荡器电路是必不可少的，其特性和精度是对整个环路都有很大的影响。
发明内容
本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种能输出高精度振荡信号的振荡器电路。
振荡器电路，包括分压电路、偏置电路、充放电电路和电压比较电路：
所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述比较电路的参考电压；
所述偏置电路是提供给所述充放电电路的充放电电流；
所述电容充放电电路是对充放电电容进行充放电；
所述电压比较电路是对所述充放电电路的电容上的电压进行比较产生出振荡信号。
所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻：
所述第一电阻的一端接基准电压VREF，另一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路；
所述第二电阻的一端接所述第一电阻和所述电压比较电路，另一端接所述第三电阻和所述电压比较电路；
所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路，另一端接所述第四电阻的一端和所述偏置电路；
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述偏置电路，另一端接地。
所述偏置电路包括第一运放、第一PMOS管、第一NMOS管和第五电阻：
所述第一运放的正端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，负端接所述第一NMOS管的源极和所述第五电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述充放电电路，源极接电源；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运放的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极，源极接所述第一运放的负端和所述第五电阻的一端；
所述第五电阻的一端接所述第一运放的负端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地。
所述充放电电路包括第二PMOS管、第一电容和第二NMOS管：
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述电压比较电路和所述第一电容和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源；
所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述电压比较电路和所述第二NMOS管的漏极，另一端接地；
所述第二NMOS管的栅极接所述电压比较电路的输出，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接地。
所述电压比较电路包括第一比较器、第二比较器和第一RS触发器：
所述第一比较器的正端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，负端接所述第二比较器的正端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，输出端接所述第一RS触发器的S端；
所述第二比较器的正端接所述第一比较器的负端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，负端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，输出端接所述第一RS触发器的R端；
所述第一RS触发器的S端接所述第一比较器的输出端，R端接所述第二比较器的输出端，Q端接所述第二NMOS管的栅极。
利用本实用新型提供的振荡器电路能输出高精度的振荡信号。
附图说明
图1为本实用新型的振荡器电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
振荡器电路，如图1所示，包括分压电路100、偏置电路200、充放电电路300和电压比较电路400：
所述分压电路100是对基准电压进行分压作为所述偏置电路200和所述比较电路400的参考电压；
所述偏置电路200是提供给所述充放电电路300的充放电电流；
所述电容充放电电路300是对充放电电容进行充放电；
所述电压比较电路400是对所述充放电电路300的电容上的电压进行比较产生出振荡信号。
所述分压电路100包括第一电阻101、第二电阻102、第三电阻103和第四电阻104：
所述第一电阻101的一端接基准电压VREF，另一端接所述第二电阻102的一端和所述电压比较电路400；
所述第二电阻102的一端接所述第一电阻101和所述电压比较电路400，另一端接所述第三电阻103和所述电压比较电路400；
所述第三电阻103的一端接所述第二电阻102的一端和所述电压比较电路400，另一端接所述第四电阻104的一端和所述偏置电路200；
所述第四电阻104的一端接所述第三电阻103的一端和所述偏置电路200，另一端接地。
所述偏置电路200包括第一运放201、第一PMOS管202、第一NMOS管203和第五电阻204：
所述第一运放201的正端接所述第三电阻103的一端和所述第四电阻104的一端，负端接所述第一NMOS管203的源极和所述第五电阻204的一端，输出端接所述第一NMOS管203的栅极；
所述第一PMOS管202的栅极接漏极和所述充放电电路300，源极接电源；
所述第一NMOS管203的栅极接所述第一运放201的输出端，漏极接所述第一PMOS管202的栅极和漏极，源极接所述第一运放201的负端和所述第五电阻204的一端；
所述第五电阻204的一端接所述第一运放201的负端和所述第一NMOS管203的源极，另一端接地。
所述充放电电路300包括第二PMOS管301、第一电容302和第二NMOS管303：
所述第二PMOS管301的栅极接所述第一PMOS管202的栅极和漏极和所述第一NMOS管203的漏极，漏极接所述电压比较电路400和所述第一电容302和所述第二NMOS管303的漏极，源极接电源；
所述第一电容302的一端接所述第二PMOS管301的漏极和所述电压比较电路400和所述第二NMOS管303的漏极，另一端接地；
所述第二NMOS管303的栅极接所述电压比较电路400的输出，漏极接所述第二PMOS管301的漏极和所述第一电容302的一端，源极接地。
所述电压比较电路400包括第一比较器401、第二比较器402和第一RS触发器403：
所述第一比较器401的正端接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端，负端接所述第二比较器402的正端和所述第二PMOS管301的漏极和所述第一电容302的一端和所述第二NMOS管303的漏极，输出端接所述第一RS触发器403的S端；
所述第二比较器402的正端接所述第一比较器401的负端和所述第二PMOS管301的漏极和所述第一电容302的一端和所述第二NMOS管303的漏极，负端接所述第二电阻102的一端和所述第三电阻103的一端，输出端接所述第一RS触发器403的R端；
所述第一RS触发器403的S端接所述第一比较器401的输出端，R端接所述第二比较器402的输出端，Q端接所述第二NMOS管303的栅极。
本实用新型公开了一种振荡器电路，并且参照附图描述了本实用新型的具体实施方式和效果。应该理解到的是：上述实施例只是对本实用新型的说明，而不是对本实用新型的限制，任何不超出本实用新型实质精神范围内的实用新型创造，均落入本实用新型保护范围之内。

Claims (5)

1.振荡器电路，其特征在于包括分压电路、偏置电路、充放电电路和电压比较电路：
所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述比较电路的参考电压；
所述偏置电路是提供给所述充放电电路的充放电电流；
所述电容充放电电路是对充放电电容进行充放电；
所述电压比较电路是对所述充放电电路的电容上的电压进行比较产生出振荡信号。
2.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻：
所述第一电阻的一端接基准电压VREF，另一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路；
所述第二电阻的一端接所述第一电阻和所述电压比较电路，另一端接所述第三电阻和所述电压比较电路；
所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路，另一端接所述第四电阻的一端和所述偏置电路；
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述偏置电路，另一端接地。
3.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述偏置电路包括第一运放、第一PMOS管、第一NMOS管和第五电阻：
所述第一运放的正端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，负端接所述第一NMOS管的源极和所述第五电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述充放电电路，源极接电源；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运放的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极，源极接所述第一运放的负端和所述第五电阻的一端；
所述第五电阻的一端接所述第一运放的负端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地。
4.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述充放电电路包括第二PMOS管、第一电容和第二NMOS管：
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述电压比较电路和所述第一电容和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源；
所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述电压比较电路和所述第二NMOS管的漏极，另一端接地；
所述第二NMOS管的栅极接所述电压比较电路的输出，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端，源极接地。
5.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于所述电压比较电路包括第一比较器、第二比较器和第一RS触发器：
所述第一比较器的正端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，负端接所述第二比较器的正端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，输出端接所述第一RS触发器的S端；
所述第二比较器的正端接所述第一比较器的负端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极，负端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端，输出端接所述第一RS触发器的R端；
所述第一RS触发器的S端接所述第一比较器的输出端，R端接所述第二比较器的输出端，Q端接所述第二NMOS管的栅极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105553445A (zh) * 2015-12-05 2016-05-04 许昌学院 一种应用于开关电源控制电路的时钟信号发生器
CN105577141A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 上海爱信诺航芯电子科技有限公司 一种低功耗高精度振荡器

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