CN203573197U - 基准电压积分采样电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基准电压积分采样电路，它包括单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、放大器和场效应管，所述的放大器的输出端连接在场效应管的栅极上，所述的放大器的反相输入端通过电容C1连接在场效应管的源极上；所述的电阻R2上并联有电容C2，且一端通过电阻R3连接在场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R1连接在放大器的反相输入端上。其优点是：电路结构简单，其利用闭环控制的恒流原理使恒流输出精度高，线调整和负载调整率优异。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种基准电压积分采样电路。
背景技术
近年来由于全球的绿色环保意识逐步提高，LED照明产品得到大力的开发，并开始逐渐走进千家万户。在LED照明产品中，AC-DC的LED驱动电源电路为LED提供电源，而由于LED（Light Emitting Diode）为电流型器件，发光亮度受电流影响较大，因此LED驱动电源需要为LED提供稳定的恒定电流输出。目前的LED照明电源驱动中广泛采用临界电流导通模式(BCM)和断流控制模式(DCM)实现恒流输出控制。为了实现更高的电源效率，有的电源驱动芯片采用了准谐振控制模式，一种介于BCM和DCM之间的控制模式。而根据采用的拓扑结构还分有隔离型的反激(Flyback)结构和非隔离型的降压(Buck)或升降压(Buck/Boost)结构等。在中低功率(<30W)的反激拓扑应用中通常又采用了原边控制省去了次边隔离反馈。这种根据不同的电流导通模式以及所采用的系统拓扑结构，需要不同的控制芯片采用了各种不同的恒流算法和电路来实现输出恒流。这些不同的算法和电路大大增加了芯片研发的周期和复杂度，同时有的开环恒流算法还带来了低精度，差线调整率和负载调整率等问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种基准电压积分采样电路，其电路结构简单，其利用闭环控制的恒流原理使恒流输出精度高，线调整和负载调整率优异。
为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：
基准电压积分采样电路，它包括单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、放大器和场效应管，所述的放大器的输出端连接在场效应管的栅极上，所述的放大器的反相输入端通过电容C1连接在场效应管的源极上；所述的电阻R2上并联有电容C2，且一端通过电阻R3连接在场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R1连接在放大器的反相输入端上。
更进一步的技术方案是:
作为优选，所述的电阻R3和电阻R2均为POLY电阻。
进一步的，所述的电阻R3和电阻R2的阻值比为3。
作为优选，所述的电容C1为MOS电容。
作为优选，所述的放大器的正电源端的电压小于场效应管的漏极电压。
作为优选，所述的单刀双掷开关S1为二选一数据选择器。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型的电路结构简单，可节约芯片研发的周期和复杂度。
2、本实用新型利用闭环控制的恒流原理使恒流输出精度高，线调整和负载调整率优异。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的基准电压积分采样电路，它包括单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、放大器和场效应管，所述的放大器的输出端连接在场效应管的栅极上，所述的放大器的反相输入端通过电容C1连接在场效应管的源极上；所述的电阻R2上并联有电容C2，且一端通过电阻R3连接在场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R1连接在放大器的反相输入端上。
为了便于对电阻比值进行控制，所述的电阻R3和电阻R2均为POLY电阻。POLY电阻的偏差小，温度系数可以控制。
所述的电阻R3和电阻R2的阻值比为3。电阻R3和电阻R2的公共端为输出Vref，利用电阻R3和电阻R2的分压原理产生Vref。即Vref为场效应管的源极电压的四分之一。当然，需要指出的是，在本领域的技术人员应该知道，该比值也可为其他值，比值为3只是一个优选数值。
为了进一步的优化该电路，所述的电容C1为MOS电容。MOS电容的结构简单，功耗低。
为了节约能源，所述的放大器的正电源端的电压小于场效应管的漏极电压。放大器的正电源端的电压与场效应管的漏极电压所接的电压值不同，放大器的正电源端的电压连接在2.5V电源上，而场效应管的漏极电压可连接在5V或电压值更大的电源上，通过连接不同的电源，可达到节能的目的。
所述的单刀双掷开关S1为二选一数据选择器。
在本实用新型中，电路包含单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、电阻R1、放大器、场效应管、电容C1和电容C2.该电路为积分电路，电路中，放大器的正相输入端连接在Vbg电源上，reg-ctrl对单刀双掷开关S1进行控制，对单刀双掷开关S1的占空比进行控制使得放大器的正相输入端和反相输入端的电压相等。当reg-ctrl为高电平时，单刀双掷开关S1连接到场效应管的源极，当reg-ctrl为低电平时，单刀双掷开关S1接地。reg-ctrl对积分电路的控制使得场效应管的源极的输出Vx=Vbg/*(( Ton+Toff)/Ton)，而Vref为R2，R3和C2的分压和滤波输出Vref=Vbg/4*(( Ton+Toff)/Ton)，即为恒值。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.基准电压积分采样电路，其特征在于：它包括单刀双掷开关S1、电阻R3、电阻R2、放大器和场效应管，所述的放大器的输出端连接在场效应管的栅极上，所述的放大器的反相输入端通过电容C1连接在场效应管的源极上；所述的电阻R2上并联有电容C2，且一端通过电阻R3连接在场效应管的源极，另一端接地，所述的单刀双掷开关S1的两个不动端分别与地和场效应管的源极相连，所述的单刀双掷开关S1的动端通过电阻R1连接在放大器的反相输入端上。
2.根据权利要求1所述的基准电压积分采样电路，其特征在于：所述的电阻R3和电阻R2均为POLY电阻。
3.根据权利要求1或2所述的基准电压积分采样电路，其特征在于：所述的电阻R3和电阻R2的阻值比为3。
4.根据权利要求1所述的基准电压积分采样电路，其特征在于：所述的电容C1为MOS电容。
5.根据权利要求1所述的基准电压积分采样电路，其特征在于：所述的放大器的正电源端的电压小于场效应管的漏极电压。
6.根据权利要求1所述的基准电压积分采样电路，其特征在于：所述的单刀双掷开关S1为二选一数据选择器。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN103677046A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-26 | 成都岷创科技有限公司 | 高精度基准电压积分采样电路 |
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2013
- 2013-11-28 CN CN201320760821.6U patent/CN203573197U/zh not_active Expired - Lifetime
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