CN203537359U - 可控硅快速投切开关 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可控硅快速投切开关，包括壳体，所述壳体内部包括：过零检测电路连接至中央处理器，所述中央处理器的输入端与信号采集模块相连，所述中央处理器的输出端与可控硅相连。本实用新型通过过零检测电路触发，可以减小驱动功率以及防止干扰。模块化设计便于生产维护，全浇铸结构使得开关安全牢固。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种投切开关，尤其是一种可控硅快速投切开关。
背景技术
可控硅是一种功率开关器件，具有体积小、重量轻、寿命长、功耗低的优点。但连接在强电网络中，触发可控硅的电路的干扰一直是一个严重的问题，一般都采用通过光电偶合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。但是驱动功率大以及干扰大仍然没有解决。
发明内容
本实用新型公开了一种可控硅快速投切开关，其通过过零检测电路触发，可以减小驱动功率以及防止干扰。
为了解决上述问题，本实用新型提供了以下技术方案：
一种可控硅快速投切开关，包括壳体，壳体内部包括：过零检测电路连接至中央处理器，中央处理器的输入端与信号采集模块相连，中央处理器的输出端与可控硅相连。
可选的，所述信号采集模块包括：低压检测模块、掉电检测模块、缺相检测模块。
可选的，所述壳体内部还包括温度检测模块，所述温度检测模块连接至所述中央处理器。
可选的，所述壳体内部还包括风扇，所述风扇连接至所述中央处理器。
可选的，所述壳体采用全浇铸结构。
本实用新型的优点在于：
通过过零检测电路触发，可以减小驱动功率以及防止干扰。模块化设计便于生产维护，全浇铸结构使得开关安全牢固。
附图说明
图1是可控硅快速投切开关内部的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例方式对本实用新型的技术方案做进一步的具体说明。
图1是可控硅快速投切开关内部的结构示意图，包括壳体，壳体内部包括过零检测电路11，该过零检测电路11连接至中央处理器12，中央处理器12的输入端与信号采集模块13相连，中央处理器12的输出端与可控硅14相连。当电压为零或者零附近的瞬间接通时，过零检测电路11被触发，将所述被触发的信号传输给中央处理器12处理。中央处理12根据该被触发的信号以及信号采集模块13的信号驱动可控硅14。
信号采集模块13内部具有多种电路，包括低压检测模块、掉电检测模块、缺相检测模块。一般为了安全起见，中央处理器还会连接一个温度检测模块，并配合风扇对器件进行降温。
为了使得投切开关更加安全牢固，在一个非限制性的实施例中，开关壳体采用全浇铸的结构。
本实用新型公开了一种可控硅快速投切开关，通过过零检测电路触发，可以减小驱动功率以及防止干扰。模块化设计便于生产维护，全浇铸结构使得开关安全牢固。
本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。
Claims (5)
1.一种可控硅快速投切开关，包括壳体，其特征在于，所述壳体内部包括：过零检测电路连接至中央处理器，所述中央处理器的输入端与信号采集模块相连，所述中央处理器的输出端与可控硅相连。
2.根据权利要求1所述的可控硅快速投切开关，其特征在于，所述信号采集模块包括：低压检测模块、掉电检测模块、缺相检测模块。
3.根据权利要求1所述的可控硅快速投切开关，其特征在于，所述壳体内部还包括温度检测模块，所述温度检测模块连接至所述中央处理器。
4.根据权利要求1所述的可控硅快速投切开关，其特征在于，所述壳体内部还包括风扇，所述风扇连接至所述中央处理器。
5.根据权利要求1所述的可控硅快速投切开关，其特征在于，所述壳体采用全浇铸结构。
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